功率半导体器件以其优越的电特性在许多领域取代了传统的双极型晶体管。功率半导体器件导通电阻由于受击穿电压限制而存在一个极限即硅限而无法再降低。"超级结理论"的应用,使导通电阻相对于传统技术降低了80%~90%,打破了硅限...功率半导体器件以其优越的电特性在许多领域取代了传统的双极型晶体管。功率半导体器件导通电阻由于受击穿电压限制而存在一个极限即硅限而无法再降低。"超级结理论"的应用,使导通电阻相对于传统技术降低了80%~90%,打破了硅限,提高了开关速度。通过对腔体压力、温度、RF功率、气体流量、硅片图形密度和刻蚀面积等各种工艺参数的实验,研究其对深沟槽超级结(Deep Trench Super Junction)高压器件干法刻蚀工艺的影响与作用,实现单步干法刻蚀就在硅衬底上形成深沟槽。展开更多
近日,IBM在京都举行的VLSI Technology and Circuits研讨会上宣布,IBM与其研究联盟合作伙伴Global Foundries以及三星公司为新型的芯片制造了5纳米（nm）大小的晶体管。为了实现这个壮举,就必须在现有的芯片内部构架上进行改变。研究团...近日,IBM在京都举行的VLSI Technology and Circuits研讨会上宣布,IBM与其研究联盟合作伙伴Global Foundries以及三星公司为新型的芯片制造了5纳米（nm）大小的晶体管。为了实现这个壮举,就必须在现有的芯片内部构架上进行改变。研究团队将硅纳米层进行水平堆叠,而非传统的硅半导体行业的垂直堆叠构架,这使得5nm晶体管的工艺有了实现可能,而这一工艺将有可能引爆未来芯片性能的进一步高速发展。展开更多
文摘功率半导体器件以其优越的电特性在许多领域取代了传统的双极型晶体管。功率半导体器件导通电阻由于受击穿电压限制而存在一个极限即硅限而无法再降低。"超级结理论"的应用,使导通电阻相对于传统技术降低了80%~90%,打破了硅限,提高了开关速度。通过对腔体压力、温度、RF功率、气体流量、硅片图形密度和刻蚀面积等各种工艺参数的实验,研究其对深沟槽超级结(Deep Trench Super Junction)高压器件干法刻蚀工艺的影响与作用,实现单步干法刻蚀就在硅衬底上形成深沟槽。
文摘近日,IBM在京都举行的VLSI Technology and Circuits研讨会上宣布,IBM与其研究联盟合作伙伴Global Foundries以及三星公司为新型的芯片制造了5纳米（nm）大小的晶体管。为了实现这个壮举,就必须在现有的芯片内部构架上进行改变。研究团队将硅纳米层进行水平堆叠,而非传统的硅半导体行业的垂直堆叠构架,这使得5nm晶体管的工艺有了实现可能,而这一工艺将有可能引爆未来芯片性能的进一步高速发展。
