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改善a-Si TFT LCD像素电极跳变电压方法研究
被引量:
5
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作者
马占洁
《现代显示》
2009年第4期19-22,27,共5页
非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(a-Si TFT LCD)中,在栅极信号由开启到关断的瞬间,由于栅源耦合电容Cgs的存在,使像素电极电压出现跳变,跳变前后像素电极电压差称为ΔVp。降低ΔVp一方面能减小闪烁程度,降低残像残留,同时还能最大程度地提...
非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(a-Si TFT LCD)中,在栅极信号由开启到关断的瞬间,由于栅源耦合电容Cgs的存在,使像素电极电压出现跳变,跳变前后像素电极电压差称为ΔVp。降低ΔVp一方面能减小闪烁程度,降低残像残留,同时还能最大程度地提高像素电极保持阶段的电压,防止出现因TFT漏电流过大而造成的像素电极电压衰变到所应显示灰度电压之下,从而出现显示灰阶的变化。本文从理论上分析了ΔVp形成原理,介绍了两种能有效降低ΔVp的方法,即多栅极电路和脉冲式存储电容。
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关键词
液晶显示器
跳变电压
多栅极电路
脉冲
式
存储电容
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职称材料
题名
改善a-Si TFT LCD像素电极跳变电压方法研究
被引量:
5
1
作者
马占洁
机构
北京京东方光电科技有限公司
出处
《现代显示》
2009年第4期19-22,27,共5页
文摘
非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(a-Si TFT LCD)中,在栅极信号由开启到关断的瞬间,由于栅源耦合电容Cgs的存在,使像素电极电压出现跳变,跳变前后像素电极电压差称为ΔVp。降低ΔVp一方面能减小闪烁程度,降低残像残留,同时还能最大程度地提高像素电极保持阶段的电压,防止出现因TFT漏电流过大而造成的像素电极电压衰变到所应显示灰度电压之下,从而出现显示灰阶的变化。本文从理论上分析了ΔVp形成原理,介绍了两种能有效降低ΔVp的方法,即多栅极电路和脉冲式存储电容。
关键词
液晶显示器
跳变电压
多栅极电路
脉冲
式
存储电容
Keywords
LCD
kickback voltage
multi level gate
pulse Cst
分类号
TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
改善a-Si TFT LCD像素电极跳变电压方法研究
马占洁
《现代显示》
2009
5
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