期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
基于虚拟仪器的薄膜电阻率自动测量系统 被引量：3
1
作者 王一楠 江建军 别少伟 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1609-1612,共4页
薄膜样品相比半导体材料,电阻更小且材质脆弱,现有的四探针电阻率测量设备无法满足其测量要求。双电测组合法基于薄层原理,不需要尺寸修正,更适合应用于薄膜样品,且能适应小尺寸样品的测量。但是双电测组合法需要在测量过程中切换电路连... 薄膜样品相比半导体材料,电阻更小且材质脆弱,现有的四探针电阻率测量设备无法满足其测量要求。双电测组合法基于薄层原理,不需要尺寸修正,更适合应用于薄膜样品,且能适应小尺寸样品的测量。但是双电测组合法需要在测量过程中切换电路连接,且修正函数计算繁复。虚拟仪器技术将测量设备和计算机结合,编程完成测量过程和数据处理过程。本文介绍应用虚拟仪器技术实现双电测组合法自动化薄膜电阻率测量系统的过程,结合测量结果说明系统性能以及环境参数对测量结果的影响。 展开更多
关键词 薄膜电阻率 双电测组合法 虚拟仪器技术
下载PDF
基于溶胶凝胶法ITO薄膜材料的制备与表征 被引量：2
2
作者 宣鑫科 陶佰睿 张健 《齐齐哈尔大学学报（自然科学版）》 2010年第3期45-47,共3页
基于溶胶凝胶法制备了掺铟二氧化锡(ITO)薄膜,探讨聚乙二醇(PEG)、退火温度、退火过程氧气浓度等因素对ITO薄膜性能的影响。实验结果表明:在相同实验条件下,添加PEG能够降低ITO薄膜表面粗糙度,退火温度会改变ITO薄膜的结晶度,提高含锡... 基于溶胶凝胶法制备了掺铟二氧化锡(ITO)薄膜,探讨聚乙二醇(PEG)、退火温度、退火过程氧气浓度等因素对ITO薄膜性能的影响。实验结果表明:在相同实验条件下,添加PEG能够降低ITO薄膜表面粗糙度,退火温度会改变ITO薄膜的结晶度,提高含锡量和氧浓度会增加ITO薄膜的电阻率。本研究为ITO埋栅结构气敏传感器制备提供了实验基础。 展开更多
关键词 溶胶凝胶 二氧化锡薄膜 聚乙二醇 氧浓度 薄膜电阻率
下载PDF
磁控溅射法制备低电阻率Ta薄膜研究 被引量：1
3
作者 邵花 王文东 +1 位作者 刘训春 夏洋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期2625-2629,共5页
在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下,利用直流磁控溅射法在Si表面制备了Ta薄膜,系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的Ta薄膜电阻率、... 在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下,利用直流磁控溅射法在Si表面制备了Ta薄膜,系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的Ta薄膜电阻率、相结构及表面形貌进行表征。结果发现,随溅射气压升高,高阻β相出现,薄膜电阻率随之增大;在相同溅射气压下,随着溅射功率的增加,薄膜电阻率先降低后升高。优化溅射工艺后制得的Ta薄膜的电阻率低至29.7μΩ·cm。 展开更多
关键词 磁控溅射 TA 薄膜电阻率
下载PDF
基于虚拟仪器的薄膜电阻率测量系统设计 被引量：1
4
作者 潘海彬 丁建宁 +2 位作者 李伯全 罗开玉 王小飞 《江苏大学学报（自然科学版）》 EI CAS 北大核心 2010年第4期447-451,共5页
基于虚拟仪器技术及Rymaszewski四探针双电测组合法设计了薄膜电阻率自动化测量系统.在虚拟仪器软件LabVIEW和数字量输出模块NI 9401的控制下,利用基于CD4052芯片的接口电路实现电流探针、电压探针的自动切换,并通过LabVIEW程序控制Keit... 基于虚拟仪器技术及Rymaszewski四探针双电测组合法设计了薄膜电阻率自动化测量系统.在虚拟仪器软件LabVIEW和数字量输出模块NI 9401的控制下,利用基于CD4052芯片的接口电路实现电流探针、电压探针的自动切换,并通过LabVIEW程序控制Keithley 2400数字源表实现两次电压测量;同时根据两次电压测量结果由LabVIEW程序完成范德堡修正因子和方块电阻的计算;最终实现薄膜电阻率自动测量、记录和显示.试验结果表明,所设计的自动测量系统不仅可以满足多种薄膜电阻率测量要求,而且提高了测量精度和自动化程度,同时精简了薄膜电阻率测量过程. 展开更多
关键词 虚拟仪器 方块电阻 薄膜电阻率 四探针双电测组合法 范德堡修正因子
下载PDF
溅射功率对TaN薄膜电阻电性能的影响
5
作者 王飞 曹乾涛 《中国材料科技与设备》 2014年第3期1-3,共3页
