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显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+Δ_0光学性质
被引量：
1
1
作者
包志华
景为平
+1 位作者
罗向东
谭平恒
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期4213-4217,共5页
通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+Δ0能级的非平衡荧光发射.同时,通...
通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+Δ0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0+Δ0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0+Δ0能级与带边E0共享了共同的导带位置Γ6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0+Δ0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0+Δ0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.
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关键词
半绝缘GAAS
显微光致发光
自旋
轨道
分裂
原文传递
PbTe／PbSrTe半导体非对称量子阱中的Rashba效应
被引量：
6
2
作者
徐天宁
吴惠桢
隋成华
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期7865-7871,共7页
窄带隙半导体异质结构的自旋效应最近受到了国际上的很大关注.Ⅳ-Ⅵ族半导体具有各向异性和多能谷的特征,因此可以预期Rashba自旋效应在不同取向的Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱结构中存在显著差异.计算了多个取向的Pb1-y SryTe/PbTe/Pb1-x SrxT...
窄带隙半导体异质结构的自旋效应最近受到了国际上的很大关注.Ⅳ-Ⅵ族半导体具有各向异性和多能谷的特征,因此可以预期Rashba自旋效应在不同取向的Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱结构中存在显著差异.计算了多个取向的Pb1-y SryTe/PbTe/Pb1-x SrxTe非对称量子阱中的Rashba分裂能,结果表明[100]取向的PbTe量子阱的Rashba分裂能在阱宽为5.0nm时高达2.2meV,而沿其他两个主要方向([110],[111])生长的量子阱由于能谷的退简并存在两组Rashba分裂能.给出了Rashba自旋分裂能与量子阱非对称参量、阱宽、温度和波矢k∥的依赖关系.Ⅳ-Ⅵ族半导体非对称量子阱结构比Ⅲ-Ⅴ族半导体具有更大的Rashba自旋分裂能,这一特点使得它在自旋电子器件领域可能具有潜在的应用价值.
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关键词
Ⅳ-Ⅵ族半导体
非对称量子阱
Rashba效应
自旋
-
轨道
耦合
分裂
原文传递
张量耦合在改进的标量微分耦合模型中的作用
3
作者
郭华
《高能物理与核物理》
EI
CSCD
北大核心
2000年第12期1157-1164,共8页
研究了改进的标量微分耦合模型中，ω介子与核子张量耦合对于有限核计算的影响．张量耦合改善了标量微分耦合模型中有限核的自旋与轨道分裂；同时该张量耦合在核的中心区域表现为吸引作用，在核的表面区域表现为排斥作用，这一结果导致...
研究了改进的标量微分耦合模型中，ω介子与核子张量耦合对于有限核计算的影响．张量耦合改善了标量微分耦合模型中有限核的自旋与轨道分裂；同时该张量耦合在核的中心区域表现为吸引作用，在核的表面区域表现为排斥作用，这一结果导致有限核填充在很低单粒子轨道的一些核子的能量因张量耦合而增大，填充在靠近费密面轨道的一些核子的能量因张量耦合而减小．
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关键词
张量耦合
有限核
自旋
与
轨道
分裂
原文传递
题名
显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+Δ_0光学性质
被引量：
1
1
作者
包志华
景为平
罗向东
谭平恒
机构
南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期4213-4217,共5页
基金
江苏省自然科学基金(批准号:BK2004403)
'六大人才高峰'项目
南通大学校级项目(批准号:05Z011)资助的课题.~~
文摘
通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+Δ0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0+Δ0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0+Δ0能级与带边E0共享了共同的导带位置Γ6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0+Δ0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0+Δ0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.
关键词
半绝缘GAAS
显微光致发光
自旋
轨道
分裂
Keywords
semi-insulated GaAs, micro-photoluminescence, spin-orbit split-off valence band
分类号
TN301.1 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
PbTe／PbSrTe半导体非对称量子阱中的Rashba效应
被引量：
6
2
作者
徐天宁
吴惠桢
隋成华
机构
浙江大学物理系
浙江工业大学之江学院理学系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期7865-7871,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:10434090)
教育部博士点基金(批准号20060335035)资助的课题~~
文摘
窄带隙半导体异质结构的自旋效应最近受到了国际上的很大关注.Ⅳ-Ⅵ族半导体具有各向异性和多能谷的特征,因此可以预期Rashba自旋效应在不同取向的Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱结构中存在显著差异.计算了多个取向的Pb1-y SryTe/PbTe/Pb1-x SrxTe非对称量子阱中的Rashba分裂能,结果表明[100]取向的PbTe量子阱的Rashba分裂能在阱宽为5.0nm时高达2.2meV,而沿其他两个主要方向([110],[111])生长的量子阱由于能谷的退简并存在两组Rashba分裂能.给出了Rashba自旋分裂能与量子阱非对称参量、阱宽、温度和波矢k∥的依赖关系.Ⅳ-Ⅵ族半导体非对称量子阱结构比Ⅲ-Ⅴ族半导体具有更大的Rashba自旋分裂能,这一特点使得它在自旋电子器件领域可能具有潜在的应用价值.
关键词
Ⅳ-Ⅵ族半导体
非对称量子阱
Rashba效应
自旋
-
轨道
耦合
分裂
Keywords
Ⅳ-Ⅵ semiconductor, asymmetric quantum wells, Rashba effect, spin-orbit-splitting
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
张量耦合在改进的标量微分耦合模型中的作用
3
作者
郭华
机构
北京大学技术物理系
兰州重离子加速器国家实验室原子核理论中心
出处
《高能物理与核物理》
EI
CSCD
北大核心
2000年第12期1157-1164,共8页
文摘
研究了改进的标量微分耦合模型中，ω介子与核子张量耦合对于有限核计算的影响．张量耦合改善了标量微分耦合模型中有限核的自旋与轨道分裂；同时该张量耦合在核的中心区域表现为吸引作用，在核的表面区域表现为排斥作用，这一结果导致有限核填充在很低单粒子轨道的一些核子的能量因张量耦合而增大，填充在靠近费密面轨道的一些核子的能量因张量耦合而减小．
关键词
张量耦合
有限核
自旋
与
轨道
分裂
Keywords
tensor coupling
finite nuclei
spin-orbit splitting
分类号
O571 [理学—粒子物理与原子核物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+Δ_0光学性质
包志华
景为平
罗向东
谭平恒
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
原文传递
2
PbTe／PbSrTe半导体非对称量子阱中的Rashba效应
徐天宁
吴惠桢
隋成华
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
6
原文传递
3
张量耦合在改进的标量微分耦合模型中的作用
郭华
《高能物理与核物理》
EI
CSCD
北大核心
2000
0
原文传递
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