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硅表面上构筑具有化学特性的图形的新方法 被引量：5
1
作者 吴瑞阁 欧阳贱华 +3 位作者 赵新生 黄小华 黄惠忠 吴念祖 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第10期931-935,共5页
为了在硅基底上得到不同化学基团修饰的图形，在氢终止硅（ｌｌｌ）表面运用光刻技术和光化学反应结合来控制表面成膜反应的位置，并用ＡＦＭ、ＸＰＳ、接触角测定等验证了这种方法的可行性．
关键词 单层膜 分子构筑 光刻 图形 硅表面 表面成膜反应 氢终止 化学修饰
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