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N型GaP单晶范德堡测试法的最佳条件
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作者 臧永丽 《聊城师院学报（自然科学版）》 1998年第4期45-47,共3页
介绍了测试Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡＳ等单晶材料性能参数的一种方法—Ｖａｎｄｅｐａｕｗ法，通过实验和分析，得到了测试过程中电极的制作和测试的最佳条件．
关键词 迁移率 电阻率 欧姆接触 半导体 N型 磷化镓 单晶 范德堡测试法
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