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题名SiGe HBT发射区台面自中止腐蚀技术研究
被引量：1
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作者
贾素梅
杨瑞霞
刘英坤
邓建国
辛启明
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机构
河北工业大学信息工程学院
邯郸学院信息工程学院
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第9期689-692,共4页
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基金
邯郸市科学技术研究与发展计划项目(1155103119-4)
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文摘
台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺。分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,对腐蚀条件包括掩蔽膜的选取,温度、超声等因素对腐蚀速率及均匀性的影响进行摸索,取得了较好结果,最终采用该技术完成了SiGe/Si npn型异质结晶体管的制作,测得其电流增益β>80,对采用台面结构制造SiGe/Si HBT具有一定参考价值。
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关键词
SIGE/SI
异质结晶体管
台面结构
干法刻蚀
自中止腐蚀
腐蚀条件
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Keywords
SiGe/Si
HBT
mesa structure
dry etching
self-ceasing etching
etching condition
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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