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一种自适应线性化偏置的单片集成功率放大器 被引量：3
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作者 陈良月 俞汉扬 +3 位作者 李昕 杨涛 武文娟 高怀 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期141-145,共5页
提出一种自适应线性化偏置的电路结构,通过调节控制电压改变偏置管的工作状态,提高功率放大电路的线性度,降低偏置电流对参考电压和环境温度的敏感度。利用双反馈环结构抑制输入阻抗随频率的变化,实现了宽带匹配,拓展了放大器的带宽。... 提出一种自适应线性化偏置的电路结构,通过调节控制电压改变偏置管的工作状态,提高功率放大电路的线性度,降低偏置电流对参考电压和环境温度的敏感度。利用双反馈环结构抑制输入阻抗随频率的变化,实现了宽带匹配,拓展了放大器的带宽。采用微波电路仿真软件AWR进行仿真,验证了带宽范围内的相位偏离度在2°以内。基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计了集成电路版图并成功流片。测试结果表明:在3.5V电压供电下,该放大器在1～2.5GHz频带范围内,输入反射系数均在-10dB以下,功率增益为23dB,输出功率大于30dBm,误差向量幅度在2.412GHz时为2.7%@24dBm,最大功率附加效率达40%。 展开更多
关键词 宽带功率放大器 双反馈环 自适应线性化偏置 异质结双极晶体管
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5~6GHz自适应线性化偏置的InGaP/GaAs HBT功率放大器 被引量：8
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作者 堵沈琪 陈亮 +2 位作者 李丹 钱峰 杨磊 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第3期59-64,70,共7页
针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5~6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器芯片。针对HBT晶体管自热效应产生的非线性和电流不稳定现象,采用自适应线性化偏置技术,有效地解决了上述... 针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5~6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器芯片。针对HBT晶体管自热效应产生的非线性和电流不稳定现象,采用自适应线性化偏置技术,有效地解决了上述问题。针对射频系统的功耗问题,设计了改进的射频功率检测电路,以实现射频系统的自动增益控制,降低功耗。通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术实现该功率放大器芯片。仿真结果表明,功放芯片的小信号增益达到32 dB;1 dB压缩点功率为28.5 dBm@5.5 GHz,功率附加效率PAE超过32%@5.5 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-32 dBc。 展开更多
关键词 镓化合物 异质结晶体管 功率放大器 自适应线性化偏置电路 反馈电路 射频功率检测电路
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