Y2000-62067-446 0015944纳米晶体 TiO<sub>2</sub>光敏电极界面上的 W<sup>+6</sup>/W<sup>+5</sup>氧化还原反应=W<sup>+6</sup>/W<sup>+5</sup> redox reactions at th...Y2000-62067-446 0015944纳米晶体 TiO<sub>2</sub>光敏电极界面上的 W<sup>+6</sup>/W<sup>+5</sup>氧化还原反应=W<sup>+6</sup>/W<sup>+5</sup> redox reactions at the interface ofthe nanocrystauine TiO<sub>2</sub> photoactive electrode[会,英]/Li,Y-X.& Hagen,J.//1998 IEEE InternationalConfefence on Phtoelectronic and Microelectronic Materi-als and Devices.—446～449（EC）Y2000-62067-493 0015945在 PECVD SiN<sub>x</sub> 自支撑结构建造中作为保护层的 ZnS应用=The use of ZnS as a sacrificial layer in the con-struction of PECVD SiN<sub>x</sub> self-supporting Structures[会,英]/Winchester,K.& Spaargaren,S.M.R.//1998IEEE Intemational Conference on Phtoelectronic and Mi-croelectronic Matefials and Devices.—493～496（EC）0015946AI-10Sn-4Si 合金高温塑性变形的流变应力特征[刊]/袁鸽成//广东工业大学学报.—2000,17（2）.—1～5,23（K）0015947用 CH<sub>3</sub>CSNH<sub>2</sub>钝化 GaP 表面特性的研究[刊]/林秀华//发光学报.—2000,21（2）.—115～119（E）展开更多
文摘Y2000-62067-446 0015944纳米晶体 TiO<sub>2</sub>光敏电极界面上的 W<sup>+6</sup>/W<sup>+5</sup>氧化还原反应=W<sup>+6</sup>/W<sup>+5</sup> redox reactions at the interface ofthe nanocrystauine TiO<sub>2</sub> photoactive electrode[会,英]/Li,Y-X.& Hagen,J.//1998 IEEE InternationalConfefence on Phtoelectronic and Microelectronic Materi-als and Devices.—446～449（EC）Y2000-62067-493 0015945在 PECVD SiN<sub>x</sub> 自支撑结构建造中作为保护层的 ZnS应用=The use of ZnS as a sacrificial layer in the con-struction of PECVD SiN<sub>x</sub> self-supporting Structures[会,英]/Winchester,K.& Spaargaren,S.M.R.//1998IEEE Intemational Conference on Phtoelectronic and Mi-croelectronic Matefials and Devices.—493～496（EC）0015946AI-10Sn-4Si 合金高温塑性变形的流变应力特征[刊]/袁鸽成//广东工业大学学报.—2000,17（2）.—1～5,23（K）0015947用 CH<sub>3</sub>CSNH<sub>2</sub>钝化 GaP 表面特性的研究[刊]/林秀华//发光学报.—2000,21（2）.—115～119（E）
