期刊文献+
共找到37篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
四川平武富碱型绿柱石晶体的晶格缺陷与生长机制 被引量:11
1
作者 亓利剑 裴景成 +2 位作者 周开灿 石国华 罗永安 《地质科技情报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期64-70,共7页
在低饱和度、碱性、气成—热液条件下形成的四川平武绿柱石宝石晶体 ,具有特征的扁平板状几何外形。在绿柱石晶体的 { 0 0 0 1}、{ 10 10 }、{ 112 1}面上 ,普遍发育螺旋位错、束合螺旋位错、层错及接触双晶 ,它们共同构成了绿柱石晶体... 在低饱和度、碱性、气成—热液条件下形成的四川平武绿柱石宝石晶体 ,具有特征的扁平板状几何外形。在绿柱石晶体的 { 0 0 0 1}、{ 10 10 }、{ 112 1}面上 ,普遍发育螺旋位错、束合螺旋位错、层错及接触双晶 ,它们共同构成了绿柱石晶体生长的主要台阶源。微分干涉显微镜、扫描电镜和透射电镜研究结果证实 ,由填隙变形、位错滑移和水解弱化等综合作用 ,直接导致绿柱石硅氧四面体六方环结构和铍氧四面体结构的局部畸变 ,并相应引起多面体体积、化学键力、键合能及晶面的法向生长速率发生变化 ,从而决定了该区绿柱石晶体生长的形态。由绿柱石晶体中的线缺陷 (螺旋位错 )、面缺陷 (层错、双晶 )及点缺陷 (空位、包裹体 )的协同作用 。 展开更多
关键词 绿柱石 晶格缺陷 螺旋位错 生长机制 晶体生长 填隙变形
下载PDF
带有相反拓扑指数的光学涡流间相互作用研究 被引量:10
2
作者 董亮伟 叶芳伟 +1 位作者 王建东 李永平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期3353-3357,共5页
对线性介质中光学涡流间相互作用做了数值分析 ,发现当拓扑指数相反时 ,含有涡流对的光场产生了类似于对称破缺的不稳定性 ,螺旋位错在传播过程中演变为一种新的位错———边位错 。
关键词 拓扑指数 类似 线性介质 光场 光学 螺旋位错 涡流 传播过程 发现 演变
原文传递
夹杂与基体对界面层螺旋位错的干涉效应 被引量:6
3
作者 蒋持平 刘又文 徐耀玲 《应用数学和力学》 EI CSCD 北大核心 2003年第8期865-873,共9页
 研究圆形夹杂与基体对有限厚度界面层螺旋位错的干涉问题· 结合复变函数的分区亚纯函数理论、施瓦兹对称原理与柯西型积分运算,发展了多连通域联结问题的一个有效分析方法,将3个区域应力函数的联结问题化归为界面层应力函数的...  研究圆形夹杂与基体对有限厚度界面层螺旋位错的干涉问题· 结合复变函数的分区亚纯函数理论、施瓦兹对称原理与柯西型积分运算,发展了多连通域联结问题的一个有效分析方法,将3个区域应力函数的联结问题化归为界面层应力函数的函数方程,并求得了显式级数解· 利用该结果。 展开更多
关键词 螺旋位错 位错 非均匀材料 界面 复变函数方法
下载PDF
稳态温度场中螺旋位错与圆弧裂纹的交互作用 被引量:6
4
作者 肖万伸 魏刚 《机械强度》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期779-783,共5页
研究压电材料在稳态温度场下螺旋位错与圆弧裂纹的交互作用。综合运用复变函数分区全纯理论、解析函数奇性主部分析方法、解析延拓原理、Cauchy型积分以及Riemann边值问题求解方法,导出各复势函数之间的解析关系,进一步得到特殊情况下... 研究压电材料在稳态温度场下螺旋位错与圆弧裂纹的交互作用。综合运用复变函数分区全纯理论、解析函数奇性主部分析方法、解析延拓原理、Cauchy型积分以及Riemann边值问题求解方法,导出各复势函数之间的解析关系,进一步得到特殊情况下所讨论问题的封闭解,并解出像力随温度梯度和位错位置变化的表达式。数值分析结果表明,温度梯度越大,像力变化越明显。 展开更多
关键词 压电材料 螺旋位错 圆弧裂纹 像力
下载PDF
1-羟基乙叉-1,1-二膦酸抑制方解石螺旋生长的分子模拟研究 被引量:3
5
作者 李森生 徐敬 李杰 《计算机与应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期209-213,共5页
