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X射线衍射峰五基本要素的物理学意义与应用 被引量：16
1
作者 周健 王河锦 《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期95-100,共6页
本文根据Bragg衍射方程、Scherrer方程、衍射强度计算原理 ,研究讨论了X射线衍射峰 5构成要素中的衍射峰位置、衍射峰宽度、衍射峰高度的物理学意义。根据实验研究证明了衍射峰不对称性的几何条件特征 ,并用地质事实验证了衍射峰形态变... 本文根据Bragg衍射方程、Scherrer方程、衍射强度计算原理 ,研究讨论了X射线衍射峰 5构成要素中的衍射峰位置、衍射峰宽度、衍射峰高度的物理学意义。根据实验研究证明了衍射峰不对称性的几何条件特征 ,并用地质事实验证了衍射峰形态变化与晶格应变和粒度大小的内在联系。从而阐明了单个衍射峰 5基本构成要素的完整物理学意义 ,并以实例论证了 5要素的实际应用价值。 展开更多
关键词 X射线衍射 物理学意义 衍射峰高度 衍射峰位置 衍射峰宽度 晶格 粒度
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Si基3C-SiC反向外延的选择生长和残余应力研究 被引量：1
2
作者 杨翰飞 杨治美 +2 位作者 廖熙 龚敏 孙小松 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期121-125,共5页
采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO_2作为掩蔽层,进行3C-SiC的反向外延的选择性生长.TEM,AFM和XRD结果显示3 C-SiC沿(111)面成功实现了较高质量的外延选择生长,其界面清晰,掩蔽良好.生长出的3C-SiC薄膜为织构晶体,单晶性良好.残... 采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO_2作为掩蔽层,进行3C-SiC的反向外延的选择性生长.TEM,AFM和XRD结果显示3 C-SiC沿(111)面成功实现了较高质量的外延选择生长,其界面清晰,掩蔽良好.生长出的3C-SiC薄膜为织构晶体,单晶性良好.残余应力测试表明3C-SiC薄膜晶格发生压应变,选择性生长区域的残余应力显著降低.据此结果建立了残余应力的形成机制. 展开更多
关键词 立方碳化硅 选择生长 掩蔽层 衍射峰位置 残余应力
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