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温和的苯热溶剂条件下GaP纳米棒的形成机理研究
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作者 方鲲 高善民 +3 位作者 姜玮 张江 曹传宝 朱鹤孙 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期3488-3492,共5页
采用金属Na,白磷和GaCl3为原料,在温和的苯热溶剂条件下制备了直径为20—40nm,长度为200—500nm的GaP纳米棒和直径为20—40nm的球形颗粒.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了反应条件对产物结晶性和... 采用金属Na,白磷和GaCl3为原料,在温和的苯热溶剂条件下制备了直径为20—40nm,长度为200—500nm的GaP纳米棒和直径为20—40nm的球形颗粒.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了反应条件对产物结晶性和形貌的影响.实验结果表明,当反应温度低于250℃时,产物基本上为GaP纳米棒,并随着反应温度升高,产物逐渐转化为球形纳米颗粒;当反应温度超过280℃时,产物完全为规则的球形.同时,GaP纳米棒的生长遵循SLS生长机理. 展开更多
关键词 纳米GaP SLS生长机理
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