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薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析
1
作者 张世林 李建恒 +2 位作者 郭维廉 齐海涛 梁惠来 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期109-113,共5页
采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大减少了器件数目．讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负阻特性及其物理机制．器件负阻特... 采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大减少了器件数目．讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负阻特性及其物理机制．器件负阻特性的产生与其结构密切相关,包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应．推出了物理公式,并且使用PSPICE模拟软件建立了电路模型．模拟结果符合制作器件的测量结果． 展开更多
关键词 异质结晶体管 负阻特性 薄基区 电路模拟
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全离子注入薄基区硅晶体管的研究
2
作者 杨茹 李国辉 +5 位作者 姬成周 田晓娜 韩德俊 于理科 任永玲 马本堃 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期15-17,共3页
针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出.采用全离子注入,实现了基区宽度为80～100 nm的npn纵向结构.基极用电压输入,Vbe在1.2 V附近时,跨导峰值gmac(△Ic/△Vbe)=0.4 mS,βac(△Ic/△Ib)=2.5.当... 针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出.采用全离子注入,实现了基区宽度为80～100 nm的npn纵向结构.基极用电压输入,Vbe在1.2 V附近时,跨导峰值gmac(△Ic/△Vbe)=0.4 mS,βac(△Ic/△Ib)=2.5.当Vbe从0.5 V变到1.2 V时,gmac/gm比βac/β大得多.跨导比电流增益更能准确地描述器件特性.这种器件更倾向于电压控制型器件,用输入电压的变化可以很方便地控制器件开关状态的转换,特别适合于数字电路的开发和应用.采用研制的器件连接了双稳态电路,在电压脉冲的控制下实现了双稳态的翻转. 展开更多
关键词 单基板 薄基区 全离子注入 硅晶体管
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一种单基极引出结构的硅晶体管
3
作者 杨茹 李国辉 +3 位作者 姬成周 田晓娜 韩德俊 马本堃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期345-348,共4页
为研究单基极薄基区晶体管的特性 ,设计了一种单侧基极引出结构薄基区的晶体管 ,在p型SOI衬底上全离子注入实现了基区宽度为 80nm的npn纵向结构 ,基区的平均浓度为 10 18cm-3 .经过版图设计和工艺流片 ,在2 μm实验工艺线上研制了这种器... 为研究单基极薄基区晶体管的特性 ,设计了一种单侧基极引出结构薄基区的晶体管 ,在p型SOI衬底上全离子注入实现了基区宽度为 80nm的npn纵向结构 ,基区的平均浓度为 10 18cm-3 .经过版图设计和工艺流片 ,在2 μm实验工艺线上研制了这种器件 .基极采用电压输入 ,Vbe在 1 1V附近 ,跨导和电流增益都达到峰值 ,小信号电流增益 βac(ΔIc/ΔIb) =2 7,小信号跨导 gmac(ΔIc/ΔVbe) =0 4 5mS ,且 gmac/ gm(Ic/Vbe)比 βac/ β(Ic/Ib)大得多 ,跨导比电流增益更能准确地描述器件特性 ,这种器件更倾向于电压控制型器件 ,特别适用于数字电路的开发和应用 . 展开更多
关键词 单基极 薄基区 全离子注入
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负阻异质结晶体管的模拟与实验
4
作者 李建恒 张世林 +3 位作者 郭维廉 齐海涛 梁惠来 毛陆虹 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期2416-2421,共6页
采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管.在恒压恒流条件下均观察到了负阻特性并对其物理机制进行了讨论.推导出集电极电流IC与VCE的关系表达式,讨论了负阻与器件结构和参数的关系.使用PSP... 采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管.在恒压恒流条件下均观察到了负阻特性并对其物理机制进行了讨论.推导出集电极电流IC与VCE的关系表达式,讨论了负阻与器件结构和参数的关系.使用PSPICE模拟软件建立电路网表模型,代入推导出的ICVCE公式进行模拟,模拟结果与器件的测量结果十分接近. 展开更多
关键词 异质结晶体管 负阻特性 薄基区 电路模拟
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