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表面光电压法研究抛光硅片制造中铁沾污的来源被引量：5: 1; 作者罗俊一沈益军 +4 位作者李刚刘培东张锦心包宗明黄宜平《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第1期70-72,66,共4页; 铁杂质是硅片制造过程中常见的重金属沾污 ,表面光电压 (SPV)法可很好地用于测定P型硅中铁杂质。本文通过SPV法测试不同流程制造的P型抛光硅片中的铁沾污 ,找到了在P型抛光硅片制造工艺过程中引入铁沾污的主要来源。; 关键词表面光电压法铁杂质抛光硅片半导体材料; 下载PDF 职称材料

表面光电压测量P型硅抛光片少子扩散长度及铁杂质含量的研究被引量：4: 2; 作者屠海令朱悟新 +3 位作者王敬周旗钢张椿孙燕《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期237-241,共5页; 表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用 .本文简述了该方法的测量原理 ,给出了直径 1 2 5mm硅抛光片少子扩散长度及铁杂质浓度的测量数据 ,讨论了生产工艺对硅抛光片表面质量的影响 .; 关键词表面光电压法硅抛光片少子扩散长度测量; 下载PDF 职称材料

表面光电压法测量a-Si:H少子扩散长度的进一步研究被引量：2: 3; 作者张治国宿昌厚《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期348-356,共9页; 建立用SPV法测量a-Si∶H薄膜少子扩散长度L_p的新的数学模型,推导出可供具有任意输入端口(电流输入或电压输入)的锁相放大器所使用的测量L_p的数学表达式,为改进测试过程和提高准确度创造了条件。对合理选择偏置光强度做了较细致的分析... 展开更多; 关键词表面光电压法测量非晶硅; 下载PDF 职称材料

用SPV法对影响硅片少于寿命因素的研究被引量：1: 4; 作者卢立延曹孜杜娟《世界有色金属》 2003年第12期30-32,共3页; 随着IC工业的发展,对硅材料的质量提出了越来越高的要求。硅单晶中的非平衡少数载流子寿命(少子寿命)是一个被关注的表征材料性能的重要物理参数。本文通过表面光电压法(SPV)研究提出单晶工艺、退火前硅片的洁净程度及退火炉的洁净程度... 展开更多; 关键词硅片单晶硅少子寿命表面光电压法 SPV; 下载PDF 职称材料

量值恒定的表面光电压法测量半导体少子扩散长度的研究被引量：1: 5; 作者邓韡陈长缨 +1 位作者洪岳傅倩《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期751-753,共3页; 为了在保持材料完整性的基础上,对单晶硅材料的质量进行评价,设计了一种利用表面光电压测量半导体少子扩散长度的系统。系统采用斩波器、单色仪和锁相放大器来获取半导体表面光电压信息,利用表面光电压与材料的光吸收系数的关系得出半... 展开更多; 关键词硅量值恒定表面光电压法少子扩散长度锁相放大器; 下载PDF 职称材料

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