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10Gb/s GaAs PHEMT光接收机前置放大器
被引量:
1
1
作者
冯暐
陈堂胜
+2 位作者
钱峰
邵凯
李拂晓
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期77-79,103,共4页
简要分析了光接收机分布式前置放大器所具有的宽带优势,研制出了一种利用南京电子器件研究所0.5μm标准GaAs PHEMT工艺实现的10 Gb/s分布式前置放大器。该前置放大器采用损耗补偿技术,由七个共源共栅级联的单元组成,测试结果表明,该分...
简要分析了光接收机分布式前置放大器所具有的宽带优势,研制出了一种利用南京电子器件研究所0.5μm标准GaAs PHEMT工艺实现的10 Gb/s分布式前置放大器。该前置放大器采用损耗补偿技术,由七个共源共栅级联的单元组成,测试结果表明,该分布式前置放大器可以工作在10 Gb/s速率上。
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关键词
分布式放大器
前置放大器
损耗补偿
砷化铱
膺
配
高
电子
迁移率
晶体管
工艺
下载PDF
职称材料
题名
10Gb/s GaAs PHEMT光接收机前置放大器
被引量:
1
1
作者
冯暐
陈堂胜
钱峰
邵凯
李拂晓
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期77-79,103,共4页
文摘
简要分析了光接收机分布式前置放大器所具有的宽带优势,研制出了一种利用南京电子器件研究所0.5μm标准GaAs PHEMT工艺实现的10 Gb/s分布式前置放大器。该前置放大器采用损耗补偿技术,由七个共源共栅级联的单元组成,测试结果表明,该分布式前置放大器可以工作在10 Gb/s速率上。
关键词
分布式放大器
前置放大器
损耗补偿
砷化铱
膺
配
高
电子
迁移率
晶体管
工艺
Keywords
distributed amplifier
preamplifier
attenuation compensation
GaAs
PHEMT technology
分类号
TN72 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
10Gb/s GaAs PHEMT光接收机前置放大器
冯暐
陈堂胜
钱峰
邵凯
李拂晓
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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