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硅漂移探测器结构设计与探测特性分析 被引量：3
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作者 王文婧 陈博 +1 位作者 陈璞 黄斌 《集成电路通讯》 2012年第2期4-9,共6页
硅漂移探测器（SiliconDriftDetector，SDD）是一种通过光电效应探测光信号的器件。主要用于射线探测。在SDD的结构设计中，采用螺旋型漂移环结构作为内集成电阻分压器以形成阶梯式侧向漂移电场，采用多保护环结构来降低边缘击穿效应，... 硅漂移探测器（SiliconDriftDetector，SDD）是一种通过光电效应探测光信号的器件。主要用于射线探测。在SDD的结构设计中，采用螺旋型漂移环结构作为内集成电阻分压器以形成阶梯式侧向漂移电场，采用多保护环结构来降低边缘击穿效应，减小结击穿的可能性；通过选用合适的衬底材料、螺旋型漂移环面积及掺杂离子浓度，可以获得很好的螺旋型漂移环的线性度。 展开更多
关键词 SDD 螺旋型漂移环 保护环 漂移电场
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