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题名基于ITO电极下氧化铪基阻变存储器的性能研究
被引量：3
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作者
何品
叶葱
邓腾飞
吴加吉
张骏驰
王浩
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机构
湖北大学物理与电子科学学院
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出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期236-242,共7页
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基金
国家自然科学基金项目(61474039)
湖北省自然科学基金杰出青年基金项目(2015 CFA052)资助
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文摘
采用磁控溅射和光刻技术制备了1μm×1μm的Ti N/Hf O2/ITO(氧化铟锡)3层结构的器件,通过控制改变正负细丝形成(forming)电压的操作方式来研究其阻变性能。研究结果表明,在上述的两种操作模式下,当保持操作端不变时导电细丝的形成与断裂均发生在ITO端操作,且从电流-电压(I-V)循环曲线中均发现了器件具有自限流特性。同时,文中比较了氧化铟锡(ITO)和铂(Pt)两种电极下,存储器单元阻变性能的差别。结合电流-电压循环曲线的拟合机制,推断出自限流特性来源于氧化铟锡(ITO)电极与氧化铪基阻变层之间形成的界面层。进一步设计了基于氧化铟锡(ITO)电极下的氧化硅/氧化铪双层结构阻变层的器件,发现该器件仍具有自限流效应。而且,氧化硅层同样起到了降低操作电流的作用,故使得器件的功耗大幅度降低至16μW。
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关键词
阻变存储器
自限流特性
操作电流
ITO电极
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Keywords
resistive random access memory（RRAM）
self-compliance current phenomenon
switching current
indium tin oxide（ITO） electrode
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分类号
TG132.2
[一般工业技术—材料科学与工程]
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