为研究阻垢剂的阻垢机理,我们利用HyperChem分子模拟软件,对1-羟基乙叉-1,1-二膦酸(1-hydroxy ethylidene-1.1- diphosphonic acid)HEDP抑制方解石的螺旋生长,进行了计算机分子模拟。首先,根据方解石晶体生长形貌,通过分子模拟软件生... 为研究阻垢剂的阻垢机理,我们利用HyperChem分子模拟软件,对1-羟基乙叉-1,1-二膦酸(1-hydroxy ethylidene-1.1- diphosphonic acid)HEDP抑制方解石的螺旋生长,进行了计算机分子模拟。首先,根据方解石晶体生长形貌,通过分子模拟软件生成有螺旋位错的方解石{104}面,同时基于半经验分子轨道理论,对离解后的HEDP结构优化以获得其部分电荷分布。进而用分子力学计算HEDP在{104}面螺旋位错扭折点的吸附能,及该处吸附HEDP后,Ca2+和CO32-分别沿法线向它趋近时吸附能的变化。得到结果是,在趋近扭折点过程中,HEDP与{104}面的吸附作用越来越强烈。之后,在Ca2+、CO32-趋近螺旋位错台阶时都遇到很高的势垒。计算结果表明,HEDP牢牢吸附在扭折点上,并且吸附后的HEDP阻碍了Ca2+、CO32-的沉积, 从而抑制在扭折点周围碳酸钙分子的快速生长。 展开更多
关键词 HEDP 方解石 螺旋位错 分子模拟
原文传递
含界面层圆形夹杂中螺旋位错的弹性分析 被引量:5
6
作者 刘又文 蒋持平 《固体力学学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期8-15,共8页
研究了复合材料含界面层圆形夹杂内部的一个螺旋位错在夹杂、界面层与基体材料中产生的弹性干涉 .将复变函数的分区亚纯函数理论与柯西型积分、罗朗级数相结合 ,求出了各分区复势的解析关系 ,化为一个关于界面层复势的函数方程 ,用显示... 研究了复合材料含界面层圆形夹杂内部的一个螺旋位错在夹杂、界面层与基体材料中产生的弹性干涉 .将复变函数的分区亚纯函数理论与柯西型积分、罗朗级数相结合 ,求出了各分区复势的解析关系 ,化为一个关于界面层复势的函数方程 ,用显示式表达了问题的结果 ,揭示了界面层参数对位错干涉能与位错力的影响规律 .该解析方法较经典级数方法未知量大量减少 ,表达式更加简洁 .结果的特殊情形包含了若干已有成果 . 展开更多
关键词 螺旋位错 夹杂界面层 复变函数方法 复合材料力学 弹性干涉
下载PDF
碱式硫酸镁晶须的生长机理分析 被引量:4
7
作者 范天博 周永红 +4 位作者 刘露萍 李莉 李雪 郭洪范 刘云义 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2017年第7期22-25,共4页
为了解碱式硫酸镁晶体结构和晶体生长过程,构建碱式硫酸镁超级晶胞模型,采用Materials Studio 7.0软件中的Morphology程序对碱式硫酸镁2×2×2超级晶胞及其(201)、(202)、(203)、(111)和(114)真空slab计算模型进行平衡态计算,... 为了解碱式硫酸镁晶体结构和晶体生长过程,构建碱式硫酸镁超级晶胞模型,采用Materials Studio 7.0软件中的Morphology程序对碱式硫酸镁2×2×2超级晶胞及其(201)、(202)、(203)、(111)和(114)真空slab计算模型进行平衡态计算,计算了其主要显露面族的Distance值和晶面面积百分比等相关参数。计算结果表明,碱式硫酸镁生长符合螺旋位错生长机制,其形貌会呈现晶须状但其中会掺杂着六棱柱等不规则的结构与实验结果吻合。 展开更多
关键词 碱式硫酸镁 晶须 生长机理 螺旋位错
下载PDF
模板诱导/水热法制备α-氧化铝晶须及其表征 被引量:3
8
作者 梁邦兵 黄志良 +2 位作者 张联盟 刘羽 汪奇林 《武汉化工学院学报》 2005年第4期38-40,共3页
以硫酸铝为前驱体,采用模板诱导/水热法成功地制备了薄水铝石晶须,在1200℃的温度下煅烧制得了-αAl2O3晶须;通过TG/DTA、SEM和XRD对所制备的产物进行了表征,讨论了薄水铝石晶须的生长机理,由AFM表征证明薄水铝石晶须的生长过程是螺旋... 以硫酸铝为前驱体,采用模板诱导/水热法成功地制备了薄水铝石晶须,在1200℃的温度下煅烧制得了-αAl2O3晶须;通过TG/DTA、SEM和XRD对所制备的产物进行了表征,讨论了薄水铝石晶须的生长机理,由AFM表征证明薄水铝石晶须的生长过程是螺旋位错生长. 展开更多
关键词 α-Al2O3晶须 模板诱导/水热法 螺旋位错
下载PDF
光波场中多边位错向螺旋位错的转化 被引量:3
9
