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自旋密度光栅和本征GaAs量子阱中的电子自旋双极扩散（英文）
被引量：
2
1
作者
余华梁
陈曦矅
狄俊安
《中国光学》
EI
CAS
2013年第5期710-716,共7页
为研究空穴对自旋极化电子扩散的影响,提出用自旋密度光栅方法来观察电子自旋扩散过程。由飞秒激光在本征GaAs多量子阱中激发产生瞬态自旋光栅和瞬态自旋密度光栅,并用于研究电子自旋扩散和电子自旋双极扩散。实验测得自旋双极扩散系数D...
为研究空穴对自旋极化电子扩散的影响,提出用自旋密度光栅方法来观察电子自旋扩散过程。由飞秒激光在本征GaAs多量子阱中激发产生瞬态自旋光栅和瞬态自旋密度光栅,并用于研究电子自旋扩散和电子自旋双极扩散。实验测得自旋双极扩散系数D as=25.4 cm2/s,低于自旋扩散系数D s=113.0 cm2/s,表明自旋密度光栅中电子自旋扩散受到空穴的显著影响。
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关键词
自旋
密度
光栅
GAAS量子阱
电子
自旋
双极扩散
飞秒激光
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职称材料
题名
自旋密度光栅和本征GaAs量子阱中的电子自旋双极扩散（英文）
被引量：
2
1
作者
余华梁
陈曦矅
狄俊安
机构
闽江学院物理与电子信息工程系
福建师范大学物理系
出处
《中国光学》
EI
CAS
2013年第5期710-716,共7页
基金
Specialized Scientific Research Fundation of Higher Education Institution of Fujian Province,China(No.JK2011039)
Natural Science Foundation of Fujian Province of China(No.2012D110)
文摘
为研究空穴对自旋极化电子扩散的影响,提出用自旋密度光栅方法来观察电子自旋扩散过程。由飞秒激光在本征GaAs多量子阱中激发产生瞬态自旋光栅和瞬态自旋密度光栅,并用于研究电子自旋扩散和电子自旋双极扩散。实验测得自旋双极扩散系数D as=25.4 cm2/s,低于自旋扩散系数D s=113.0 cm2/s,表明自旋密度光栅中电子自旋扩散受到空穴的显著影响。
关键词
自旋
密度
光栅
GAAS量子阱
电子
自旋
双极扩散
飞秒激光
Keywords
spin concentration grating
GaAs quantum well
electron spin ambipolar diffusion
fs laser
分类号
O473 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
自旋密度光栅和本征GaAs量子阱中的电子自旋双极扩散（英文）
余华梁
陈曦矅
狄俊安
《中国光学》
EI
CAS
2013
2
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