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红外探测器湿法工艺关键设备制造技术研究
1
作者 张伟锋 亢喆 吴卿 《电子工业专用设备》 2020年第4期17-19,64,共4页
介绍了红外探测器制造工艺流程,着重阐述了碲镉汞(HgCdTe)、锑化铟(InSb)红外焦平面探测器制造工去胶清洗、背面保护膜清洗、表面减薄工艺特殊性及湿法清洗技术重要性。结合红外探测器基片材料软脆特性,重点论述无损伤超洁净擦洗技术、... 介绍了红外探测器制造工艺流程,着重阐述了碲镉汞(HgCdTe)、锑化铟(InSb)红外焦平面探测器制造工去胶清洗、背面保护膜清洗、表面减薄工艺特殊性及湿法清洗技术重要性。结合红外探测器基片材料软脆特性,重点论述无损伤超洁净擦洗技术、自动称重减薄腐蚀技术等设备制造关键技术。 展开更多
关键词 红外探测器 湿法清洗 无损伤擦洗 表面减薄 自动称重
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基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究 被引量：3
2
作者 刘杰 郝跃 +3 位作者 冯倩 王冲 张进城 郭亮良 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期3483-3487,共5页
基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此... 基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触I-V特性方程进行了修正,得到了很好的拟合曲线.试验表明,高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值. 展开更多
关键词 氮化镓 肖特基二极管 表面势垒减薄模型 热电子场发射
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