作者 冯博 甘雪涛 +1 位作者 刘圣 赵建林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期330-337,共8页
实验研究及理论分析了光波场中边位错向螺旋位错的转化行为.设计了围绕中心沿角向周期排列的多边位错相位结构,实验上通过计算全息图法研究了其对高斯光束的调制作用以及调制光束的传播特性.结果表明,随着调制光束逐渐演化为类涡旋光束... 实验研究及理论分析了光波场中边位错向螺旋位错的转化行为.设计了围绕中心沿角向周期排列的多边位错相位结构,实验上通过计算全息图法研究了其对高斯光束的调制作用以及调制光束的传播特性.结果表明,随着调制光束逐渐演化为类涡旋光束,多边位错结构可以转化为螺旋位错,且位错结构的总相位变化守恒.结合光场的线动量密度图详细分析了该演化过程,并进一步讨论了多边位错结构中的相位突变值对螺旋位错转化的影响,给出了决定螺旋位错拓扑荷值的定量关系式. 展开更多
关键词 位错 螺旋位错 涡旋光束 拓扑荷
原文传递
The growth of the screw dislocation of nacreous layer on Pteria penguin 被引量:3
10
作者 QI LiJian HUANG YiLan +1 位作者 ZHOU ZuYi ZHOU ZhengYu 《Science China Earth Sciences》 SCIE EI CAS 2011年第7期951-958,共8页
In response to various environmental factors in offshore South China Sea,a group of microstructures of the screw dislocation are assembled in multiphase screw dislocations on the surface of the nacreous layer of Pteri... In response to various environmental factors in offshore South China Sea,a group of microstructures of the screw dislocation are assembled in multiphase screw dislocations on the surface of the nacreous layer of Pteria penguin from the coastal waters of Hainan Island,China.The results of the transmission and scanning electronic microscope testing show that organic matter periodically secreted by epithelial histology of mantle of Pteria penguin pre-forms the original screw dislocation growth tem-plate in the form of film,along with its function to select,identify,and adhere to the amorphous calcium carbonate particles as the fine organic venations diffused in the epitaxial screw growth area.With the inducement and screw modulation of the or-ganic film and venations,the amorphous calcium carbonate particles gradually evolve into the pseudohexagonal self.aragonite microsheet with long-range order and screw dislocation structure by location-selecting tropism and screw dislocation growth.Numerous micron-scale aragonite microsheets join in the cluster's interactive movement and screw dislocation self-assembly of the organic film,stacking forward along the axis C spirally and forming the nacreous layer with screw dislocation structure. 展开更多
