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顶发射白光OLED器件制备及其色坐标漂移机制研究（英文）
被引量：
2
1
作者
王光华
赵惠琼
+8 位作者
邓荣斌
段瑜
孙浩
张筱丹
周琴
钱金梅
万锐敏
季华夏
姬荣斌
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期3758-3763,共6页
采用了高反射率金属Al和电化学性能稳定的金属Mo,在硅基底上制备了多层结构的Al/Mo/MoO_3阳极,并研究了不同MoO_3厚度下多层阳极的反射率。在此基础上,通过发光层共掺杂制备了顶部发光OLED器件,并对器件发光机制进行了系统研究和分析。...
采用了高反射率金属Al和电化学性能稳定的金属Mo,在硅基底上制备了多层结构的Al/Mo/MoO_3阳极,并研究了不同MoO_3厚度下多层阳极的反射率。在此基础上,通过发光层共掺杂制备了顶部发光OLED器件,并对器件发光机制进行了系统研究和分析。实验结果表明:采用发光层共掺杂制备的顶部发光OLED器件的色坐标,随电流密度或电压的增加而发生漂移;OLED器件色坐标漂移的原因是三基色发光强度随电流密度的增加,逐渐偏离了形成白光(0.33,0.33)所需三基色强度比例值,导致了OLED器件的色坐标发生了漂移,其机制是发光层中主-客之间能量转移和陷阱共同作用的结果。进一步研究发现,在不同电压下,红光发光强度随驱动电压(或电流密度)增大而线性地减小。
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关键词
有机电致发光器件
色
坐标
漂移
能量转移
陷阱
下载PDF
职称材料
烧结温度对硼硅基质荧光玻璃发光性能影响
被引量：
1
2
作者
李杨
胡丽丽
+2 位作者
杨波波
石明明
邹军
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期257-262,共6页
采用共烧结法制备了硼硅基质Ce:YAG荧光玻璃,研究了烧结温度在600℃~900℃范围内,Ce:YAG荧光玻璃的发光强度变化和色坐标漂移规律。结果表明,随着烧结温度的升高,Ce:YAG荧光玻璃发光强度先增强后减弱,700℃烧结时,荧光玻璃获得最大发光...
采用共烧结法制备了硼硅基质Ce:YAG荧光玻璃,研究了烧结温度在600℃~900℃范围内,Ce:YAG荧光玻璃的发光强度变化和色坐标漂移规律。结果表明,随着烧结温度的升高,Ce:YAG荧光玻璃发光强度先增强后减弱,700℃烧结时,荧光玻璃获得最大发光强度;超过850℃烧结时,荧光玻璃无发光性能;同时,色坐标(x,y)发生漂移,且比相同烧结温度的荧光粉漂移幅度大。通过X射线粉末衍射仪、差示扫描量热分析仪和X射线光电子能谱分析仪测试分析表明:随着烧结温度升高,荧光粉中的Ce^(3+)被玻璃基质氧化成Ce^(4+),玻璃液体腐蚀破坏了荧光粉YAG晶体结构,降低了荧光玻璃的发光强度,从而导致色坐标劣化漂移。
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关键词
Ce:YAG荧光玻璃
发光强度
色
坐标
漂移
烧结温度
下载PDF
职称材料
题名
顶发射白光OLED器件制备及其色坐标漂移机制研究（英文）
被引量：
2
1
作者
王光华
赵惠琼
邓荣斌
段瑜
孙浩
张筱丹
周琴
钱金梅
万锐敏
季华夏
姬荣斌
机构
云南北方奥雷德光电科技股份有限公司
昆明物理研究所
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第11期3758-3763,共6页
基金
The National Natural Science Foundation of China(61604064)
The General Program of Applied Basic Research(2016FB112)of Yunnan
文摘
采用了高反射率金属Al和电化学性能稳定的金属Mo,在硅基底上制备了多层结构的Al/Mo/MoO_3阳极,并研究了不同MoO_3厚度下多层阳极的反射率。在此基础上,通过发光层共掺杂制备了顶部发光OLED器件,并对器件发光机制进行了系统研究和分析。实验结果表明:采用发光层共掺杂制备的顶部发光OLED器件的色坐标,随电流密度或电压的增加而发生漂移;OLED器件色坐标漂移的原因是三基色发光强度随电流密度的增加,逐渐偏离了形成白光(0.33,0.33)所需三基色强度比例值,导致了OLED器件的色坐标发生了漂移,其机制是发光层中主-客之间能量转移和陷阱共同作用的结果。进一步研究发现,在不同电压下,红光发光强度随驱动电压(或电流密度)增大而线性地减小。
关键词
有机电致发光器件
色
坐标
漂移
能量转移
陷阱
Keywords
White organic light-emitting diode
Color-shift
Energy transfer
Carrier trapping
分类号
O461.2 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
烧结温度对硼硅基质荧光玻璃发光性能影响
被引量：
1
2
作者
李杨
胡丽丽
杨波波
石明明
邹军
机构
中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光单元技术研发中心
中国科学院大学
上海应用技术大学材料科学与工程学院
上海应用技术大学理学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期257-262,共6页
基金
国家自然基金青年基金(51302171)
上海市科委学科能力建设项目(14500503300)
上海联盟计划项目(LM201547)~~
文摘
采用共烧结法制备了硼硅基质Ce:YAG荧光玻璃,研究了烧结温度在600℃~900℃范围内,Ce:YAG荧光玻璃的发光强度变化和色坐标漂移规律。结果表明,随着烧结温度的升高,Ce:YAG荧光玻璃发光强度先增强后减弱,700℃烧结时,荧光玻璃获得最大发光强度;超过850℃烧结时,荧光玻璃无发光性能;同时,色坐标(x,y)发生漂移,且比相同烧结温度的荧光粉漂移幅度大。通过X射线粉末衍射仪、差示扫描量热分析仪和X射线光电子能谱分析仪测试分析表明:随着烧结温度升高,荧光粉中的Ce^(3+)被玻璃基质氧化成Ce^(4+),玻璃液体腐蚀破坏了荧光粉YAG晶体结构,降低了荧光玻璃的发光强度,从而导致色坐标劣化漂移。
关键词
Ce:YAG荧光玻璃
发光强度
色
坐标
漂移
烧结温度
Keywords
Ce： YAG color conversion glass
luminescence intensity
CIE coordinates shift, sintering temperature
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
顶发射白光OLED器件制备及其色坐标漂移机制研究（英文）
王光华
赵惠琼
邓荣斌
段瑜
孙浩
张筱丹
周琴
钱金梅
万锐敏
季华夏
姬荣斌
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
下载PDF
职称材料
2
烧结温度对硼硅基质荧光玻璃发光性能影响
李杨
胡丽丽
杨波波
石明明
邹军
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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