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自旋极化电子从铁磁金属注入半导体时自旋极化的计算 被引量：3
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作者 李统藏 刘之景 王克逸 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期2912-2917,共6页
对自旋极化电子从铁磁金属通过绝缘层薄膜注入半导体时的自旋极化率与绝缘层厚度以及所加偏压的关系等作了计算 .所得结果与最新实验结果相符 ,并发现偏压适中、绝缘层较厚时有较大的电流自旋极化率 ,偏压很小时电流自旋极化率几乎为零 .
关键词 铁磁金属 自旋极化电子注人 自旋极化率 绝缘层厚度 隧道磁电阻 非零偏压 半导体极化理论
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