关键词 Pteria penguin nacreous layer organic film aragonite micro sheet screw dislocation
原文传递
螺旋位错与弹性椭圆夹杂干涉问题的一般解答 被引量:2
11
作者 刘又文 宁志华 蒋持平 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期14-19,24,共7页
获得反平面一般荷载下 ,弹性椭圆夹杂问题的精确解 ,将复变函数的分区全纯函数理论 ,Cauchy型积分 ,应力函数的奇性主部分析 ,Rie-mann边值问题相结合 ,求得了各复势函数之间的解析关系 ,并将问题归结为一个初等复势函数方程的求解 .在... 获得反平面一般荷载下 ,弹性椭圆夹杂问题的精确解 ,将复变函数的分区全纯函数理论 ,Cauchy型积分 ,应力函数的奇性主部分析 ,Rie-mann边值问题相结合 ,求得了各复势函数之间的解析关系 ,并将问题归结为一个初等复势函数方程的求解 .在一般荷载下获得级数形式精确解 ;在若干特殊情形下获得封闭形式解 .求出了由夹杂引起的干涉能及位错干涉力的解析表达式 ,并绘出了干涉力的变化曲线 ,研究了位错力随位错方位的变化规律 .解答的特殊情形与已有若干文献结果一致 ,并纠正了其中的一个错误结果 . 展开更多
关键词 弹性椭圆夹杂 反平面问题 复变函数方法 螺旋位错 复合材料 材料力学 干涉能 干涉力
下载PDF
蓝宝石衬底上RF-MBE生长的GaN中的极性控制和螺旋位错的降低(英文) 被引量:1
12
作者 Kishino K, Kikuchi A (Sophia University 7-1, Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo, 102-8554, Japan) 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期319-323,共5页
近年来人们报道了用MBE方法生长GaN的飞速进展,利用RF-MBE方法可以获得高的GAN生长速率和高的电子迁移率。本文讨论了用RF-MBE方法在蓝宝石衬底上生长GaN过程中的极性控制和螺旋位错的降低。在充分氮化的蓝宝... 近年来人们报道了用MBE方法生长GaN的飞速进展,利用RF-MBE方法可以获得高的GAN生长速率和高的电子迁移率。本文讨论了用RF-MBE方法在蓝宝石衬底上生长GaN过程中的极性控制和螺旋位错的降低。在充分氮化的蓝宝石衬底上直接生长GaN,使GaN的极性控制为N-极性,并用高温生长的AlN核化层实现GaN的Ga-极性。对于N-和Ga-极性的GaN这两种情况,高温生长的AlN中间迭层的引入,可以有效地抑制螺旋位错的扩散。位错的降低使GaN的室温电子迁移率得到提高,对于Ga-极性的GaN,其值为332cm2/V·s;而对于 N-极性的 GaN,其值为 688cm2/V·s。 展开更多
关键词 GAN RF-MBE生长 极性控制 螺旋位错 蓝宝石 氮化镓 半导体材料
下载PDF
分子动力学仿真过程中硅晶体位错模型的构建 被引量:2
13
作者 郭晓光 张亮 +1 位作者 金洙吉 郭东明 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第17期2285-2289,共5页
基于位错形成机理,在单晶硅晶体结构基础上描述了硅晶体位错形成的过程。应用偶极子模型,构建了60°滑移位错芯和螺旋位错芯,进而得到硅晶体含有60°滑移位错的模型和含有螺旋位错的模型。对含有螺旋位错的硅晶体模型进行了分... 基于位错形成机理,在单晶硅晶体结构基础上描述了硅晶体位错形成的过程。应用偶极子模型,构建了60°滑移位错芯和螺旋位错芯,进而得到硅晶体含有60°滑移位错的模型和含有螺旋位错的模型。对含有螺旋位错的硅晶体模型进行了分子动力学仿真计算,分析了含有螺旋位错的硅晶体超精密磨削的加工过程,研究了含有螺旋位错缺陷的硅晶体纳米级磨削机理。 展开更多
关键词 分子动力学仿真 滑移位错 螺旋位错 硅晶体 纳米级磨削
下载PDF
半导体ZnTe/GaAs界面层错的高分辨显微分析
14
