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细胞色素P450超家族蛋白质基于结构知识的序列联配 被引量：6
1
作者 季海涛 张万年 +3 位作者 周有骏 吕加国 朱驹 朱杰 《生物物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期360-368,共9页
应用计算机程序对细胞色素Ｐ４５０蛋白２０个家族的代表序列进行初步多序列联配后，利用结构知识对匹配结果加以调整，调整的依据是Ｐ４５０蛋白二级结构特征和某些超二级结构特征的保守性，三维结构空间配置的保守性，在结构与功能重... 应用计算机程序对细胞色素Ｐ４５０蛋白２０个家族的代表序列进行初步多序列联配后，利用结构知识对匹配结果加以调整，调整的依据是Ｐ４５０蛋白二级结构特征和某些超二级结构特征的保守性，三维结构空间配置的保守性，在结构与功能重要残基的保守性，亲水和疏水片段的保守性。大量定点突变实验、选择性化学修饰实验、抗多肽抗体结合实验等能很好地确证该联配结果的正确性。联配结果对真核Ｐ４５０蛋白膜结合方式、活性位点残基分布、与氧化还原偶联蛋白有相互作用的残基的分布等作出了合理的推断。 展开更多
关键词 细胞色素P450 序列匹配 膜拓扑结构
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瞬时受体电位通道蛋白的跨膜片段分析 被引量：4
2
作者 苏秋香 张丽艳 +2 位作者 汲坤 张改改 张利华 《中国医科大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期610-615,共6页
目的分析瞬时受体电位（TRP）通道的膜拓扑结构。方法采用糖基化的方法,对传统TRP通道TRPC5的各疏水片段进行膜整合分析。结果 TRPC5通道中,S4～S8片段按顺序分别以Ncyt/Cexo和Nexo/Ccyt的方式插入到膜中,C末端位于细胞内。而S1～S3片... 目的分析瞬时受体电位（TRP）通道的膜拓扑结构。方法采用糖基化的方法,对传统TRP通道TRPC5的各疏水片段进行膜整合分析。结果 TRPC5通道中,S4～S8片段按顺序分别以Ncyt/Cexo和Nexo/Ccyt的方式插入到膜中,C末端位于细胞内。而S1～S3片段可能存在2种膜整合方式：一种是S1和S3整合到膜上,S2位于细胞外;另一种是混合模式,S1和S3分别位于细胞内,其N末端均位于细胞内。结论 TRPC5通道的S4～S8为跨膜片段,S1～S3片段需进一步实验验证。 展开更多
关键词 瞬时受体电位通道 膜拓扑结构 跨膜片段分析
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纤毛蛋白TMEM138的保守性及拓扑结构
3
作者 王冬新 刘春巧 《中山大学学报（自然科学版）（中英文）》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期131-138,共8页
TMEM138是一种纤毛蛋白,其缺失会导致系统发育性纤毛病-Joubert综合征。为解析其致病的分子机制,本文对TMEM138进行了保守性分析和拓扑结构研究。选取8个代表性物种分析TMEM138蛋白一级、二级和三级结构的保守性,确定了TMEM138的跨膜结... TMEM138是一种纤毛蛋白,其缺失会导致系统发育性纤毛病-Joubert综合征。为解析其致病的分子机制,本文对TMEM138进行了保守性分析和拓扑结构研究。选取8个代表性物种分析TMEM138蛋白一级、二级和三级结构的保守性,确定了TMEM138的跨膜结构域最为保守,是实现其功能的重要结构基础。通过构建TMEM138体外过表达载体并结合活细胞染色技术,首次验证了TMEM138的膜定位和其拓扑学结构,该结论可为TMEM138的研究提供进一步的帮助。 展开更多
关键词 TMEM138 保守性分析 膜拓扑结构
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糖基化扫描方法分析KvAP通道电压感受器S3-S4在膜中所处位置 被引量：1
4
作者 张丽艳 尚德志 +2 位作者 汲坤 隋璐 牟均 《中国医科大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期10-13,共4页
目的探讨分析KvAP通道电压感受器S3-S4在膜中所处的位置。方法采用膜拓扑结构分析和糖基化扫描方法,对KvAP通道的电压感受器S3-S4在膜中所处位置进行分析。结果 KvAP通道中,S3以Ncyt/Cexo方式插入到膜中,其C端终止于G4,S4以Ncyt/Cexo方... 目的探讨分析KvAP通道电压感受器S3-S4在膜中所处的位置。方法采用膜拓扑结构分析和糖基化扫描方法,对KvAP通道的电压感受器S3-S4在膜中所处位置进行分析。结果 KvAP通道中,S3以Ncyt/Cexo方式插入到膜中,其C端终止于G4,S4以Ncyt/Cexo方式插入到膜中,其N端终止于G40。G4及G40均位于人工插入的G-loop中。结论 KvAP通道S3片段的C端与S4片段的N端位于膜内,电压感受器S3-S4可能为非跨膜片段,S3位于膜的中间;此结果与电压门控机制中的KvAP模型一致。 展开更多
关键词 KvAP 电压门控机制 膜拓扑结构 电压门控钾通道
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Shaker通道电压感受器S3-S4片段末端氨基酸分析 被引量：1
5
作者 尚德志 张丽艳 +2 位作者 汲坤 沈薇 牟均 《中国医科大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1077-1079,共3页
目的探讨分析传统Shaker通道电压感受器S3-S4在膜中所处的位置。方法采用膜拓扑结构分析和糖基化扫描方法,对传统Shaker通道的电压感受器S3-S4在膜中所处位置进行分析。结果 Shaker通道中,S3以Nexo/Ccyt方式插入到膜中,其C端终止于T329... 目的探讨分析传统Shaker通道电压感受器S3-S4在膜中所处的位置。方法采用膜拓扑结构分析和糖基化扫描方法,对传统Shaker通道的电压感受器S3-S4在膜中所处位置进行分析。结果 Shaker通道中,S3以Nexo/Ccyt方式插入到膜中,其C端终止于T329,S4以Nexo/Ccyt方式插入到膜中,其N端终止于L358。结论 Shaker通道电压感受器S3-S4为跨膜片段,与电压门控机制中传统的Shaker模型一致。 展开更多
关键词 Shaker通道 电压门控机制 膜拓扑结构 电压门控钾通道
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