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MAX相表面金属晶须自发生长现象的研究现状与展望 被引量：3
1
作者 田志华 张培根 +3 位作者 刘玉爽 陆成杰 丁健翔 孙正明 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期295-310,共16页
以Sn晶须为代表的金属晶须自发生长现象由来已久,电子工业深受其害,但铅添加剂的使用使相关研究一度沉寂。新世纪伊始,"铅毒"迫使人们开发无铅化Sn晶须抑制策略。然而,复杂的影响因素阻碍了对金属晶须自发生长现象的全面认识... 以Sn晶须为代表的金属晶须自发生长现象由来已久,电子工业深受其害,但铅添加剂的使用使相关研究一度沉寂。新世纪伊始,"铅毒"迫使人们开发无铅化Sn晶须抑制策略。然而,复杂的影响因素阻碍了对金属晶须自发生长现象的全面认识。近年来,诸多研究表明MAX相基体具有与金属基体相似的晶须自发生长现象,并且晶须的再现性好、孕育期短、生长速率快、种类丰富。因此,将MAX相作为研究晶须自发生长的新平台,有望加快人们对这一普遍现象的全面理解。本文以金属晶须自发生长为背景,结合本课题组相关研究,综述MAX相表面金属晶须自发生长研究工作,从晶须生长的2个基本过程(形核与长大)分析,阐述自发生长机制,并展望MAX相上晶须自发生长的研究方向与潜在应用。 展开更多
关键词 金属晶须 自发生长 MAX相 抑制策略 无铅化 可靠性
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转变与延续——成都小通巷片区街道界面更新研究 被引量：2
2
作者 李明燕 高锐 《四川建筑》 2013年第6期51-53,共3页
成都小通巷片区街道更新研究,是在封闭安静的居住型界面向开放、上住下商的混合型界面转变的背景下,探讨旧城居住区街道临街界面更新策略。此次更新的目标是尊重街道自发生长的需求,同时延续传统街头生活,保留场所精神。更新通过制定弹... 成都小通巷片区街道更新研究,是在封闭安静的居住型界面向开放、上住下商的混合型界面转变的背景下,探讨旧城居住区街道临街界面更新策略。此次更新的目标是尊重街道自发生长的需求,同时延续传统街头生活,保留场所精神。更新通过制定弹性的控制导则,一方面保留空间原型,另一方面建立街道界面秩序,并为自发改造活动提供创造余地,保持街道有机生长的活力。 展开更多
关键词 旧城居住区 街道界面 自发生长 转变 更新模式
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全同周期排列的纳米团簇阵列的自发生长(英文) 被引量：1
3
作者 贾金锋 厉建龙 +12 位作者 梁学锦 刘熙 王俊忠 刘洪 窦瑞芬 徐茂杰 潘明虎 李绍春 薛其坤 李志强 John S Tse 张振宇 张绳百 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期270-278,共9页
我们提出了利用分子束外延的自组织生长过程大面积制备二维周期性纳米金属团簇阵列的一种方法。该方法的普适性通过研究Si(1 1 1 ) - 7× 7衬底上生长的Ⅲ族元素、贵金属、磁性金属以及它们的合金团簇得到证实。通过对In团族点阵的... 我们提出了利用分子束外延的自组织生长过程大面积制备二维周期性纳米金属团簇阵列的一种方法。该方法的普适性通过研究Si(1 1 1 ) - 7× 7衬底上生长的Ⅲ族元素、贵金属、磁性金属以及它们的合金团簇得到证实。通过对In团族点阵的原位扫描隧道显微镜分析和第一性原理总能量计算 ,我们确定了这些团簇独特的原子结构 ,阐明了这些结构的形成机理。 展开更多
关键词 全同周期排列 纳米闭簇阵列 自发生长 扫描隧道显微镜 分子束外延 纳米团簇 人造团簇超晶格 第一性原理理论
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触手可及的日常性与自发生长的多样性——咸阳市市民文化中心设计实践
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作者 丁纯 《建筑技艺》 2019年第3期23-31,共9页
咸阳市民文化中心的设计实践在满足大型文化综合体的复合功能、超大规模以及综合需求的前提下,从使用者的角度出发,以日常的舒适尺度构建人们对场所的感知;以形意相生的方式唤起人们的文化心理与形式的关联;以和而不同的方式应对人们对... 咸阳市民文化中心的设计实践在满足大型文化综合体的复合功能、超大规模以及综合需求的前提下,从使用者的角度出发,以日常的舒适尺度构建人们对场所的感知;以形意相生的方式唤起人们的文化心理与形式的关联;以和而不同的方式应对人们对功能与使用空间的多样需求;以弥漫式探索的方式应对人们对路径与线索的感知。设计将功能和空间特征各不相同的九大文化场馆聚合在统一的形态逻辑下,个体之间借助文化长廊和文化内街等一系列全方位多向度的共享空间系统渐次扩展开来,相互因借生长,通过场馆布局的关系变化建构出强烈的形态合力,在统一的关系之上自然发展出丰富的空间体验,而场馆个体的差异性和特征性通过各自内部独特的公共空间系统表达。设计力求创造一种触手可及的、自发生长的、游目观想的日常状态,唤起人们从功能、文化及空间层面对建筑全方位、多层次的理解与感知。 展开更多
关键词 市民文化中心 设计策略 日常性的舒适尺度 自发生长的多样性
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PVT法AlN单晶生长技术研究进展及其面临挑战 被引量：14
5
作者 付丹扬 龚建超 +3 位作者 雷丹 黄嘉丽 王琦琨 吴亮 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第7期1141-1156,共16页
氮化铝(AlN)具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m·℃))、高击穿场强(11.7 MV/cm)、良好的紫外透过率、高化学和热稳定性等优异性能,是氮化镓基(GaN)高温、高频、高功率电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底材料... 氮化铝(AlN)具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m·℃))、高击穿场强(11.7 MV/cm)、良好的紫外透过率、高化学和热稳定性等优异性能,是氮化镓基(GaN)高温、高频、高功率电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底材料。物理气相传输(PVT)法是制备大尺寸高质量AlN单晶最有前途的方法。本文介绍了AlN单晶的晶体结构、基本性质及PVT法生长AlN晶体的原理与生长习性。基于AlN单晶PVT生长策略,综述了自发形核工艺、同质外延工艺及异质外延工艺的研究历程,各生长策略的优缺点及其最新进展。最后对PVT法生长AlN单晶的发展趋势及其面临的挑战进行了简要展望。 展开更多
关键词 AlN单晶 PVT 自发形核生长 同质外延生长 异质外延生长
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