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TDDB击穿特性评估薄介质层质量 被引量：8
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作者 胡恒升 张敏 林立谨 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期80-83,74,共5页
与时间相关电介质击穿 (TDDB)测量是评估厚度小于 2 0nm薄栅介质层质量的重要方法 .氧化层击穿前 ,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态 ,当陷阱密度超过临界平均值 ρbd时 ,发生击穿 .击穿电量Qbd值表征了介质层的质... 与时间相关电介质击穿 (TDDB)测量是评估厚度小于 2 0nm薄栅介质层质量的重要方法 .氧化层击穿前 ,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态 ,当陷阱密度超过临界平均值 ρbd时 ,发生击穿 .击穿电量Qbd值表征了介质层的质量 .Qbd值及其失效统计分布与测试电流密度、电场强度、温度及氧化层面积等有定量关系 .TDDB的早期失效分布可以反映工艺引入的缺陷 .TDDB可以直接评估氧化、氮化、清洗、刻蚀等工艺对厚度小于 10nm的栅介质质量的影响 .它是硅片级评估可靠性和预测EEPROM擦写次数的重要方法 . 展开更多
关键词 薄介质层 VLSI 集成电路 TDDB 击穿特性
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