题名 功率肖特基二极管静电损伤分析
被引量：2
1
作者
龚欣 张延伟
机构
中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心
出处
《失效分析与预防》
2010年第3期168-171,共4页
文摘
从静电放电(ESD)导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明:功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P+扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因(例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等)残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体(MOS)电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。
关键词
肖特基 整流管 失效分析 静电放电
Keywords
schottky rectifier failure analysis electro-static discharge
分类号
TN312.4
[电子电信—物理电子学]
题名 结势垒控制肖特基整流管的优化设计
2
作者
田敬民 高勇
机构
陕西机械学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1994年第4期7-11,共5页
文摘
本文在分析结势垒控制肖特基整流管工作原理的基础上，详细讨论了器件特性与结构参数的关系；给出了器件优化设计的依据，建立了适用于ＳＰＩＣＥ电路分析程序的器件等效电路模型。
关键词
肖特基 整流管 等效电路模型 势垒
Keywords
Schottky rectifier, Power diode,Optimal design,Equivalent circuit model
分类号
TN311.7
[电子电信—物理电子学]
题名 一种新型肖特基整流管设计
被引量：2
3
作者
闫丽红 王永顺 韩根亮
机构
兰州交通大学电子与信息工程学院 甘肃省科学院传感技术研究所
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2018年第5期1097-1100,共4页
基金
国家自然科学基金项目(61366006) 甘肃省科技支撑计划项目(1304GKCA012)
文摘
为了提高功率肖特基整流管的反向击穿电压、抗浪涌能力,采取加场限环的方法从有源区参数、外延材料、流片工艺、产品电参数、可靠性等方面进行全面设计,制造了一种新型结势垒肖特基整流管JBS(Junction Barrier Schottky Rectifier)。经测试,器件的电参数水平正向电压VF为0.85 V^0.856 V,反向电流IR为4.0μA^50.5μA,反向电压VR为307.5 V^465.2 V,抗静电水平从低温退火的6 k V^12 k V提高到15 k V。经高温直流老化测试,器件的可靠性达到了预期的设计要求。
关键词
微电子学与固体电子学 结势垒肖特基 整流管 反向击穿电压 场限环
Keywords
microelectronics and solid state electronics junction barrier Schottky rectifier reverse breakdown voltage field limiting ring
分类号
TN35
[电子电信—物理电子学]
题名 JBS结构肖特基整流器
4
作者
唐冬 刘旸 徐衡
机构
中国电子科技集团公司第四十七研究所
出处
《微处理机》
2014年第5期11-13,共3页
文摘
介绍了结势垒控制肖特基整流管(Junction-Barrier-controlled Schottky-Rectifier,JBS)的结构原理,论述了JBS结构肖特基整流器的正向特性和反向特性,通过对扩散掩膜尺寸m和扩散P+区时窗口宽度S的工艺模拟,归纳出m、s变化对器件参数正向压降和反向漏电流密度的影响。并通过实际产品进行验证,得出JBS结构肖特基整流器漏电流小的特点,利于功率肖特基二极管得到更广泛的应用。
关键词
结势垒控制肖特基 整流管 正向压降 反向漏电流密度
Keywords
Junction-Barrier-controlled Schottky-Rectifier Forward voltage drop Reverse leakage current density
分类号
TN4
[电子电信—微电子学与固体电子学]
