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题名基于银掺杂法的碲化钨磁阻材料制备及磁阻性能研究
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作者
曹明星
武彤
徐定华
贺建
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机构
中国计量科学研究院
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出处
《计量科学与技术》
2022年第8期50-56,共7页
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基金
国家市场监督管理总局质量技术监督能力提升专项(ANL1912)。
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文摘
碲化钨磁阻材料具有优良的非饱和磁电阻效应,基于碲化钨磁阻材料的信息存储技术和磁传感器制造技术,代表了磁阻研究的重要方向。通过掺杂的方法可以改变材料的磁、电学性能,为了探究碲化钨(WTe_(2))能否通过银(Ag)掺杂法得到优异性能,详细介绍了如何选择掺杂方法,以及为何选择银作为掺杂元素。建立了一种温和制备大块体掺银碲化钨(WTe_(2)/Ag)磁阻材料的方法,即新型的自助熔剂烧结法,制备了三种不同Ag掺杂量的WTe_(2)/Ag典型材料,对其物相、价态、结构进行表征与评价,并对磁阻性能进行测试分析。研究结果表明:选择银掺杂法具有优异性,制备所得的WTe_(2)/Ag材料不仅质量可靠,而且有效提升了磁电阻效应,使得磁电阻在测试最高值时的控制条件更易实现。测试得到的磁电阻在5 K、14 T时为502.3%,相比未掺杂时提高了50%,相比掺杂其他元素其磁电性能有极大提升,对电磁学器件的优化设计及实际应用具有积极的意义。
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关键词
碲化钨
银掺杂法
自助熔剂烧结法
磁电阻效应
磁阻材料
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Keywords
tungsten telluride
silver doping method
self-flux sintering method
magnetoresistance effect
magnetoresistive material
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分类号
O469
[理学—凝聚态物理]
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