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基于先进工艺节点下标准单元引脚可达性的优化研究
1
作者
蔡燕飞
《中国集成电路》
2022年第7期55-59,86,共6页
传统的平面型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)由于短沟道效应已经无法满足集成电路技术的飞速发展,而鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)的沟道具有三...
传统的平面型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)由于短沟道效应已经无法满足集成电路技术的飞速发展,而鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)的沟道具有三维立体结构,在先进工艺下展现出了良好的性能。然而,复杂的工艺规则和庞大的引脚数量使得标准单元的引脚可达性成为先进工艺节点中后端物理设计的难题之一。本文提出了一种高效的定制化方案,通过合理地推移来自动修正设计规则违规的标准单元,从而实现了整体的引脚可达性。实验结果表明,经过两轮迭代,第二层金属(Metal2)的违规数量大幅度下降,减少了约98.0%,且在相同的物理环境下,运行时间并无增长。也就是说,该方法可以大幅度提高后端物理设计的效率。
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关键词
鳍式场效应晶体管
自动
布局
布线
引脚可达性
设计规则检查
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职称材料
16nm FinFET工艺信号EM问题的分析和解决
被引量：
1
2
作者
杨会平
蔡琰
施建安
《电子技术应用》
北大核心
2017年第8期25-27,共3页
信号电迁移的问题在先进工艺节点越来越受到重视。通过一个基于16 nm TSMC工艺的SoC芯片,分析了Innovus和Voltus两个工具在信号电迁移分析结果的差异。通过对成因的分析,解决了Innovus存在的问题,使得绝大多数信号电迁移问题在布局布线...
信号电迁移的问题在先进工艺节点越来越受到重视。通过一个基于16 nm TSMC工艺的SoC芯片,分析了Innovus和Voltus两个工具在信号电迁移分析结果的差异。通过对成因的分析,解决了Innovus存在的问题,使得绝大多数信号电迁移问题在布局布线阶段得到解决,大大缩短了后端设计收敛时间。
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关键词
信号电迁移
16nm
FINFET
自动
布局
布线
Innovus
Voltus
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职称材料
基于Astro的MIC总线控制器专用集成电路后端设计
3
作者
陈洁
王丽丽
《集成电路通讯》
2007年第3期16-20,共5页
本文介绍了采用当前ASIC设计领域内流行的后端布局布线工具—Astro,进行MIC总线控制器远程模块专用集成电路的设计过程。
关键词
Astro
自动
布局
布线
工具
时钟树综合(CTS)
布局
(Floorplan)
布线
(Placement)
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职称材料
题名
基于先进工艺节点下标准单元引脚可达性的优化研究
1
作者
蔡燕飞
机构
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
出处
《中国集成电路》
2022年第7期55-59,86,共6页
文摘
传统的平面型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)由于短沟道效应已经无法满足集成电路技术的飞速发展,而鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)的沟道具有三维立体结构,在先进工艺下展现出了良好的性能。然而,复杂的工艺规则和庞大的引脚数量使得标准单元的引脚可达性成为先进工艺节点中后端物理设计的难题之一。本文提出了一种高效的定制化方案,通过合理地推移来自动修正设计规则违规的标准单元,从而实现了整体的引脚可达性。实验结果表明,经过两轮迭代,第二层金属(Metal2)的违规数量大幅度下降,减少了约98.0%,且在相同的物理环境下,运行时间并无增长。也就是说,该方法可以大幅度提高后端物理设计的效率。
关键词
鳍式场效应晶体管
自动
布局
布线
引脚可达性
设计规则检查
Keywords
fin field-effect transistor(FinFET)
automatic placement and routing
pin accessibility
design rule check
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
16nm FinFET工艺信号EM问题的分析和解决
被引量：
1
2
作者
杨会平
蔡琰
施建安
机构
英伟达半导体科技(上海)有限公司北京分公司
出处
《电子技术应用》
北大核心
2017年第8期25-27,共3页
文摘
信号电迁移的问题在先进工艺节点越来越受到重视。通过一个基于16 nm TSMC工艺的SoC芯片,分析了Innovus和Voltus两个工具在信号电迁移分析结果的差异。通过对成因的分析,解决了Innovus存在的问题,使得绝大多数信号电迁移问题在布局布线阶段得到解决,大大缩短了后端设计收敛时间。
关键词
信号电迁移
16nm
FINFET
自动
布局
布线
Innovus
Voltus
Keywords
signal EM
16 nm FinFET
APR
Innovus
Voltus
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于Astro的MIC总线控制器专用集成电路后端设计
3
作者
陈洁
王丽丽
机构
中国兵器工业第
出处
《集成电路通讯》
2007年第3期16-20,共5页
文摘
本文介绍了采用当前ASIC设计领域内流行的后端布局布线工具—Astro,进行MIC总线控制器远程模块专用集成电路的设计过程。
关键词
Astro
自动
布局
布线
工具
时钟树综合(CTS)
布局
(Floorplan)
布线
(Placement)
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于先进工艺节点下标准单元引脚可达性的优化研究
蔡燕飞
《中国集成电路》
2022
0
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职称材料
2
16nm FinFET工艺信号EM问题的分析和解决
杨会平
蔡琰
施建安
《电子技术应用》
北大核心
2017
1
下载PDF
职称材料
3
基于Astro的MIC总线控制器专用集成电路后端设计
陈洁
王丽丽
《集成电路通讯》
2007
0
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职称材料
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