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补充加料过程中逃逸电子的雪崩现象 被引量：1
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作者 杨进蔚 唐年益 +5 位作者 曾庆希 张炜 曹建勇 董贾福 肖正贵 姚良骅 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期95-99,共5页
在靶丸注入和超声分子束注入等补充加料期间 ,虽然等离子体密度骤然增加 ,但用五通道碘化汞探测器阵列及碘化钠探测器在此期间均测到很强的X射线辐射 ,且射线峰爆发时间与靶丸注入及超声分子束注入时间对应得相当好。用二次电子发射形... 在靶丸注入和超声分子束注入等补充加料期间 ,虽然等离子体密度骤然增加 ,但用五通道碘化汞探测器阵列及碘化钠探测器在此期间均测到很强的X射线辐射 ,且射线峰爆发时间与靶丸注入及超声分子束注入时间对应得相当好。用二次电子发射形成雪崩型逃逸电子理论解释了实验测量结果。 展开更多
关键词 逃逸电子 雪崩现象 补充加料 靶丸注入 分子束注入 等离子体 托卡马克
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