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一维铁磁/有机共轭聚合物的自旋极化研究 被引量:6
1
作者 付吉永 任俊峰 +1 位作者 刘德胜 解士杰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期1989-1993,共5页
针对最近关于自旋注入有机体的实验研究 ,理论上计算了有机分子与磁性原子接触时的自旋极化现象 .通过调节磁性原子的自旋劈裂强度 ,发现有机分子链内的自旋极化弱于金属链 ,但强于半导体链 .同时还研究了有机分子链内自旋极化随电子
关键词 界面耦合 自旋极化 自旋劈裂 铁磁/有机共轭聚合物 自旋注入有机体 庞磁电阻现象 凝聚态物理
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双自旋过滤隧道结在有限偏压下的隧穿电导和隧穿磁电阻 被引量:5
2
作者 谢征微 李伯臧 《中国科学(A辑)》 CSCD 北大核心 2002年第8期696-703,共8页
最近的一项理论估计指出,NM/FI/FI/NM 型双自旋过滤隧道结(DSFJ,此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘体或半导体),在零偏压下可能具有甚高的隧穿磁电阻(TMR)针对磁电阻元件的研制和应用的需要,计算了DSFJ的TMR和电导随偏压,FI厚... 最近的一项理论估计指出,NM/FI/FI/NM 型双自旋过滤隧道结(DSFJ,此处NM和FI分别表示非磁电极和铁磁绝缘体或半导体),在零偏压下可能具有甚高的隧穿磁电阻(TMR)针对磁电阻元件的研制和应用的需要,计算了DSFJ的TMR和电导随偏压,FI厚度以及势垒高度的变化.结果表明:与传统的FM/NI/FM型磁性隧道结(FM和NI分别代表铁磁电极和非磁绝缘体或半导体)相比,DSFJ具有一个有利于应用的特点:其TMR在具有甚高值的问时,不随偏压的增大而单调地剧烈下降,而是先缓慢升到一个峰值后再下降. 展开更多
关键词 自旋过滤隧道结 隧穿电导 隧穿磁电阻 磁性隧道结 非零偏压 自旋劈裂 铁磁电极 非磁绝缘体
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相互作用量子点的自旋相关输运 被引量:1
3
作者 张平 薛其坤 +1 位作者 王玉鹏 谢心澄 《物理》 CAS 北大核心 2003年第6期360-363,共4页
介绍了与磁性电极耦合的量子点的近藤共振、单电子能级自旋劈裂、磁化和线性电导等物理性质 .研究结果显示 ,当磁性电极磁矩取向相同的时候 ,线性电导在低温下呈现双峰结构 .而近藤共振和单电子能级的自旋劈裂都可以通过电极的内部磁化... 介绍了与磁性电极耦合的量子点的近藤共振、单电子能级自旋劈裂、磁化和线性电导等物理性质 .研究结果显示 ,当磁性电极磁矩取向相同的时候 ,线性电导在低温下呈现双峰结构 .而近藤共振和单电子能级的自旋劈裂都可以通过电极的内部磁化强度来控制 ,可以用来产生自旋阀效应 . 展开更多
关键词 相互作用 量子点 近藤共振 单电子能级 自旋劈裂 磁化强度 自旋阀效应 自旋相关输运 自旋电子学 磁性电极 磁性纳米结构 电子输运 耦合
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硅烯双层纳米管自旋劈裂及半金属特性研究
4
作者 宋涵 张红怡 +3 位作者 平淑月 董博方 赵毅丹 史金磊 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第1期89-93,共5页
在低维材料体系中寻找半金属,对实现纳米自旋电子器件具有重要的研究意义.基于第一性原理密度泛函理论计算方法,研究了AB堆栈的双层硅烯结构及其自旋极化的电子结构间的映射关系,发现其导带底和价带顶都具有负的变形势.基于此,我们预测... 在低维材料体系中寻找半金属,对实现纳米自旋电子器件具有重要的研究意义.基于第一性原理密度泛函理论计算方法,研究了AB堆栈的双层硅烯结构及其自旋极化的电子结构间的映射关系,发现其导带底和价带顶都具有负的变形势.基于此,我们预测硅烯双层在弯曲应力作用下,原本简并的空间自旋分布对称性打破,其自旋简并的电子态会出现自旋劈裂,因此双层硅烯纳米管会出现我们预期的半金属性.计算结果表明,AB堆栈结构的硅烯双层纳米管(55,0)出现了半金属态,并且具有较好的磁稳定性.该结果对低维材料体系实现半金属性提供理论借鉴. 展开更多
关键词 硅烯双层纳米管 自旋劈裂 半金属 第一性原理计算
