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多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制
被引量：
1
1
作者
唐继英
刘玉岭
+1 位作者
王辰伟
洪姣
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第8期553-557,564,共6页
有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐蚀抑制提出了一种新的碱性清洗剂。该清洗剂主要由FA/O螯合剂和FA/O表面活性剂组成。FA/O螯合剂对于去除...
有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐蚀抑制提出了一种新的碱性清洗剂。该清洗剂主要由FA/O螯合剂和FA/O表面活性剂组成。FA/O螯合剂对于去除BTA起主要作用,FA/O表面活性剂不仅能抑制腐蚀而且促进了BTA的去除。通过接触角测量、扫描电镜(SEM)、金相显微镜、静态腐蚀速率(SER)等实验及线上测试研究了该清洗剂的性能,结果表明清洗剂能有效去除BTA且在抑制铜表面腐蚀方面效果明显,有效解决了极大规模集成电路(GLSI)多层铜布线CMP后清洗中的多项技术难题。
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关键词
化学机械抛光(CMP)后清洗
苯
并
三
氮
唑
(
bta
)
去除
铜腐蚀
螯合剂
表面活性剂
下载PDF
职称材料
题名
多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制
被引量：
1
1
作者
唐继英
刘玉岭
王辰伟
洪姣
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
天津冶金职业技术学院
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第8期553-557,564,共6页
基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)
国家自然科学基金资助项目(61504037)
+3 种基金
河北省教育厅资助科研项目(QN2014208)
河北省自然科学基金资助项目(E2013202247)
河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267)
河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
文摘
有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐蚀抑制提出了一种新的碱性清洗剂。该清洗剂主要由FA/O螯合剂和FA/O表面活性剂组成。FA/O螯合剂对于去除BTA起主要作用,FA/O表面活性剂不仅能抑制腐蚀而且促进了BTA的去除。通过接触角测量、扫描电镜(SEM)、金相显微镜、静态腐蚀速率(SER)等实验及线上测试研究了该清洗剂的性能,结果表明清洗剂能有效去除BTA且在抑制铜表面腐蚀方面效果明显,有效解决了极大规模集成电路(GLSI)多层铜布线CMP后清洗中的多项技术难题。
关键词
化学机械抛光(CMP)后清洗
苯
并
三
氮
唑
(
bta
)
去除
铜腐蚀
螯合剂
表面活性剂
Keywords
post-chemical mechanical polishing（CMP）cleaning
benzotriazole（
bta
）removal
copper corrosion
chelating agent
surfactant
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制
唐继英
刘玉岭
王辰伟
洪姣
《微纳电子技术》
北大核心
2017
1
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