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一种XeF_2对硅的脉冲自发刻蚀
被引量：
1
1
作者
尉伟
王勇
+3 位作者
吴晓伟
范乐
付绍军
王建平
《真空》
CAS
北大核心
2008年第4期93-95,共3页
XeF2不需要任何电离作用,与硅可发生自发反应,可用作对硅各向同性干法刻蚀。研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,利用该系统实现了高SiO2/Si、光刻胶/Si刻蚀选择比之硅刻蚀,并对刻蚀速率与刻蚀压强、刻蚀表面粗...
XeF2不需要任何电离作用,与硅可发生自发反应,可用作对硅各向同性干法刻蚀。研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,利用该系统实现了高SiO2/Si、光刻胶/Si刻蚀选择比之硅刻蚀,并对刻蚀速率与刻蚀压强、刻蚀表面粗糙度与刻蚀深度之间的关系进行实验研究。
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关键词
XEF2
各向同性干法
刻蚀
自发硅
刻蚀
脉冲
刻蚀
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职称材料
激光改性硅酸盐玻璃表面局域制备金属铜层
被引量：
6
2
作者
侯田江
艾骏
+1 位作者
刘建国
曾晓雁
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期176-180,共5页
为了实现普通硅酸盐玻璃表面的金属化,利用波长为355nm的脉冲紫外激光刻蚀粗化活化,并结合化学镀,在其表面局域制备出了导电金属铜层。研究了激光加工参量对玻璃表面微观形貌、粗糙度、刻蚀深度的影响规律,并在玻璃表面成功引入了钯元...
为了实现普通硅酸盐玻璃表面的金属化,利用波长为355nm的脉冲紫外激光刻蚀粗化活化,并结合化学镀,在其表面局域制备出了导电金属铜层。研究了激光加工参量对玻璃表面微观形貌、粗糙度、刻蚀深度的影响规律,并在玻璃表面成功引入了钯元素。结果表明,当第1次紫外激光扫描速率为200mm/s、脉冲频率为100k Hz、能量密度为27J/cm^2~37J/cm^2和填充间距在10μm左右时,玻璃表面可以获得的刻蚀深度在25μm^35μm之间,刻蚀区域的粗糙度Ra在6μm^7μm之间,此时玻璃不会开裂;而第2次激光的能量密度在9J/cm^2~11J/cm^2之间时(其余参量不变),钯元素的引入实现了化学镀铜,此时铜层和玻璃之间的平均结合强度可以达到10MPa以上,铜层的体积电阻率可以达到10^(-6)Ω·cm数量级。这是一种具有局域选择性、无需掩模、低成本、高结合强度和良好导电性的玻璃表面金属化工艺。
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关键词
激光技术
表面改性
脉冲
紫外激光
刻蚀
硅酸盐玻璃
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职称材料
脉冲约束刻蚀微加工理论探讨
3
作者
孙建军
《河南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
2003年第2期34-39,共6页
本文提出了脉冲约束刻蚀电化学微加工方法 ,从半无限和有限扩散脉冲约束刻蚀两个模型出发 。
关键词
电化学微加工
脉冲
约束
刻蚀
半无限扩散
脉冲
约束模型
有限扩散
脉冲
约束模型
电极
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职称材料
氮化铝纳米晶和纳米线的研究进展
被引量：
1
4
作者
杨金香
《山西师范大学学报（自然科学版）》
2003年第2期49-52,共4页
本文总结了氮化铝 (Al N)纳米晶和纳米线研究的最新进展 ,详细讨论了直流弧光放电蒸发、化学气相沉积、磁控溅射、脉冲辅助激光刻蚀和有机溶液相反应等方法合成氮化铝纳米晶的最新研究成果 ,并对 Al
关键词
氮化铝纳米晶
氮化铝纳米线
研究进展
直流弧光放电蒸发
化学气相沉积
磁控溅射
脉冲
辅助激光
刻蚀
有机溶液相反应
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职称材料
题名
一种XeF_2对硅的脉冲自发刻蚀
被引量：
1
1
作者
尉伟
王勇
吴晓伟
范乐
付绍军
王建平
机构
中国科学技术大学国家同步辐射实验室
中国科学技术大学量子信息重点实验室
出处
《真空》
CAS
北大核心
2008年第4期93-95,共3页
文摘
XeF2不需要任何电离作用,与硅可发生自发反应,可用作对硅各向同性干法刻蚀。研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,利用该系统实现了高SiO2/Si、光刻胶/Si刻蚀选择比之硅刻蚀,并对刻蚀速率与刻蚀压强、刻蚀表面粗糙度与刻蚀深度之间的关系进行实验研究。