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四种材料构成的超晶格能带结构的研究 被引量:3
5
作者 田园 彭宇恒 +2 位作者 陈维友 张宝林 金亿鑫 《光子学报》 EI CAS CSCD 1997年第7期599-603,共5页
本文对由AIAs,AIyGl-yAs、AIxGal-xAs和GaAs四种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究.通过改变材料组分和层厚,发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时,对应的自旋向上和自徒向下的子带产生劈裂,而且劈裂主要发生在重空... 本文对由AIAs,AIyGl-yAs、AIxGal-xAs和GaAs四种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究.通过改变材料组分和层厚,发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时,对应的自旋向上和自徒向下的子带产生劈裂,而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方. 展开更多
关键词 能带结构 超晶格 自旋劈裂 量子阱 半导体
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自旋晶体管的最新研究进展
6
作者 钟智勇 刘爽 +3 位作者 唐晓莉 石玉 刘颖力 张怀武 《微纳电子技术》 CAS 2005年第12期546-553,共8页
自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件。对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、基于热电子输运的自旋晶体管和基于Rashba效应的自旋晶体管的最新研究动态进行了评述,并对其发展前景做... 自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件。对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、基于热电子输运的自旋晶体管和基于Rashba效应的自旋晶体管的最新研究动态进行了评述,并对其发展前景做了展望。 展开更多
关键词 自旋电子学 自旋晶体管 自旋劈裂 热电子 Rashba效应
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棱形AB_2链的电子结构及铁磁基态稳定性
7
作者 段永法 周凤梅 邓磊 《空军雷达学院学报》 2001年第4期12-14,共3页
对准一维有机聚合物棱形链AB2结构的磁性机理进行了研究.详细考虑该体系中的电子跳跃和电子关联,在平均场理论框架下,自恰地计算了其能带结构和自旋密度分布.结果表明,在半满情况下,体系显示磁有序,能级对自旋劈裂,基态是稳... 对准一维有机聚合物棱形链AB2结构的磁性机理进行了研究.详细考虑该体系中的电子跳跃和电子关联,在平均场理论框架下,自恰地计算了其能带结构和自旋密度分布.结果表明,在半满情况下,体系显示磁有序,能级对自旋劈裂,基态是稳定的铁磁态. 展开更多
关键词 基态 AB2 电子结构 自旋密度 平均场理论 自旋劈裂 能级 对准 能带结构 有机聚合物
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拓扑绝缘体Bi_2Se_3中层堆垛效应的第一性原理研究
8
作者 陈艳丽 彭向阳 +3 位作者 杨红 常胜利 张凯旺 钟建新 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第18期412-418,共7页
运用第一性原理方法,研究了拓扑绝缘体Bi_2Se_3块体和薄膜中的层堆垛对其结构、电子态、拓扑态和自旋劈裂的影响.发现不同的堆垛会引起Bi_2Se_3层间的相互作用,改变系统的中心对称性.块体的ABC和AAA堆垛都具有中心对称性和相似的能带结... 运用第一性原理方法,研究了拓扑绝缘体Bi_2Se_3块体和薄膜中的层堆垛对其结构、电子态、拓扑态和自旋劈裂的影响.发现不同的堆垛会引起Bi_2Se_3层间的相互作用,改变系统的中心对称性.块体的ABC和AAA堆垛都具有中心对称性和相似的能带结构.ABA堆垛破坏了体系的中心对称性,能带发生很大改变,并且产生了很大的能带自旋劈裂.用能带反转的方法判定体系的拓扑相,在不同堆垛的Bi_2Se_3块体中,考虑自旋轨道耦合时都发生了能带反转,因而具有不同堆垛的Bi2Se3仍是拓扑绝缘体.进一步研究了Bi_2Se_3薄膜中的堆垛效应,发现非中心对称的ABA堆垛在Bi_2Se_3薄膜中引起明显的自旋劈裂,并且提出和验证了用应变调控自旋劈裂的方法. 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 拓扑相 自旋轨道耦合 自旋劈裂
