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补偿硅的温度敏感特性 被引量：7
1
作者 张建 巴维真 +3 位作者 陈朝阳 丛秀云 陶明德 M.K.巴哈迪尔哈诺夫 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期23-24,28,共3页
采用低电阻率的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅.在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×103、4.8×104、1.3×105、3.2×105Ω·cm的几种样品的温度敏感特性,其相应的B值分别为5 ... 采用低电阻率的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅.在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×103、4.8×104、1.3×105、3.2×105Ω·cm的几种样品的温度敏感特性,其相应的B值分别为5 103,5 600,6 103,6 502 K.这种扩锰硅是一种温度敏感材料,笔者将报道这些实验结果并讨论其热敏特性. 展开更多
关键词 补偿硅 高补偿 过补偿 温敏特性
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基于第一性原理研究杂质补偿对硅光电性能的影响
2
作者 王秀宇 王涛 +2 位作者 崔雨昂 吴溪广润 王洋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期263-272,共10页
通过磷(P)和硼(B)共掺杂在硅禁带中构建了P^(+)/B^(-)局域态能级,形成了具有杂质补偿结构的硅.采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理研究了杂质补偿硅(n/p-Sic)的电子态密度、介电函数和折射率等光电性能.态密度研究表明,相同浓度P和... 通过磷(P)和硼(B)共掺杂在硅禁带中构建了P^(+)/B^(-)局域态能级,形成了具有杂质补偿结构的硅.采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理研究了杂质补偿硅(n/p-Sic)的电子态密度、介电函数和折射率等光电性能.态密度研究表明,相同浓度P和B掺杂(12.5%)的n-Si和p-Si被完全杂质补偿后,费米能级位于两相邻态密度峰构成的谷底,且态密度不为零.在介电函数和折射率研究中,发现n-Sic在掺杂比例C_(B)/C_(P0)=0.25时,在低能区具有最大的介电函数和最大折射率.此外,对比本征硅及其掺杂物的介电常数实部(Re),发现如下规律:在E> 4 eV的高能区,本征Si,n/p-Si和p-Sic的Re为负值;而在0.64 <E <1.50 eV的低能区,n-Sic在掺杂比例C_(B)/C_(P0)=0.25时的Re为负值;这表明在此掺杂比例下n-Sic能在更低的能量下就能获得较好的金属性,从而揭示了其价带电子更易被低能量的长波长光激发.理论研究表明,n-Sic在掺杂比例C_(B)/C_(P0)=0.25时具有较好的光电性能,可能与n-Si被B杂质补偿后部分Si—Si键变成Si—B键的同时产生的Si悬挂键以及在Si禁带中形成的局域态能级有关. 展开更多
关键词 第一性原理 态密度 杂质补偿硅 光学性质
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高补偿硅的阻-温特性 被引量：6
3
作者 张建 巴维真 +3 位作者 陈朝阳 丛秀云 陶明德 M.K.巴哈迪尔哈诺夫 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期19-21,共3页
采用5·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅。笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K)。测试结果表明:在没有光照条件下测试... 采用5·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅。笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K)。测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质。 展开更多
关键词 高补偿硅 光敏 深能级
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高补偿硅的光敏感特性 被引量：3
4
作者 张建 巴维真 +3 位作者 陈朝阳 丛秀云 陶明德 M.K.巴哈迪尔哈诺夫 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期20-22,共3页
对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品... 对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。 展开更多
关键词 p型单晶硅 掺杂锰 高补偿硅 光敏感特性
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高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究
5
作者 崔志明 陈朝阳 +2 位作者 巴维真 蔡志军 丛秀云 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期53-55,共3页
采用4.5Ω.cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅。用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极。用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线。结果表明:经退火... 采用4.5Ω.cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅。用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极。用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线。结果表明:经退火后镍与硅形成硅镍化合物(Ni2Si),电极正反向电阻一致,性能稳定,形成欧姆接触。 展开更多
关键词 电子技术 高补偿硅 化学沉积法 硅镍化舍物
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补偿收缩硅粉混凝土在白山水电站的应用
6
作者 徐胜国 谢强 《水电工程技术》 2006年第2期33-36,共4页
补偿收缩硅粉混凝土在强度、抗冻性、抗渗性、早强性、抗冲耐磨和抗空蚀性方面与普通混凝土性能相比具有明显的提高，并且可以减少或避免有害的裂缝。通过在白山水电站泄洪消能雾化防护工程中的具体应用，初步摸索出了有关补偿收缩硅粉... 补偿收缩硅粉混凝土在强度、抗冻性、抗渗性、早强性、抗冲耐磨和抗空蚀性方面与普通混凝土性能相比具有明显的提高，并且可以减少或避免有害的裂缝。通过在白山水电站泄洪消能雾化防护工程中的具体应用，初步摸索出了有关补偿收缩硅粉混凝土试验及施工的方法。 展开更多
关键词 膨胀剂 硅粉 补偿收缩硅粉混凝土 应用
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德州仪器宣布推出新系列宽带固定增益放大器
7
《电子质量》 2002年第12期109-109,共1页
关键词 德州仪器公司 补偿双极硅错工艺 宽带 固定增益放大器
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