作者 韩培德 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第2期166-171,共6页
本项研究对经热壁外延(HWE)生长在GaAs基底上的ZnTe进行高分辨显微结构的观察。在ZnTe/GaAs界面上不仅存在着混合型全位错的扩展,而且首次发现类似螺旋位错分解的层错,并将其归结为原子在不全位错之后的堆积。
关键词 层错 螺旋位错 不全位错 异质结构 半导体材料
下载PDF
电化学法沉积氧化锌晶须 被引量:2
15
作者 芦鹏曾 李素 +1 位作者 贾金乾 梁镇海 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期93-96,共4页
应用阳极氧化法沉积氧化锌(ZnO)松针状晶须,SEM和XRD观察、表征样品形貌与结构.结果表明,电沉积氧化锌晶须直径为20~50 nm、长度200~300 nm、长径比10~15,纯度高,结晶度好,属六方晶系纤锌矿(JCPDS 36-1451).循环伏安法研究了该氧化... 应用阳极氧化法沉积氧化锌(ZnO)松针状晶须,SEM和XRD观察、表征样品形貌与结构.结果表明,电沉积氧化锌晶须直径为20~50 nm、长度200~300 nm、长径比10~15,纯度高,结晶度好,属六方晶系纤锌矿(JCPDS 36-1451).循环伏安法研究了该氧化锌结晶过程,并考察了电解液的锌酸盐[Zn(OH)4]2-浓度和基底表面氧化膜对晶须生成的影响. 展开更多
关键词 电化学 氧化锌 晶须 螺旋位错
下载PDF
氢气氛退火对硅上低温外延制备的硅锗薄膜性能的影响 被引量:2
16
作者 王锦 陶科 +2 位作者 李国峰 梁科 蔡宏琨 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期191-196,共6页
采用反应型热化学气相沉积系统在硅(100)衬底上外延生长富锗硅锗薄膜。四氟化锗作为锗源,乙硅烷作为还原性气体。通过设计表面反应,在低温条件下(350℃)制备了高质量的富锗硅锗薄膜。研究了氢退火对低温硅锗外延薄膜微结构和电学性能的... 采用反应型热化学气相沉积系统在硅(100)衬底上外延生长富锗硅锗薄膜。四氟化锗作为锗源,乙硅烷作为还原性气体。通过设计表面反应,在低温条件下(350℃)制备了高质量的富锗硅锗薄膜。研究了氢退火对低温硅锗外延薄膜微结构和电学性能的影响。结果发现退火温度高于700℃时,外延薄膜的表面形貌随着退火温度的升高迅速恶化。当退火温度为650℃时,获得了最佳的退火效果。在该退火条件下,外延薄膜的螺旋位错密度从3.7×106 cm^(-2)下降到4.3×105 cm^(-2),表面粗糙度从1.27 nm下降到1.18 nm,而外延薄膜的结晶质量也有效提高。霍尔效应测试表明,经退火处理的样品载流子迁移率明显提高。这些结果表明,经过氢退火处理后,反应型热化学气相沉积制备的低温硅锗外延薄膜可以获得与高温下硅锗外延薄膜相比拟的性能。 展开更多
关键词 硅锗薄膜 低温外延 氢退火 螺旋位错
下载PDF
无水硫酸镁对氧化镁水热产物的影响 被引量:1
17
作者 白丽梅 孙志雅 +1 位作者 祝洪武 马玉新 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第11期3595-3600,共6页
以轻烧菱镁矿获得的氧化镁为原料,在温度为160℃、搅拌速度为400 r/min的条件下反应,研究无水硫酸镁对氧化镁水热产物的影响。当MgO与MgSO_4的摩尔比为10∶1时,反应6 h的水热产物是纯度高、结晶度好的六方片状氢氧化镁;当MgO与MgSO_4的... 以轻烧菱镁矿获得的氧化镁为原料,在温度为160℃、搅拌速度为400 r/min的条件下反应,研究无水硫酸镁对氧化镁水热产物的影响。当MgO与MgSO_4的摩尔比为10∶1时,反应6 h的水热产物是纯度高、结晶度好的六方片状氢氧化镁;当MgO与MgSO_4的摩尔比为2.5∶1时,前3 h水热产物是六方片状氢氧化镁,随后出现碱式硫酸镁晶须并且其生成量越来越多;当MgO与MgSO_4的摩尔比为10∶7时,前50 min水热产物是六方片状氢氧化镁,然后出现碱式硫酸镁晶须,直至6 h全部生成直径约为300 nm、表面光滑的碱式硫酸镁晶须。在此过程中,小颗粒氢氧化镁出现溶解现象,形成碱式硫酸镁晶核,大颗粒氢氧化镁与溶液中的MgSO_4、H_2O生成大量MgSO_4·5Mg(OH)_2·3H_2O(153型碱式硫酸镁),在其生长方向上生长基元Mg-O_6进入由于螺旋位错形成的二维台阶的凹陷处促使其沿位错方向稳定生长为晶须。无水硫酸镁的浓度越大,生成碱式硫酸镁晶须越多,生成碱式硫酸镁晶须所用时间越短。 展开更多