本文利用直流反应磁控溅射技术，通过调节溅射功率于200℃、3％的氮分压条件在Al2O3基片上沉积了一系列TaN薄膜，并使用光刻工艺制备出相应的TaN薄膜电阻，研究了溅射功率对TaN薄膜电阻率、电阻温度系数（TCR）和功率容量的影响。实验... 本文利用直流反应磁控溅射技术，通过调节溅射功率于200℃、3％的氮分压条件在Al2O3基片上沉积了一系列TaN薄膜，并使用光刻工艺制备出相应的TaN薄膜电阻，研究了溅射功率对TaN薄膜电阻率、电阻温度系数（TCR）和功率容量的影响。实验结果表明：当溅射功率从200W增大到1000W，TaN薄膜电阻率逐渐减小，TCR绝对值从几百ppm／℃降为几十ppm／℃，功率容量呈现逐渐增大趋势。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 溅射功率 TaN薄膜电阻 薄膜电阻率 TCR 功率容量
下载PDF
基于铜铝氧化物的透红外导电薄膜
6
作者 陶飞 孙维国 +4 位作者 张亮 王理文 张磊 朱旭波 司俊杰 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第5期270-273,299,共5页
研究了一种新型透红外的导电薄膜铜铝氧化物(CuAlxOy),选用高纯度铜、铝靶材,利用磁控溅射台在蓝宝石衬底上生长CuAlxOy薄膜。研究了氧气流量、薄膜厚度、预溅射铜层时间(铜层厚度)等重要条件对薄膜性能的影响。实验发现,通过微调溅射... 研究了一种新型透红外的导电薄膜铜铝氧化物(CuAlxOy),选用高纯度铜、铝靶材,利用磁控溅射台在蓝宝石衬底上生长CuAlxOy薄膜。研究了氧气流量、薄膜厚度、预溅射铜层时间(铜层厚度)等重要条件对薄膜性能的影响。实验发现,通过微调溅射参数、合理控制预溅射铜层过程可以获得低电阻率和高透过率的铜铝氧化物薄膜。得到最好的CuAlxOy薄膜(厚度为1765)在波长2.6μm处红外透过率达到了最大值62.5%,红外波段(波数8000～2000 cm-1)的平均透过率达到53%,方块电阻为358.9/sq,电阻率为6.33×10-3.cm。 展开更多
关键词 铜铝氧化物 导电薄膜 红外透过率 薄膜电阻率 磁控溅射
下载PDF
锰位掺杂La0.7Ba0.3Mn0.95X0.05O3(X=Mn,Cr,Fe,Co)薄膜光诱导特性研究
7
作者 贾锡文 陈长乐 +2 位作者 金克新 王建元 马强 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1952-1955,共4页
用固相反应法制备La0.7Ba0.3Mn0.95X0.05O3(X=Mn,Cr,Fe,Co)系列块材,并利用磁控溅射法在LaAlO3单晶衬底上制备薄膜,研究过渡金属元素(Cr,Fe和Co)锰位掺杂对La0.7Ba0.3MnO3(LBMO)薄膜光诱导特性的影响。研究表明,Cr,Fe和Co掺杂均导致薄... 用固相反应法制备La0.7Ba0.3Mn0.95X0.05O3(X=Mn,Cr,Fe,Co)系列块材,并利用磁控溅射法在LaAlO3单晶衬底上制备薄膜,研究过渡金属元素(Cr,Fe和Co)锰位掺杂对La0.7Ba0.3MnO3(LBMO)薄膜光诱导特性的影响。研究表明,Cr,Fe和Co掺杂均导致薄膜的金属-绝缘转变温度(TP)降低,电阻率和光致电阻率相对变化的最大值(LRmax)增大。其中Fe离子对体系影响最大,Co离子次之,Cr离子影响最小。激光诱导在不同温区对薄膜电阻率的影响不同,在低温(T<TP)区表现为光致电阻率增大,在高温区(T>TP)表现为光致电阻率减小。从过渡金属Cr,Fe和Co离子自身电子结构和晶格效应的角度出发,讨论了样品输运行为和光诱导特性的内在机理。 展开更多
关键词 锰位掺杂 薄膜电阻率 光诱导特性 特性研究 离子影响 过渡金属元素 光致 磁控溅射法 转变温度 相对变化 高温区 输运行为 内在机理 晶格效应 激光诱导 固相反应 电子结构 最大值 离子对 制备
原文传递
把“四探针测量金属薄膜电阻率”引入普通物理实验 被引量：25
8
作者 邱宏 吴平 +3 位作者 王凤平 潘礼庆 黄筱玲 田跃 《大学物理》 北大核心 2004年第5期59-61,65,共4页
四探针测量金属薄膜电阻率是当今微电子技术领域中常用的方法.本文介绍了如何把"四探针测量金属薄膜电阻率"的实验引入到普通物理实验教学中,以及在实验内容的编排上如何培养学生发现问题和解决问题的能力等方面的具体做法.
关键词 四探针 金属薄膜电阻率 普通物理实验
下载PDF
镍-磷(Ni-P)电阻器的电阻变化的定量分析
9
作者 蔡积庆（编译） 《印制电路信息》 2010年第1期32-36,共5页
在PCB上镀复形成电阻器的电阻性镍-磷(Ni-P)合金可以制造嵌入电阻器。这样沉积的Ni-P合金电阻器具有不良的电阻公差,要求采用旨在满足规格的昂贵的激光修整进行调节。如果无须激光调整即可降低公差,则可降低电阻器成本。本文中,变化影... 在PCB上镀复形成电阻器的电阻性镍-磷(Ni-P)合金可以制造嵌入电阻器。这样沉积的Ni-P合金电阻器具有不良的电阻公差,要求采用旨在满足规格的昂贵的激光修整进行调节。如果无须激光调整即可降低公差,则可降低电阻器成本。本文中,变化影响图形精度、镀层和薄膜电阻率的一组参数,以评价它们对化学镀Ni-P电阻器的电阻公差的影响。还表征了基材对薄膜电阻率变化的影响。还讨论了无须激光调整可以获得低公差的Ni-P电阻器的设计指南。 展开更多
关键词 嵌入电阻器 化学镀Ni—P合金 电阻公差 薄膜电阻率公差 表面粗糙度 激光调整
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部