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GaN HEMT器件的AlN缓冲层MOCVD外延生长研究
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作者 倪洪亮 吴金星 《舰船电子对抗》 2020年第5期116-120,共5页
探讨了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的基础——AlN缓冲层的制备,运用金属有机化学气相沉淀(MOCVD)技术,采用脉冲原子层外延(PALE)和传统连续生长相结合的方法,在提高AlN缓冲层生长速度的同时改善晶体的质量。采用优化后的生长工艺,... 探讨了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的基础——AlN缓冲层的制备,运用金属有机化学气相沉淀(MOCVD)技术,采用脉冲原子层外延(PALE)和传统连续生长相结合的方法,在提高AlN缓冲层生长速度的同时改善晶体的质量。采用优化后的生长工艺,降低了AlN模板的半高宽,有效改善了缓冲层的晶体质量和表面形貌,为后续高性能GaN HEMT器件的外延结构制备打下了基础。 展开更多
关键词 GAN高电子迁移率晶体管 ALN缓冲层 金属有机化学气相沉淀 脉冲原子层外延
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