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AlGaAs/GaAs超晶格价带的自旋劈裂
9
作者 田园 张宝林 +1 位作者 彭宇恒 陈维友 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1997年第3期49-52,共4页
对由Al_yGa_(1-y_As,Al_xGa_(1-x)As和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究.通过改变材料组分和层厚,发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时,对应的自族向上和自族向下的子带产生劈裂,而且劈裂主要发生在重空... 对由Al_yGa_(1-y_As,Al_xGa_(1-x)As和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究.通过改变材料组分和层厚,发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时,对应的自族向上和自族向下的子带产生劈裂,而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方. 展开更多
关键词 能带结构 超晶格 自旋劈裂 砷化镓 铝镓砷化合物
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四种材料超晶格的价带自旋劈裂的研究
10
作者 田园 陈维友 +1 位作者 彭宇恒 张宝林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期90-93,共4页
四种材料超晶格的价带自旋劈裂的研究田园a)陈维友b)彭宇恒b)张宝林a)a)(中国科学院长春物理研究所,长春130021)b)(吉林大学电子工程系,长春130023)关键词能带结构,超晶格,自旋劈裂自从Esaki和T... 四种材料超晶格的价带自旋劈裂的研究田园a)陈维友b)彭宇恒b)张宝林a)a)(中国科学院长春物理研究所,长春130021)b)(吉林大学电子工程系,长春130023)关键词能带结构,超晶格,自旋劈裂自从Esaki和Tau[1]发现量子阱和超晶格以来,... 展开更多
关键词 能带结构 超晶格 自旋劈裂 半导体
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吸附Pb原子的Bi_2Se_3薄膜的能带结构
11
作者 杨红 侯子豪 +3 位作者 黄勇刚 刘文亮 彭向阳 钟建新 《湘潭大学自然科学学报》 CAS 2018年第2期9-13,共5页
基于考虑自旋轨道耦合的第一性原理方法,研究了Bi_2Se_3薄膜和吸附铅原子的Bi_2Se_3薄膜的能带结构.计算发现铅原子在Bi_2Se_3薄膜能带中Γ点附近的量子阱态中引起了大的Rashba自旋劈裂.另外,在Bi_2Se_3薄膜能带中Μ点附近也引起了明显R... 基于考虑自旋轨道耦合的第一性原理方法,研究了Bi_2Se_3薄膜和吸附铅原子的Bi_2Se_3薄膜的能带结构.计算发现铅原子在Bi_2Se_3薄膜能带中Γ点附近的量子阱态中引起了大的Rashba自旋劈裂.另外,在Bi_2Se_3薄膜能带中Μ点附近也引起了明显Rashba自旋劈裂.吸附铅原子的覆盖率会对以上的Rashba劈裂产生比较大的影响. 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 自旋劈裂 第一性原理 表面态
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H-Pb-Cl中可调控的巨型Rashba自旋劈裂和量子自旋霍尔效应
12
作者 薛文明 李金 +4 位作者 何朝宇 欧阳滔 罗朝波 唐超 钟建新 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期289-296,共8页
