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n-GaAs Ti/Mo/Ti/Au肖特基势垒接触失效机理的研究 被引量：3
1
作者 李志国 赵瑞东 +3 位作者 李学信 郭伟玲 程尧海 张斌 《电子产品可靠性与环境试验》 1995年第3期23-29,共7页
为了弄清界面态、电徙动、界面扩散及反应对肖特基势垒接触和器件电学特性的影响,我们对以Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAs MESFET进行了四种不同的应力试验:1.常温反偏(HRB)。2.高温反偏(HTRB)。3.高温正向大电流(HFGC)。4.高温贮存(HTS)... 为了弄清界面态、电徙动、界面扩散及反应对肖特基势垒接触和器件电学特性的影响,我们对以Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAs MESFET进行了四种不同的应力试验:1.常温反偏(HRB)。2.高温反偏(HTRB)。3.高温正向大电流(HFGC)。4.高温贮存(HTS)。HRB试验中从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大。HTS试验中Φ_b从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,其次为电徙动及断栅现象。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面发生模糊,有明显的互扩散和反应发生。 展开更多
关键词 化合物半导体 半导体器件 肖特基势垒接触 失效
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Al/C60/Cu薄膜结构的电学性质
2
作者 贾鹤群 黄子强 《真空电子技术》 2006年第3期24-27,共4页
将C60薄膜沉积在Al上,制成了Al/C60结构的薄膜二极管。对Al/C60结构的肖特基结构与金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的电学特性做了研究。Al/C60肖特基结构在偏压±2 V时的整流比为30,而Al/C60的MIS结构在偏压±2 V时整流比为100。... 将C60薄膜沉积在Al上,制成了Al/C60结构的薄膜二极管。对Al/C60结构的肖特基结构与金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的电学特性做了研究。Al/C60肖特基结构在偏压±2 V时的整流比为30,而Al/C60的MIS结构在偏压±2 V时整流比为100。在MIS结构中,AlOx的形成起着关键的作用。研究还发现,刚沉积好的薄膜二极管,其整流效应并不理想,在真空中经退火处理后,其性能得到增强。此二极管在空气中无封装情况下表现出高稳定性。 展开更多
关键词 C60薄膜 整流接触 肖特基势垒接触 金属-绝缘层-半导体
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