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脉冲退火法制备多晶硅薄膜的研究 被引量：2
1
作者 张松青 张丽伟 +1 位作者 赵新蕖 卢景霄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期285-288,共4页
用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)法在普通玻璃衬底上低温制备了μc-Si:H薄膜。采用快速光热退火炉(RTP),分别用低温(<650℃)和中温(<750℃)脉冲法(PRTP)对薄膜进行了退火处理。用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同... 用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)法在普通玻璃衬底上低温制备了μc-Si:H薄膜。采用快速光热退火炉(RTP),分别用低温(<650℃)和中温(<750℃)脉冲法(PRTP)对薄膜进行了退火处理。用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同条件下退火薄膜散射谱的特征和表面形貌。结果显示,脉冲退火法晶化的薄膜,晶化率达到了53%,部分颗粒团簇的尺寸已达到200nm左右。用声子限域理论和表面尺寸效应对薄膜频谱的"红移"和"蓝移"现象进行了分析。 展开更多
关键词 SI薄膜 脉冲快速光热退火 拉曼光谱 扫描电子显微镜
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掺硼a-Si:H薄膜脉冲快速光热退火(PRPTA)的研究
2
作者 汪昌州 杨仕娥 +2 位作者 赵尚丽 文书堂 卢景霄 《真空》 CAS 北大核心 2007年第3期28-31,共4页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备掺硼非晶硅(a-Si:H)薄膜,然后用脉冲快速光热退火(PRPTA)法对其进行固相晶化。研究结果表明:掺硼a-Si:H薄膜在550℃恒温条件下退火3h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备掺硼非晶硅(a-Si:H)薄膜,然后用脉冲快速光热退火(PRPTA)法对其进行固相晶化。研究结果表明:掺硼a-Si:H薄膜在550℃恒温条件下退火3h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以在玻璃衬底上获得晶化较好的P型多晶硅薄膜。另外,非晶硅薄膜的掺硼浓度及脉冲条件对脉冲快速光热退火的效果有一定影响。 展开更多
关键词 掺硼非晶硅薄膜 脉冲快速光热退火 固相晶化
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