体积小重量轻的SiC微波脉冲功率晶体管

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作者 田爱华 潘宏菽 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第11期697-701,共5页

采用自主开发的工艺加工技术和设计方法,直接将两个微波SiC MESFET管芯在管壳内部进行并联,实现了器件在S波段脉冲状态下(工作频率2GHz,脉冲宽度30μs,占空比10%)输出功率大于30W、功率增益12dB、功率附加效率大于30%的性能指标。由于... 采用自主开发的工艺加工技术和设计方法,直接将两个微波SiC MESFET管芯在管壳内部进行并联,实现了器件在S波段脉冲状态下(工作频率2GHz,脉冲宽度30μs,占空比10%)输出功率大于30W、功率增益12dB、功率附加效率大于30%的性能指标。由于直接采用管芯并联结构,省略了内匹配网络,器件的体积和重量较以往的Si微波双极功率晶体管大为降低;采用高温氧化技术克服了传统MESFET工艺中PECVD介质产生较高界面态的不足,减小了器件的泄漏电流,提高了器件性能。器件的研制成功,初步显示了SiC微波脉冲功率器件在体积小、重量轻、增益高、脉冲大功率输出和制作工艺简单等方面的优势。 展开更多

关键词 碳化硅(SiC) 硅(Si) 脉冲功率晶体管 内匹配技术 微波

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L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验 被引量：4

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作者 黄雒光 董四华 +1 位作者 刘英坤 郎秀兰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期494-497,共4页

Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pi... Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。 展开更多

关键词 硅微波脉冲功率晶体管 加速老化 可靠性 寿命试验 Arrhenius模型

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2GHz 100W硅脉冲功率晶体管

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作者 傅义珠 张树丹 +1 位作者 高雷 姚长军 《世界产品与技术》 2002年第2期20-21,共2页

本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件下,输出功率P_0≥100W,功率增益G_p≥7dB,集电极效率η_0≥40％,并具有较高的抗激励耐量。在f_0=2.15G... 本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件下,输出功率P_0≥100W,功率增益G_p≥7dB,集电极效率η_0≥40％,并具有较高的抗激励耐量。在f_0=2.15GHz, τ_p=40μs,D=2％,P_i=25W,V_cc=36V时,P_0≥120W;当V_cc=40V时P_0≥153W。 展开更多

关键词 2GHz100W 硅脉冲功率晶体管 可靠性设计

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高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制

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作者 邓建国 刘英坤 +5 位作者 张鸿亮 潘茹 马红梅 李明月 胡顺欣 崔现锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期477-479,共3页

采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc... 采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc=36 V时，宽带输出功率大于64 W，增益大于8.5 dB，效率大于36%，抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁，表现出了良好的微波性能和高的可靠性。 展开更多

关键词 硅 等平面自对准工艺 微波脉冲功率晶体管

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1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管 被引量：1

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作者 王因生 李相光 +5 位作者 傅义珠 丁晓明 王佃利 盛国兴 康小虎 陶有迁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期139-139,共1页

关键词 脉冲功率晶体管 南京电子器件研究所 微波 硅 功率芯片 研制成功 输出功率 功率增益 占空比 发射极

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超大功率L波段脉冲功率晶体管

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作者 王因生 王志楠 +3 位作者 林川 王伯利 康小虎 张树丹 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期197-197,共1页

超大功率Ｌ波段脉冲功率晶体管王因生，王志楠，林川，王伯利，康小虎，张树丹（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ３２３．４ＳｕｐｅｒＨｉｇｈＰｏｗｅｒＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＴ... 超大功率Ｌ波段脉冲功率晶体管王因生，王志楠，林川，王伯利，康小虎，张树丹（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ３２３．４ＳｕｐｅｒＨｉｇｈＰｏｗｅｒＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ... 展开更多

关键词 脉冲功率晶体管 L波段 大功率

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3DA511型脉冲功率晶体管

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《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期F003-F003,共1页

3DA511是用于L波段脉冲输出的大功率晶体管，该器件可工作于宽脉宽、大占空比、宽温度范围并且能通过输出VSwR为3：1的射频条件。低热阻和自动压线技术确保了高可靠性和一致性。3DA511采用了气密金属／陶瓷封装和输入输出阻抗内匹配技术。

关键词 3DA511 脉冲功率晶体管 低热阻 L波段 陶瓷封装 大功率晶体管 脉宽 匹配技术 高可靠性 器件

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3DA511脉冲功率晶体管

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《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期177-177,共1页

关键词 3DA511 脉冲功率晶体管 气密金属/陶瓷封装 阻抗内匹配

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3DA511型脉冲功率晶体管

9

《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期F003-F003,共1页

关键词 3DA511 脉冲功率晶体管 低热阻 自动压线

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3DA511脉冲功率晶体管

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《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期439-439,共1页

3DA511是用于L波段脉冲输出的大功率晶体管。

关键词 3DA511 脉冲功率晶体管 L波段 大功率晶体管 脉冲输出

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L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管 被引量：3

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作者 硅微波脉冲功率晶体管攻关组 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期373-373,共1页

关键词 L波段 硅微波脉冲功率晶体管 功率增益 性能 功率密度

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2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管

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作者 吴鹏 林川 +4 位作者 傅义珠 盛国兴 戴学梅 康小虎 王因生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期F0003-F0003,共1页

关键词 硅脉冲功率晶体管 长脉宽 超宽带 南京电子器件研究所 GHz 100W 脉冲输出 功率增益 大功率管 S波段

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3．1～3．4GHz 120W硅脉冲功率晶体管 被引量：1

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作者 傅义珠 李相光 +3 位作者 戴学梅 盛国兴 王因生 王佃利 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期140-140,共1页

关键词 硅脉冲功率晶体管 微波功率器件 工作电压 输出功率 功率方向 多系统 可靠性 小型化 机动化 高可靠

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2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管

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作者 傅义珠 李学坤 +7 位作者 戴学梅 王佃利 王因生 周德红 康小虎 梅海 盛国兴 陈刚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期133-133,共1页

关键词 硅脉冲功率晶体管 微波功率晶体管 固体功率器件

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WS2224—110硅脉冲功率晶体管

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《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期F003-F003,共1页

关键词 WS2224-110 硅脉冲功率晶体管 最大额定值 气密性 金属陶瓷封装

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