具有巨型Rashba自旋劈裂和量子自旋霍尔效应的材料在自旋电子器件应用中具有重要意义.基于第一性原理,提出一种可以将巨型Rashba自旋劈裂和量子自旋霍尔效应实现完美共存的二维(two dimension,2D)六角晶格材料H-Pb-Cl.由于系统空间反转... 具有巨型Rashba自旋劈裂和量子自旋霍尔效应的材料在自旋电子器件应用中具有重要意义.基于第一性原理,提出一种可以将巨型Rashba自旋劈裂和量子自旋霍尔效应实现完美共存的二维(two dimension,2D)六角晶格材料H-Pb-Cl.由于系统空间反转对称性的破坏和本征电场的存在,H-Pb-Cl的电子能带中出现了巨型Rashba自旋劈裂现象(α_(R)=3.78 eV.A).此外,H-Pb-Cl的Rashba自旋劈裂是可以随双轴应力(-16%—16%)调控的.通过分析H-Pb-Cl的电子性质,发现在H-Pb-Cl费米面附近有一个巨大的带隙(1.31 eV),并且体系由于Pb原子的s-p轨道翻转使得拓扑不变量Z_(2)=1,这就表明H-Pb-Cl是一个具有巨大拓扑带隙的2D拓扑绝缘体.我们的研究为探索和实现Rashba自旋劈裂和量子自旋霍尔效应的共存提供了一种优良的潜在候选材料. 展开更多
关键词 二维拓扑绝缘体 Rashba自旋劈裂 空间反演对称性 自旋轨道耦合
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AlGaN/GaN量子阱中子带的Rashba自旋劈裂和子带间自旋轨道耦合作用研究 被引量:2
13
作者 李明 张荣 +5 位作者 刘斌 傅德颐 赵传阵 谢自力 修向前 郑有炓 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期393-399,共7页
首先把本征值方程投影到导带的子空间中,进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α_1,α_2)和子带自自旋-轨道耦合系数η_(12).然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α_1,α_2和η_(12),... 首先把本征值方程投影到导带的子空间中,进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α_1,α_2)和子带自自旋-轨道耦合系数η_(12).然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α_1,α_2和η_(12),并分别讨论了量子阱阱层、左右异质结界面和垒层对它们的贡献.结果表明可以通过栅压来调节自旋-轨道耦合系数,子带间自旋轨道耦合系数η_(12)比Rashba自旋劈裂系数α_1,α_2小,但基本在同一数量级. 展开更多
关键词 Rashba自旋劈裂 子带间自旋轨道耦合 自恰计算 二维电子气
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Al_(0.6)Ga_(0.4)N/GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.6)Ga_(0.4)N量子阱中的Rashba自旋劈裂
14
作者 赵正印 王红玲 李明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期289-296,共8页
正如人们所知,可以通过电场或者设计非对称的半导体异质结构来调控体系的结构反演不对称性(SIA)和Rashba自旋劈裂.本文研究了Al_(0.6)Ga_(0.4)N/GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.6)Ga_(0.4)N量子阱中第一子带的Rashba系数和Rashba自旋劈裂... 正如人们所知,可以通过电场或者设计非对称的半导体异质结构来调控体系的结构反演不对称性(SIA)和Rashba自旋劈裂.本文研究了Al_(0.6)Ga_(0.4)N/GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.6)Ga_(0.4)N量子阱中第一子带的Rashba系数和Rashba自旋劈裂随Al_(0.3)Ga_(0.7)N插入层(右阱)的厚度w_s以及外加电场的变化关系,其中GaN层(左阱)的厚度为40-w_s?.发现随着w_s的增加,第一子带的Rashba系数和Rashba自旋劈裂首先增加,然后在w_s>20?时它们迅速减小,但是w_s>30?时Rashba自旋劈裂减小得更快,因为此时k_F也迅速减小.