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氢气气氛中后续退火处理对ZnO:Al薄膜光电性能的影响
1
作者
甘柳忠
吴炳俊
+2 位作者
黄烽
李明
谢斌
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期699-705,共7页
利用自由基辅助磁控溅射法在载玻片衬底上制备了透明导电ZnO:Al薄膜(简称AZO薄膜).研究了氢气气氛中后续退火处理对Al掺杂效率以及AZO薄膜性能的影响.研究结果表明,退火处理提高Al的掺杂效率、降低中性杂质浓度,从而提高了AZO薄膜的导...
利用自由基辅助磁控溅射法在载玻片衬底上制备了透明导电ZnO:Al薄膜(简称AZO薄膜).研究了氢气气氛中后续退火处理对Al掺杂效率以及AZO薄膜性能的影响.研究结果表明,退火处理提高Al的掺杂效率、降低中性杂质浓度,从而提高了AZO薄膜的导电性能.AZO薄膜550℃下在H2气氛中退火处理后,其电阻率为6.5×10-4Ω·cm,550nm波长的透射率为85.7%,载流子浓度为3.3×1020cm-3,迁移率为29.7cm2·V-1·s-1.
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关键词
AZO薄膜
自由基
辅助
磁控溅射
中性杂质散射
掺杂效率
后退火处理
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职称材料
题名
氢气气氛中后续退火处理对ZnO:Al薄膜光电性能的影响
1
作者
甘柳忠
吴炳俊
黄烽
李明
谢斌
机构
中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第7期699-705,共7页
基金
国家自然科学基金(50772109)资助
文摘
利用自由基辅助磁控溅射法在载玻片衬底上制备了透明导电ZnO:Al薄膜(简称AZO薄膜).研究了氢气气氛中后续退火处理对Al掺杂效率以及AZO薄膜性能的影响.研究结果表明,退火处理提高Al的掺杂效率、降低中性杂质浓度,从而提高了AZO薄膜的导电性能.AZO薄膜550℃下在H2气氛中退火处理后,其电阻率为6.5×10-4Ω·cm,550nm波长的透射率为85.7%,载流子浓度为3.3×1020cm-3,迁移率为29.7cm2·V-1·s-1.
关键词
AZO薄膜
自由基
辅助
磁控溅射
中性杂质散射
掺杂效率
后退火处理
Keywords
AZO films
radical assisted magnetron sputtering
neutral impurity scattering
doping efficiency
post-annealing treatment
分类号
O472 [理学—半导体物理]
O484 [理学—物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
氢气气氛中后续退火处理对ZnO:Al薄膜光电性能的影响
甘柳忠
吴炳俊
黄烽
李明
谢斌
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010
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职称材料
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