关键词 氧化镁 水热 溶解结晶 螺旋位错
下载PDF
非均匀机-电场作用下压电材料的理论分析 被引量:1
18
作者 张亚芳 A.K.Soh 李昕 《武汉工业大学学报》 CSCD 2000年第6期51-54,共4页
利用复变函数的保角映射及罗纶级数展开法对在无穷远处受非均匀反平面剪应力场及非均匀平面电位移场作用下的内含螺旋位错和椭圆夹杂的压电材料作了理论分析 。
关键词 压电材料 螺旋位错 椭圆夹杂 非均匀机-电场 映射平面
原文传递
Effect of Screw-Dislocation on Electrical Properties of Spiral-Type Bi2Se3 Nanoplates
19
作者 Yu-kun Wu A-wei Zhuang +3 位作者 Chun-miao Ye Jie Zeng Nan Pan Xiao-ping Wang 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2016年第6期687-692,I0001,共7页
We systematically investigated the electrical nanoplates through field effect transistor and properties of spiral-type and smooth Bi2Se3 conductive atomic force microscopy (CAFM) measurement. It is observed that bot... We systematically investigated the electrical nanoplates through field effect transistor and properties of spiral-type and smooth Bi2Se3 conductive atomic force microscopy (CAFM) measurement. It is observed that both nanoplates possess high conductivity and show metallic-like behavior. Compared to the smooth nanoplate, the spiral-type one exhibits the higher carrier concentration and lower mobility. CAFM characterization reveals that the conductance at the screw-dislocation edge is even higher than that on the terrace, implying that the dislocation can supply excess carriers to compensate the low mobility and achieve high conductivity. The unique structure and electrical properties make the spiral-type Bi2 Se3 nanoplates a good candidate for catalysts and gas sensors. 展开更多
关键词 Bi2Se3 nanoplates Screw-dislocation Electrical properties Field effect tran-sistor Conductive atomic force microscopy
下载PDF
DKDP晶体的柱面形貌与缺陷分析
20
作者 郝秀红 常新安 +2 位作者 臧和贵 陈学安 田玉莲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期894-897,共4页
采用原子力显微镜观测全方位生长的DKDP晶体的{100}面形貌,发现有螺旋位错,由此推断DKDP晶体{100}面以螺旋位错机制生长;利用同步辐射X射线白光形貌术观测了DKDP晶体缺陷,探讨了不同生长条件及生长阶段对晶体完整性的影响。
关键词 DKDP晶体 螺旋位错 同步辐射白光形貌术
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部