聚3-己基噻吩/ZnO微纳米球复合膜的形貌和光学性能

1

作者 孟甲 李勇 许并社 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2015年第1期29-34,共6页

对ZnO微纳米球从分散性和能级匹配方面进行了受体可行性研究,分析了能级结构和光电性能之间的关系;并将聚-3己基噻吩(P3HT)与ZnO微纳米球共混和旋涂制备P3HT/ZnO复合膜,考察P3HT和ZnO的共混质量比和退火温度对复合膜微观形貌及光学性能... 对ZnO微纳米球从分散性和能级匹配方面进行了受体可行性研究,分析了能级结构和光电性能之间的关系;并将聚-3己基噻吩(P3HT)与ZnO微纳米球共混和旋涂制备P3HT/ZnO复合膜,考察P3HT和ZnO的共混质量比和退火温度对复合膜微观形貌及光学性能的影响。结果说明,P3HT/ZnO微纳米球复合膜与纯ZnO薄膜相比,拓宽了紫外吸收范围,增强了对太阳光的吸收,说明复合膜的吸收光谱与太阳光谱能够较好的匹配;在120℃退火处理后增强了P3HT的有序性,改善了复合膜的结晶性,有利于电池效率的提高。当P3HT质量浓度为6mg/mL、旋涂转速为1 500r/min时,优质复合膜的制备参数为:P3HT和ZnO微纳米球共混质量比为1∶2,退火温度120℃。优质复合膜大大拓宽了紫外吸收范围,增强了对太阳光的吸收。 展开更多

关键词 ZnO微纳米球 聚-3己基噻吩 有机/无机杂化复合膜 光学性能

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纳米结构TiO_2/聚3-己基噻吩多孔膜电极光电性能研究 被引量：9

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作者 郝彦忠 蔡春立 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1395-1398,共4页

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-己基噻吩(ITO/P3HT)膜和纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩(TiO2/P3HT)复合膜的光电转换性质.结果表明,P3HT膜的禁带宽度为1.89eV,价带位置为-5.4eV.在ITO/TiO2/P3HT复合膜电极中存... 用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/聚3-己基噻吩(ITO/P3HT)膜和纳米结构TiO2/聚3-己基噻吩(TiO2/P3HT)复合膜的光电转换性质.结果表明,P3HT膜的禁带宽度为1.89eV,价带位置为-5.4eV.在ITO/TiO2/P3HT复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离.P3HT修饰ITO/TiO2电极可使光电流发生明显的红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率. 展开更多

关键词 纳米结构TiO2/P3HT电极 光电化学 聚3-己基噻吩

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P3HT/CdS/TiO_2/ZnO一维有序核壳式纳米棒阵列的构制及其在杂化太阳电池中的应用研究 被引量：9

3

作者 郝彦忠 曹寅虎 +4 位作者 孙宝 张彦辉 李英品 徐东升 李香玲 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1139-1144,共6页

采用恒电位法在铟锡氧化物导电玻璃(ITO)上制备了高度有序一维ZnO纳米棒阵列,将ZnO纳米棒阵列在TiO2溶胶中采用提拉法制备出了一维TiO2/ZnO核壳式纳米棒阵列.在一维TiO2/ZnO核壳式纳米棒阵列上电沉积CdS纳米晶得到一维CdS/TiO2/ZnO核壳... 采用恒电位法在铟锡氧化物导电玻璃(ITO)上制备了高度有序一维ZnO纳米棒阵列,将ZnO纳米棒阵列在TiO2溶胶中采用提拉法制备出了一维TiO2/ZnO核壳式纳米棒阵列.在一维TiO2/ZnO核壳式纳米棒阵列上电沉积CdS纳米晶得到一维CdS/TiO2/ZnO核壳式纳米棒阵列,然后在一维CdS/TiO2/ZnO核壳式纳米棒阵列上电沉积聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜得到P3HT/CdS/TiO2/ZnO核壳式纳米结构薄膜.以该纳米结构薄膜电极为光阳极制备出新型纳米结构杂化太阳电池,研究了该类电池的光电转换性能,初步探讨了该类电池的工作机理. 展开更多

关键词 TiO2/ZnO一维核壳式纳米棒阵列 CDS纳米晶 聚3-己基噻吩 杂化太阳电池

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聚3-甲基噻吩及聚3-己基噻吩修饰钛酸盐纳米管的光电化学性能研究 被引量：5