阱层对Rashba系数的贡献最大,界面的贡献次之且随w_s变化不是太明显,垒层的贡献相对比较小.然后,我们假设w_s=20?,发现外加电场可以很大程度上调制该体系的Rashba系数和Rashba自旋劈裂,当外加电场的方向同极化电场方向相同(相反)时,它们随着外加电场的增加而增加(减小).当外加电场从-1.5×10~8V·m^(-1)到1.5×10~8V·m^(-1)变化时,Rashba系数随着外加电场的改变而近似线性变化,Rashba自旋劈裂先增加得很快,然后近似线性增加,最后缓慢增加.研究结果表明可以通过改变GaN层和Al_(0.3)Ga_(0.7)N层的相对厚度以及外加电场来调节Al_(0.6)Ga_(0.4)N/GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.6)Ga_(0.4)N量子阱中的Rashba系数和Rashba自旋劈裂,这对于设计自旋电子学器件有些启示. 展开更多
关键词 Rashba自旋劈裂 自旋轨道耦合 自洽计算 极化效应
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相对论连续谱Hartree-Bogoliubov理论中的质子幻数核及巨晕 被引量:8
15
作者 张双全 孟杰 周善贵 《中国科学(G辑)》 CSCD 2003年第4期289-316,共28页
利用相对论连续谱Hartree-Bogoliubov理论计算了O,Ca,Ni,Zr,Sn,Pb等质子幻数同位素链从质子滴线到中子滴线核素的基态性质。理论结果可以很好地符合实验结合能E_b和双中子分离能S_(2n)。预言的中子滴线核分别是;^(28)O,^(72)Ca,^(98)Ni,... 利用相对论连续谱Hartree-Bogoliubov理论计算了O,Ca,Ni,Zr,Sn,Pb等质子幻数同位素链从质子滴线到中子滴线核素的基态性质。理论结果可以很好地符合实验结合能E_b和双中子分离能S_(2n)。预言的中子滴线核分别是;^(28)O,^(72)Ca,^(98)Ni,^(136)Zr,^(176)Sn,及^(266)Pb。特别地,由于中子滴线附近的奇特Ca核,有可能形成中子巨晕核,我们对此进行了详细的研究。从双中子分离能、均方根半径、密度分布、单粒子能级、包括连续谱在内的能级占据几率等方面详细分析了A>60的Ca同位素晕核和巨晕核的性质。还分析了Ca同位素链中自旋轨道劈裂和核势的弥散。更进一步,研究了Ca附近轻核的中子滴线核区,指出了在更轻的Ne-Na-Mg滴线核区存在巨晕现象的可能性。 展开更多
关键词 相对论连续谱Hartree-Bogoliubov理论 均方根半径 自旋轨道劈裂 巨晕 奇特核 质子幻数核 中子滴线核
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基于实稳定方法的原子核单粒子共振相对论Hartree-Fock模型
16
作者 杨威 丁士缘 孙保元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期166-175,共10页
利用坐标空间的实稳定方法,在相对论Hartree-Fock(RHF)理论框架下发展了原子核单粒子共振态结构模型.具体以^(120)Sn的低激发中子共振态为例,探讨了交换项在影响共振能量、宽度以及自旋-轨道劈裂等性质中的作用.相较于一般的相对论平均... 利用坐标空间的实稳定方法,在相对论Hartree-Fock(RHF)理论框架下发展了原子核单粒子共振态结构模型.具体以^(120)Sn的低激发中子共振态为例,探讨了交换项在影响共振能量、宽度以及自旋-轨道劈裂等性质中的作用.相较于一般的相对论平均场(RMF)理论,RHF中交换项的引入改变了核介质中有效核力的动力学平衡机制,进而影响共振态单粒子势的描述.对于一般的宽共振态,这可能导致相对更低的共振能量和更小的共振宽度.此外,对^(120)Sn共振态中νi_(13/2)与νi_(11/2)自旋伙伴态,还分析了交换项对其自旋-轨道劈裂的相关效应.与束缚态情形相比,共振态中自旋伙伴态的波函数可能存在显著区别,单粒子有效势与能量也相应发生改变.结果表明,不仅自旋-轨道相互作用,单粒子有效势中其他成分也是影响共振态自旋-轨道劈裂的重要因素. 展开更多
关键词 单粒子共振态 实稳定方法 相对论Hartree-Fock理论 自旋-轨道劈裂
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Au激光等离子体0.3~0.4nmX射线发射谱模拟 被引量:5
17