关键词
XEF2
各向同性干法
刻蚀
自发硅
刻蚀
脉冲
刻蚀
Keywords
XeF2
isotropic dry etching
spontaneous silicon etching
pulse etching
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
激光改性硅酸盐玻璃表面局域制备金属铜层
被引量：
6
2
作者
侯田江
艾骏
刘建国
曾晓雁
机构
华中科技大学武汉光电国家实验室激光与太赫兹技术功能实验室
出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期176-180,共5页
基金
国家自然科学基金面上资助项目(51473058)
文摘
为了实现普通硅酸盐玻璃表面的金属化,利用波长为355nm的脉冲紫外激光刻蚀粗化活化,并结合化学镀,在其表面局域制备出了导电金属铜层。研究了激光加工参量对玻璃表面微观形貌、粗糙度、刻蚀深度的影响规律,并在玻璃表面成功引入了钯元素。结果表明,当第1次紫外激光扫描速率为200mm/s、脉冲频率为100k Hz、能量密度为27J/cm^2~37J/cm^2和填充间距在10μm左右时,玻璃表面可以获得的刻蚀深度在25μm^35μm之间,刻蚀区域的粗糙度Ra在6μm^7μm之间,此时玻璃不会开裂;而第2次激光的能量密度在9J/cm^2~11J/cm^2之间时(其余参量不变),钯元素的引入实现了化学镀铜,此时铜层和玻璃之间的平均结合强度可以达到10MPa以上,铜层的体积电阻率可以达到10^(-6)Ω·cm数量级。这是一种具有局域选择性、无需掩模、低成本、高结合强度和良好导电性的玻璃表面金属化工艺。
关键词
激光技术
表面改性
脉冲
紫外激光
刻蚀
硅酸盐玻璃
Keywords
laser technique
surface modification
pulsed ultraviolet laser etching
silicate glass
分类号
TQ171.718 [化学工程—玻璃工业]
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职称材料
题名
脉冲约束刻蚀微加工理论探讨
3
作者
孙建军
机构
河南师范大学物理与信息工程学院
出处
《河南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
2003年第2期34-39,共6页
基金
国家自然科学基金 ( 60 0 760 0 2 )
文摘
本文提出了脉冲约束刻蚀电化学微加工方法 ,从半无限和有限扩散脉冲约束刻蚀两个模型出发 。
关键词
电化学微加工
脉冲
约束
刻蚀
半无限扩散
脉冲
约束模型
有限扩散
脉冲
约束模型
电极
Keywords
electrochemistry
micromachining
pulse
confined etching
分类号
TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]
O646.5 [理学—物理化学]
下载PDF
职称材料
题名
氮化铝纳米晶和纳米线的研究进展
被引量：
1
4
作者
杨金香
机构
长治医学院化学教研室
出处
《山西师范大学学报（自然科学版）》
2003年第2期49-52,共4页
文摘
本文总结了氮化铝 (Al N)纳米晶和纳米线研究的最新进展 ,详细讨论了直流弧光放电蒸发、化学气相沉积、磁控溅射、脉冲辅助激光刻蚀和有机溶液相反应等方法合成氮化铝纳米晶的最新研究成果 ,并对 Al
关键词
氮化铝纳米晶
氮化铝纳米线
研究进展
直流弧光放电蒸发
化学气相沉积
磁控溅射
脉冲
辅助激光
刻蚀
有机溶液相反应
Keywords
Aluminum nitride (AlN)
Nanocrystals
Nanowires
Synthesis
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种XeF_2对硅的脉冲自发刻蚀
尉伟
王勇
吴晓伟
范乐
付绍军
王建平
《真空》
CAS
北大核心
2008
1
下载PDF
职称材料
2
激光改性硅酸盐玻璃表面局域制备金属铜层
侯田江
艾骏
刘建国
曾晓雁
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
6
下载PDF
职称材料
3
脉冲约束刻蚀微加工理论探讨
孙建军
《河南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
2003
0
下载PDF
职称材料
4
氮化铝纳米晶和纳米线的研究进展
杨金香
《山西师范大学学报（自然科学版）》
2003
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
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