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薄膜宽度对于NiFe/Ta逆自旋霍尔效应影响的自动表征
1
作者
王嘉栋
骆培文
+1 位作者
黄飞
张文旭
《磁性材料及器件》
CAS
2024年第1期1-5,共5页
通过分立模板镀膜法在同一块光刻版上设计了不同宽度的NiFe/Ta双层膜线条,采用磁控溅射镀膜制备样品。构建了自动化电测试系统实现批量测试样品的逆自旋霍尔电压信号。实验结果表明,样品宽度会影响测试电压信号的对称性和幅值,通过拟合...
通过分立模板镀膜法在同一块光刻版上设计了不同宽度的NiFe/Ta双层膜线条,采用磁控溅射镀膜制备样品。构建了自动化电测试系统实现批量测试样品的逆自旋霍尔电压信号。实验结果表明,样品宽度会影响测试电压信号的对称性和幅值,通过拟合得到信号的对称分量和反对称分量及其比值随着样品宽度的变化,并分析逆自旋霍尔电压和自旋整流电压的影响因素,发现随着样品宽度的减小,自旋整流效应带来的影响逐渐减小,且施加的微波磁场越大,这种变化越明显,其原因在于各向异性磁电阻对薄膜宽度的依赖性。研究结果对自旋电子器件的实用提供重要的设计依据和指导。
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关键词
NiFe/Ta薄膜
逆
自旋
霍尔
效应
自旋
整流
效应
各向异性磁电阻
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职称材料
NiFe/Pt薄膜中角度相关的逆自旋霍尔效应
被引量：
3
2
作者
韩方彬
张文旭
+1 位作者
彭斌
张万里
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第24期298-303,共6页
NiFe/Pt双层薄膜样品在铁磁共振时,NiFe磁矩进动所产生的自旋流注入到Pt层中,由于逆自旋霍尔效应产生直流电压VISHE,此电压会叠加到NiFe薄膜由于自旋整流效应而产生的电压VSRE上,实验测量所得电压为VISHE和VSRE的叠加.为了区分这两种不...
NiFe/Pt双层薄膜样品在铁磁共振时,NiFe磁矩进动所产生的自旋流注入到Pt层中,由于逆自旋霍尔效应产生直流电压VISHE,此电压会叠加到NiFe薄膜由于自旋整流效应而产生的电压VSRE上,实验测量所得电压为VISHE和VSRE的叠加.为了区分这两种不同机理对电压的贡献,本文采取旋转外加静磁场的方法,通过分析所测电压随磁场角度的变化从而分离出VISHE的大小.研究结果表明,相比于单层NiFe(20nm)薄膜样品,NiFe(20nm)/Pt(10nm)双层膜样品中由于NiFe自旋注入到Pt中导致铁磁共振线宽增加.与逆自旋霍尔效应产生的电压相比,自旋整流效应的贡献较小,但不可忽略.本文工作有助于认清铁磁/非磁性金属材料中的自旋相关效应,并提供了一种准确的分析逆自旋霍尔效应的方法.
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关键词
铁磁共振
自旋
整流
效应
自旋
抽运
逆
自旋
霍尔
效应
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职称材料
题名
薄膜宽度对于NiFe/Ta逆自旋霍尔效应影响的自动表征
1
作者
王嘉栋
骆培文
黄飞
张文旭
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《磁性材料及器件》
CAS
2024年第1期1-5,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(12274060)。
文摘
通过分立模板镀膜法在同一块光刻版上设计了不同宽度的NiFe/Ta双层膜线条,采用磁控溅射镀膜制备样品。构建了自动化电测试系统实现批量测试样品的逆自旋霍尔电压信号。实验结果表明,样品宽度会影响测试电压信号的对称性和幅值,通过拟合得到信号的对称分量和反对称分量及其比值随着样品宽度的变化,并分析逆自旋霍尔电压和自旋整流电压的影响因素,发现随着样品宽度的减小,自旋整流效应带来的影响逐渐减小,且施加的微波磁场越大,这种变化越明显,其原因在于各向异性磁电阻对薄膜宽度的依赖性。研究结果对自旋电子器件的实用提供重要的设计依据和指导。
关键词
NiFe/Ta薄膜
逆
自旋
霍尔
效应
自旋
整流
效应
各向异性磁电阻
Keywords
NiFe/Ta film
inverse spin Hall effect
spin rectification effect
anisotropic magnetoresistance
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
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职称材料
题名
NiFe/Pt薄膜中角度相关的逆自旋霍尔效应
被引量：
3
2
作者
韩方彬
张文旭
彭斌
张万里
机构
电子科技大学
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第24期298-303,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:61471095)资助的课题~~
文摘
NiFe/Pt双层薄膜样品在铁磁共振时,NiFe磁矩进动所产生的自旋流注入到Pt层中,由于逆自旋霍尔效应产生直流电压VISHE,此电压会叠加到NiFe薄膜由于自旋整流效应而产生的电压VSRE上,实验测量所得电压为VISHE和VSRE的叠加.为了区分这两种不同机理对电压的贡献,本文采取旋转外加静磁场的方法,通过分析所测电压随磁场角度的变化从而分离出VISHE的大小.研究结果表明,相比于单层NiFe(20nm)薄膜样品,NiFe(20nm)/Pt(10nm)双层膜样品中由于NiFe自旋注入到Pt中导致铁磁共振线宽增加.与逆自旋霍尔效应产生的电压相比,自旋整流效应的贡献较小,但不可忽略.本文工作有助于认清铁磁/非磁性金属材料中的自旋相关效应,并提供了一种准确的分析逆自旋霍尔效应的方法.
关键词
铁磁共振
自旋
整流
效应
自旋
抽运
逆
自旋
霍尔
效应
Keywords
ferromagnetic resonance
spin rectification effect
spin pumping
inverse spin Hall effect
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
薄膜宽度对于NiFe/Ta逆自旋霍尔效应影响的自动表征
王嘉栋
骆培文
黄飞
张文旭
《磁性材料及器件》
CAS
2024
0
下载PDF
职称材料
2
NiFe/Pt薄膜中角度相关的逆自旋霍尔效应
韩方彬
张文旭
彭斌
张万里
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
下载PDF
职称材料
已选择
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