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晶界对庞磁电阻颗粒薄膜的磁学和输运性能的影响 被引量：12
1
作者 李培刚 雷鸣 +3 位作者 唐为华 宋朋云 陈晋平 李玲红 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期2328-2332,共5页
采用脉冲电子束沉积技术,在Si(100)单晶衬底上沉积庞磁电阻La0·67Ca0·33MnO3颗粒薄膜,并对它的磁学性能和电学输运性能进行了表征.研究晶界对庞磁电阻薄膜的物理性能的影响,结果表明,晶界的存在使得晶粒之间的耦合变弱,在变... 采用脉冲电子束沉积技术,在Si(100)单晶衬底上沉积庞磁电阻La0·67Ca0·33MnO3颗粒薄膜,并对它的磁学性能和电学输运性能进行了表征.研究晶界对庞磁电阻薄膜的物理性能的影响,结果表明,晶界的存在使得晶粒之间的耦合变弱,在变温磁化过程中表现出团簇玻璃态行为,金属—绝缘体转变温度(Tp)远远低于铁磁—顺磁转变温度(Tc).低温下电子输运具有弱局域化行为.在低磁场下,晶界的存在掩盖了La0·67Ca0·33MnO3的本征磁电阻行为. 展开更多
关键词 脉冲电子束沉积 晶界 磁学和电学输运性能 庞磁电阻
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PED沉积La-Sr-Cu-O薄膜表面的有序纳米结构 被引量：3
2
作者 陈雷明 李培刚 +3 位作者 符秀丽 张海英 李玲红 唐为华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期2843-2846,共4页
采用脉冲电子束沉积(PED)技术在Si(100)衬底上生长La_Sr_Cu_O薄膜,在750℃生长温度下获得具有有序纳米结构的表面形貌.采用聚集离子束(FIB)技术对获得的纳米结构进行表征,结果表明,这种有序的纳米结构是由于Si衬底和La_Sr_Cu_O薄膜之间... 采用脉冲电子束沉积(PED)技术在Si(100)衬底上生长La_Sr_Cu_O薄膜,在750℃生长温度下获得具有有序纳米结构的表面形貌.采用聚集离子束(FIB)技术对获得的纳米结构进行表征,结果表明,这种有序的纳米结构是由于Si衬底和La_Sr_Cu_O薄膜之间的热膨胀系数和晶格的失配引起的纳米裂纹.在这些纳米裂纹处,La_Sr_Cu_O成核生长获得独立的纳米线.通过控制这种有序的纳米结构的生长,这种有序的纳米结构可以用来构造弱连接形成的器件. 展开更多
关键词 脉冲电子束沉积 镧-锶-铜-氧薄膜 有序纳米结构 生长工艺
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尺寸效应对庞磁电阻材料La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3输运性能的影响 被引量：1
3
作者 李培刚 雷鸣 +5 位作者 郭艳峰 郭熹 陈雷明 唐为华 宋朋云 陈晋平 《中国科学（G辑）》 CSCD 2007年第4期481-486,共6页
采用脉冲电子束沉积技术在(100)取向单晶钛酸锶衬底上沉积出具有高取向的La0.67Ca0.33MnO3薄膜,并用电子束曝光技术获得不同宽度的微桥结构,对这些微桥结构的输运性能进行了研究.当微桥的宽度为2和1.5μm时,与大面积薄膜相比,其金属绝... 采用脉冲电子束沉积技术在(100)取向单晶钛酸锶衬底上沉积出具有高取向的La0.67Ca0.33MnO3薄膜,并用电子束曝光技术获得不同宽度的微桥结构,对这些微桥结构的输运性能进行了研究.当微桥的宽度为2和1.5μm时,与大面积薄膜相比,其金属绝缘体转变温度TP变化不大.当微桥的宽度为1μm时,TP降低约50K.当微桥宽度减小到500nm以下,没有观察到金属-绝缘体转变.对不同宽度微桥的磁电阻曲线进行分析发现,随着微桥宽度减小,低场磁电阻也变小,高场磁电阻变化不大. 展开更多
关键词 庞磁电阻 脉冲电子束沉积 电子束曝光 电学输运性能
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PED沉积Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_4薄膜过程中影响超导电性因素分析
4
作者 郭艳峰 陈雷明 +3 位作者 郭熹 李培刚 雷鸣 唐为华 《中国科学（G辑）》 CSCD 2007年第4期458-463,共6页
采用脉冲电子束沉积技术,在SrTiO3衬底上成功制备了高质量的Nd1.85-Ce0.15CuO4(NCCO)薄膜.通过改变薄膜的沉积温度、厚度、退火条件以及沉积频率,获得了具有不同生长条件的NCCO薄膜样品.对样品R-T曲线进行分析,得到了上述因素对薄膜超... 采用脉冲电子束沉积技术,在SrTiO3衬底上成功制备了高质量的Nd1.85-Ce0.15CuO4(NCCO)薄膜.通过改变薄膜的沉积温度、厚度、退火条件以及沉积频率,获得了具有不同生长条件的NCCO薄膜样品.对样品R-T曲线进行分析,得到了上述因素对薄膜超导电性的影响规律,并进一步说明了这些因素对薄膜的超导电性造成影响的原因.通过与脉冲激光沉积技术类比,定量分析了沉积过程中靶与基片距离同沉积气压之间的关系. 展开更多
关键词 脉冲电子束沉积 Nd1.85Ce0.15CuO4薄膜 超导电性
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