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磁存储器环形带切口结构自由层磁化反转的微磁模拟 被引量:2
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作者 郝建红 高辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期418-425,共8页
针对基于磁性隧道结的赝自旋阀磁随机存储器,使用带斜面切口环形结构自由层,抛弃采用厚度改变矫顽力的方式,降低了磁性隧道结的面积电阻,改进了垂直电流磁随机存储器.通过集成工艺中淀积的二次效应生成磁环的切口,利用微磁学方法计算分... 针对基于磁性隧道结的赝自旋阀磁随机存储器,使用带斜面切口环形结构自由层,抛弃采用厚度改变矫顽力的方式,降低了磁性隧道结的面积电阻,改进了垂直电流磁随机存储器.通过集成工艺中淀积的二次效应生成磁环的切口,利用微磁学方法计算分析了自由层的磁化反转特性,结果表明该模型具有低串扰、低面积电阻、高磁阻率以及较强的抗干扰性能. 展开更多
关键词 自由结构 磁化翻转 微磁 VMRAM
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自由阻尼层结构阻尼材料配置优化的拓扑敏度法 被引量:21
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作者 杨德庆 柳拥军 《振动工程学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第4期420-425,共6页
提出阻尼胞单元和阻尼拓扑敏度等概念 ,建立了基于阻尼拓扑敏度综合评价的阻尼材料拓扑优化准则 ,并用于自由阻尼层结构振动控制中阻尼材料的配置优化。建立待控结构阻尼材料布局的拓扑基结构 ,计算各单元的阻尼拓扑敏度。再建立考虑重... 提出阻尼胞单元和阻尼拓扑敏度等概念 ,建立了基于阻尼拓扑敏度综合评价的阻尼材料拓扑优化准则 ,并用于自由阻尼层结构振动控制中阻尼材料的配置优化。建立待控结构阻尼材料布局的拓扑基结构 ,计算各单元的阻尼拓扑敏度。再建立考虑重量目标及结构频响峰值约束的阻尼材料配置拓扑优化模型。根据所提出的阻尼材料拓扑优化准则 ,求解上述配置优化问题 ,确定阈值和各单元拓扑值。并用若干典型结构算例 ,验证所提出方法的正确性 。 展开更多
关键词 自由阻尼结构 阻尼材料 拓扑敏度法 减振技术 拓扑优化 振动控制
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阻尼材料中气泡的存在对结构阻尼性能的影响 被引量:6
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作者 赵培仲 朱金华 花兴艳 《振动.测试与诊断》 EI CSCD 2005年第2期138-139,157,共3页
为了研究粘弹性阻尼结构的阻尼层中的气泡对结构阻尼性能的影响,制备了两种自由阻尼层结构,其中一个阻尼层中含有较多的气泡,而另一个则基本没有气泡。对两种结构进行试验模态分析,研究比较了两种结构的阻尼比,同时还比较了两结构对应... 为了研究粘弹性阻尼结构的阻尼层中的气泡对结构阻尼性能的影响,制备了两种自由阻尼层结构,其中一个阻尼层中含有较多的气泡,而另一个则基本没有气泡。对两种结构进行试验模态分析,研究比较了两种结构的阻尼比,同时还比较了两结构对应点的加速度导纳曲线和相同激励下的线性谱曲线。研究结果表明,阻尼材料中气泡的存在将会降低结构的阻尼性能。 展开更多
关键词 阻尼材料 气泡 自由阻尼结构 阻尼性能
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阻尼层敷设方式对结构性能的影响 被引量:3
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作者 赵培仲 花兴艳 +1 位作者 朱金华 王源升 《噪声与振动控制》 CSCD 北大核心 2006年第2期14-15,19,共3页
采用两种弹性模量不同的高分子材料,设计了四种自由阻尼层结构。基体钢板材质相同,阻尼层的总厚度相同。阻尼层分别采用单层同一材料和两层不同材料的形式。研究了结构的阻尼性能,发现采取分层阻尼层结构,并且将弹性模量大的材料敷设在... 采用两种弹性模量不同的高分子材料,设计了四种自由阻尼层结构。基体钢板材质相同,阻尼层的总厚度相同。阻尼层分别采用单层同一材料和两层不同材料的形式。研究了结构的阻尼性能,发现采取分层阻尼层结构,并且将弹性模量大的材料敷设在外层时结构阻尼性能最好,依据高分子材料阻尼产生的机理,对此做了分析。研究了结构的固有频率,发现分层敷设结构的固有频率不因阻尼材料敷设顺序的改变而改变。 展开更多
关键词 振动与波 阻尼 固有频率 自由阻尼结构 高分子材料
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