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硅锗酞菁聚合物的电子结构 被引量:3
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作者 黄元河 孙晓丽 +1 位作者 李玉学 刘若庄 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期880-883,共4页
在自洽场晶体轨道法全略微分重叠(SCF CNDO/2-CO)水平上对氧桥和硫桥一维链硅锗酞菁聚合物的能带结构和电子特性进行了研究,探讨了堆积酞菁环间交错角以及中心原子和桥原子的变化对电子特性的影响.计算结果表明,除前线带宽外,... 在自洽场晶体轨道法全略微分重叠(SCF CNDO/2-CO)水平上对氧桥和硫桥一维链硅锗酞菁聚合物的能带结构和电子特性进行了研究,探讨了堆积酞菁环间交错角以及中心原子和桥原子的变化对电子特性的影响.计算结果表明,除前线带宽外,交错角变化对所研究的聚酞菁电子特性影响不大.晶体轨道分析表明,氧桥聚酞菁电荷载流子主要通过垂直酞菁环π轨道的纵向重叠导电通路流动,而硫桥聚酞菁导带电子还可经中心原子和桥原子的d轨道重叠通路迁移. 展开更多
关键词 硅锗酞菁聚合物 电子结构 自洽场晶体轨道 能带结构 电子特性
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一维酞菁聚合物的从头算晶体轨道研究 被引量:4
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作者 杨宝华 艾亚凡 黄元河 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1712-1715,共4页
用密度泛函自洽场晶体轨道方法计算了几种一维酞菁聚合物及其取代衍生物的能带结构和电子性质,得到这些聚合物均是半导体.研究发现,聚合方式和共轭程度的差异不仅影响能隙的大小,而且影响能带的形状.取代基对聚合物能带形状的影响不大,... 用密度泛函自洽场晶体轨道方法计算了几种一维酞菁聚合物及其取代衍生物的能带结构和电子性质,得到这些聚合物均是半导体.研究发现,聚合方式和共轭程度的差异不仅影响能隙的大小,而且影响能带的形状.取代基对聚合物能带形状的影响不大,但取代基的电子特性对能带的位置高低起到一定的作用. 展开更多
关键词 酞菁聚合物 自洽场晶体轨道 密度泛函理论 电子结构
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平面酞菁聚合物电子性质的理论研究
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作者 杨宝华 张爱华 《信阳师范学院学报(自然科学版)》 CAS 2009年第1期50-52,共3页
采用密度泛函自洽场晶体轨道方法计算了一维和二维平面酞菁聚合物的能带结构和电子性质,结果表明这些聚合物是半导体.研究发现,聚合方式和共轭程度的差异不仅影响能隙的大小,而且影响能带的形状.与一维聚合物相比较,二维酞菁聚合物带隔... 采用密度泛函自洽场晶体轨道方法计算了一维和二维平面酞菁聚合物的能带结构和电子性质,结果表明这些聚合物是半导体.研究发现,聚合方式和共轭程度的差异不仅影响能隙的大小,而且影响能带的形状.与一维聚合物相比较,二维酞菁聚合物带隔较窄,能带较宽,将是良好的半导体. 展开更多
关键词 平面酞菁聚合物 自洽场晶体轨道 密度泛函理论 能带结构 电子性质
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