作者 张继彦 杨国洪 +7 位作者 张保汉 杨向东 周裕清 雷安乐 刘宏杰 李军 杨家敏 丁耀南 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期186-190,共5页
应用自旋 -轨道劈裂不可分辨跃迁组理论对高离化 Au元素激光等离子体 0 .3~ 0 .4 nm范围的 X射线发射谱进行了分析。采用单温局域热动平衡近似 ,对实验谱进行理论模拟 。
关键词 Au激光等离子体 不可分辨跃迁组 光谱模拟 自旋-轨道劈裂
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SOSA模型下高剥离态的自电离系数 被引量:2
18
作者 焦荣珍 程新路 +1 位作者 李小红 杨向东 《四川大学学报(工程科学版)》 EI CAS CSCD 2001年第5期116-118,共3页
在SOSA模型下 ,计算得出Ni-like、Cu -like、Zn -like (Xe、Gd、Dy、Au)的 3d-nf(n =4,5 ,6 )的自电离系数Aa,结果表明 ,由于旁观电子对slater积分Rk 的影响 ,使自电离系数呈规律性变化 ,同时对Ta4 5+ 的自电离系数与采用相对论参数势... 在SOSA模型下 ,计算得出Ni-like、Cu -like、Zn -like (Xe、Gd、Dy、Au)的 3d-nf(n =4,5 ,6 )的自电离系数Aa,结果表明 ,由于旁观电子对slater积分Rk 的影响 ,使自电离系数呈规律性变化 ,同时对Ta4 5+ 的自电离系数与采用相对论参数势方法得出的自电离系数作了比较 。 展开更多
关键词 自电离系数 自旋轨道劈裂 SOSA slater积分 R^k 高剥离态 相对论参数势
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类铜Dy^(37+)离子的双电子复合速率研究 被引量:2
19
作者 焦荣珍 张茹 +1 位作者 程新路 杨向东 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期119-121,共3页
在自旋轨道劈裂阵模型 (SOSA)下 ,通过类锌组态 ,理论计算出类铜Dy3 7+ 的双电子复合速率系数 ,得出其在电子温度 0 .0 2keV~ 5 .0keV范围内的变化规律 ,分析了不同离化度离子的能级特征 ,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素是... 在自旋轨道劈裂阵模型 (SOSA)下 ,通过类锌组态 ,理论计算出类铜Dy3 7+ 的双电子复合速率系数 ,得出其在电子温度 0 .0 2keV~ 5 .0keV范围内的变化规律 ,分析了不同离化度离子的能级特征 ,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的中间自电离态旁观电子主量子数、旁观电子角动量和电离能 ,这为实现等离子体的诊断提供了重要的参数。 展开更多
关键词 自旋轨道劈裂 双电子复合 自电离系数 辐射衰减系数
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类镍Dy^(38+)离子的双电子复合速率研究 被引量:2
20
作者 焦荣珍 程新路 +1 位作者 杨向东 朱俊 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1755-1758,共4页
在自旋轨道劈裂阵模型 (SOSA)下 ,通过类铜组态 3d9nln′l′(n′ =4 ,5 ,6 ;l′ =s,p ,d) ,理论计算出类镍Dy38+ 的双电子复合速率系数 ,得出其在电子温度 0 0 2— 5 0keV范围内的变化规律 ,分析了不同离化度离子的能级特征 ,并分... 在自旋轨道劈裂阵模型 (SOSA)下 ,通过类铜组态 3d9nln′l′(n′ =4 ,5 ,6 ;l′ =s,p ,d) ,理论计算出类镍Dy38+ 的双电子复合速率系数 ,得出其在电子温度 0 0 2— 5 0keV范围内的变化规律 ,分析了不同离化度离子的能级特征 ,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的中间自电离态旁观电子主量子数、旁观电子角动量和电离能 。 展开更多
关键词 类镍 Dy^38+ 自旋轨道劈裂 双电子复合速率 自电离系数 辐射衰减系数 镝离子 等离子体诊断
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