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原位XPS分析Al_2O_3作为势垒层的Er_2O_3/Si结构 被引量：2
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作者 高宝龙 买买提热夏提.买买提 +1 位作者 亚森江.吾甫尔 阿布都艾则孜.阿布来提 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第5期394-399,共6页
在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积(PLD)技术制作了Er_2O_3/Al_2O_3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Al_2O_3作为势垒层的Er_2O_3与Si界面的电子结构。XPS结果表明,Al_2O_3中Al的2p芯能级峰在低、高温退火前... 在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积(PLD)技术制作了Er_2O_3/Al_2O_3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Al_2O_3作为势垒层的Er_2O_3与Si界面的电子结构。XPS结果表明,Al_2O_3中Al的2p芯能级峰在低、高温退火前后没有变化;Er的4d芯能级峰来自于硅酸铒中的铒,并非全是本征氧化铒薄膜中的铒;衬底硅的芯能级峰在沉积Al_2O_3时没有变化,说明Al_2O_3薄膜从沉积到退火不参与任何反应,与Si界面很稳定;在沉积Er_2O_3薄膜和退火过程中,有硅化物生成,表明Er_2O_3与Si的界面不太稳定,但随着Al_2O_3薄膜厚度的增加,其硅化物中硅的峰强减弱,含量减少,说明势垒层很好地起到了阻挡扩散的作用。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积(pld)技术 Er2O3薄膜 AL2O3薄膜 X射线光电子能谱(XPS) 高K材料
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