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基于半绝缘GaN自支撑衬底的肖特基型α粒子探测器的制备及性能分析
1
作者
赖兴阳
邹继军
+3 位作者
游俊
葛子琪
邵春林
刘吉珍
《电子测试》
2023年第4期50-54,共5页
本实验以半绝缘GaN自支撑衬底作为核辐射探测器主体,采用简单的三明治结构,通过在其正面(Ga面)沉积Ni/Au作为肖特基接触金属电极,反面(N面)沉积Ti/Al/Ti/TiN作为欧姆接触金属电极,成功制备了一种肖特基型α粒子探测器。所制备探测器在...
本实验以半绝缘GaN自支撑衬底作为核辐射探测器主体,采用简单的三明治结构,通过在其正面(Ga面)沉积Ni/Au作为肖特基接触金属电极,反面(N面)沉积Ti/Al/Ti/TiN作为欧姆接触金属电极,成功制备了一种肖特基型α粒子探测器。所制备探测器在室温下拥有较小的结电容和极低的漏电流,经过快速退火后,探测器在反向偏压200 V时的漏电流仅为0.19 nA。为探究光照对探测器的影响,又在光照和避光条件下分别对探测器进行了I-t测试,发现其对光的响应也十分敏感。最后,对肖特基型探测器在不同反偏电压下进行α粒子的能谱测试,发现在反向偏压为200 V时,探测器可达到最佳能量分辨率32.82%。
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关键词
半绝缘
GaN自支撑衬底
肖特基
型
Α粒子
能谱测试
下载PDF
职称材料
图形化蓝宝石衬底掺杂渐变GaN肖特基型紫外探测器
被引量:
1
2
作者
翟阳
牟文杰
+4 位作者
闫大为
杨国锋
蒋敏峰
肖少庆
顾晓峰
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017年第2期119-123,共5页
在图形化蓝宝石衬底掺杂渐变的氮化镓(GaN)外延片上制备了肖特基型紫外探测器。与传统结构器件相比,该器件表现出显著改善的电学和光学特性:(1)室温下,当偏压为-5V时具有极低的暗电流密度~1.3×10-8 A/cm^2;(2)在零偏压情况下,紫外...
在图形化蓝宝石衬底掺杂渐变的氮化镓(GaN)外延片上制备了肖特基型紫外探测器。与传统结构器件相比,该器件表现出显著改善的电学和光学特性:(1)室温下,当偏压为-5V时具有极低的暗电流密度~1.3×10-8 A/cm^2;(2)在零偏压情况下,紫外/可见光抑制比为~4.2×10~3,最高的响应度为~0.147A/W,最大外量子效率为~50.7%,甚至在深紫外波段(250~360nm)平均量子效率也大于40%;(3)平均开启和关闭瞬态响应常数分别为115μs和120μs,基本不随偏压变化,且具有很好的热稳定性;(4)零偏压下热噪声限制的极限探测率为~5.5×10^(13)cm·Hz^(1/2)/W。
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关键词
图形化蓝宝石衬底
氮化镓
肖特基
型
紫外探测器
光电特性
热噪声
下载PDF
职称材料
题名
基于半绝缘GaN自支撑衬底的肖特基型α粒子探测器的制备及性能分析
1
作者
赖兴阳
邹继军
游俊
葛子琪
邵春林
刘吉珍
机构
东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心
誉鸿锦芯片科技有限公司
中国核动力研究设计院
出处
《电子测试》
2023年第4期50-54,共5页
基金
2022年度抚州市“揭榜挂帅”重大项目(12275049)
江西省国际科技合作重点项目(20232BBH80005)资助。
文摘
本实验以半绝缘GaN自支撑衬底作为核辐射探测器主体,采用简单的三明治结构,通过在其正面(Ga面)沉积Ni/Au作为肖特基接触金属电极,反面(N面)沉积Ti/Al/Ti/TiN作为欧姆接触金属电极,成功制备了一种肖特基型α粒子探测器。所制备探测器在室温下拥有较小的结电容和极低的漏电流,经过快速退火后,探测器在反向偏压200 V时的漏电流仅为0.19 nA。为探究光照对探测器的影响,又在光照和避光条件下分别对探测器进行了I-t测试,发现其对光的响应也十分敏感。最后,对肖特基型探测器在不同反偏电压下进行α粒子的能谱测试,发现在反向偏压为200 V时,探测器可达到最佳能量分辨率32.82%。
关键词
半绝缘
GaN自支撑衬底
肖特基
型
Α粒子
能谱测试
Keywords
semi-insulation
GaN self-supporting substrate
Schottky type
alpha particle
energy spectrum test
分类号
TN2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
图形化蓝宝石衬底掺杂渐变GaN肖特基型紫外探测器
被引量:
1
2
作者
翟阳
牟文杰
闫大为
杨国锋
蒋敏峰
肖少庆
顾晓峰
机构
物联网技术应用教育部工程研究中心江南大学电子工程系
无锡中微掩模电子有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017年第2期119-123,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61504050)
江苏省自然科学基金资助资助项目(BK20130156
+2 种基金
BK20140168
BK20150158)
2015年度普通高校研究生科研创新计划项目(KYLX15_1195)
文摘
在图形化蓝宝石衬底掺杂渐变的氮化镓(GaN)外延片上制备了肖特基型紫外探测器。与传统结构器件相比,该器件表现出显著改善的电学和光学特性:(1)室温下,当偏压为-5V时具有极低的暗电流密度~1.3×10-8 A/cm^2;(2)在零偏压情况下,紫外/可见光抑制比为~4.2×10~3,最高的响应度为~0.147A/W,最大外量子效率为~50.7%,甚至在深紫外波段(250~360nm)平均量子效率也大于40%;(3)平均开启和关闭瞬态响应常数分别为115μs和120μs,基本不随偏压变化,且具有很好的热稳定性;(4)零偏压下热噪声限制的极限探测率为~5.5×10^(13)cm·Hz^(1/2)/W。
关键词
图形化蓝宝石衬底
氮化镓
肖特基
型
紫外探测器
光电特性
热噪声
Keywords
patterned sapphire substrates(PSS)
GaN Schottky UV photodetectors
optoelec tronic performance
thermal noise
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于半绝缘GaN自支撑衬底的肖特基型α粒子探测器的制备及性能分析
赖兴阳
邹继军
游俊
葛子琪
邵春林
刘吉珍
《电子测试》
2023
0
下载PDF
职称材料
2
图形化蓝宝石衬底掺杂渐变GaN肖特基型紫外探测器
翟阳
牟文杰
闫大为
杨国锋
蒋敏峰
肖少庆
顾晓峰
《固体电子学研究与进展》
CSCD
北大核心
2017
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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