4

作者 郝彦忠 韩文涛 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第18期1871-1875,共5页

采用水热法制备了钛酸盐纳米管,并将钛酸盐纳米管制备成纳米结构电极进行光电化学研究.钛酸盐纳米管产生阳极光电流,具有n-型半导体特性.结果表明,聚3-甲基噻吩[poly(3-methylthiophene),PMeT]、聚3-己基噻吩[poly(3-hexylthiophene),P3... 采用水热法制备了钛酸盐纳米管,并将钛酸盐纳米管制备成纳米结构电极进行光电化学研究.钛酸盐纳米管产生阳极光电流,具有n-型半导体特性.结果表明,聚3-甲基噻吩[poly(3-methylthiophene),PMeT]、聚3-己基噻吩[poly(3-hexylthiophene),P3HT]修饰钛酸盐纳米管后产生的光电流均较纯钛酸盐纳米管的光电流高,且使产生光电流的波长向长波区移动.钛酸盐纳米管/PMeT、钛酸盐纳米管/P3HT的光电转换效率分别达11.40%,0.91%(未校正光子损失).钛酸盐纳米管/PMeT的光电转换效率较钛酸盐纳米管/P3HT的光电转换效率高10.5%.钛酸盐纳米管/PMeT、钛酸盐纳米管/P3HT中存在p-n异质结,在一定条件下p-n异质结的存在有利于光生电子/空穴的分离. 展开更多

关键词 钛酸盐纳米管 光电化学 聚3-甲基噻吩 聚3-己基噻吩

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光敏层厚度与退火温度调控对聚3-己基噻吩光电探测器性能的影响 被引量：6

5

作者 高诗佳 王鑫 +3 位作者 张育林 张赛 乔文强 王植源 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第4期338-345,I0002,共9页

以聚3-己基噻吩(P3HT)为给体材料,富勒烯衍生物(PC61BM)为受体材料,制备了一系列结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PC61BM/C60/Al的体异质结光电探测器.研究了120、160、180与200 nm不同光敏层厚度,100、120、130、140与150℃不同退火温度等条... 以聚3-己基噻吩(P3HT)为给体材料,富勒烯衍生物(PC61BM)为受体材料,制备了一系列结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PC61BM/C60/Al的体异质结光电探测器.研究了120、160、180与200 nm不同光敏层厚度,100、120、130、140与150℃不同退火温度等条件对器件性能的影响,并采用原子力显微镜(AFM)对光敏层形貌进行了分析.研究发现,基于180 nm厚光敏层、150℃退火处理的器件,在-2 V的偏压下550 nm处有最大响应度,为268 mA/W,并且在470~610 nm范围内响应度都超过了200 mA/W;基于180 nm厚光敏层、120℃退火处理的器件有最大线性动态范围,为95 dB.研究表明,适当厚度的光敏层有利于提高光吸收效率与器件的光伏性能;退火处理,可以使光敏层形成均匀的互穿网络结构,进而减小空穴与电子的复合概率,提高器件的光伏性能. 展开更多

关键词 聚(3-己基噻吩) 退火 膜厚 聚集态结构 光电探测器

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聚3-己基噻吩的光电性能研究 被引量：5

6

作者 郝彦忠 蔡春立 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期22-24,共3页

利用光电化学方法研究了聚3-己基噻吩的光电化学性质,其禁带宽度为1.89eV,同时确定了它的价带位置(-3.6eV)、导带位置(-5.4eV)。研究发现聚3-己基噻吩属于直接跃迁型半导体,在本文条件下得到的最高IPCE值达5.2%

关键词 聚3-己基噻吩 光电化学 导电聚合物

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聚3-己基噻吩-b-聚十六烷氧基联烯嵌段聚合物的制备及其场效应性能 被引量：4

7

作者 庞博 葛丰 邱龙臻 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期669-675,共7页

以溴代十六烷、丙炔醇为原料通过取代反应、还原重排反应制备了十六烷氧基联烯,然后以氯化(三环己基膦)镍作为催化剂,通过控制加料顺序一锅制备了聚3-己基噻吩-b-聚十六烷氧基联烯的嵌段聚合物。通过核磁共振氢谱和体积排除色谱对产物... 以溴代十六烷、丙炔醇为原料通过取代反应、还原重排反应制备了十六烷氧基联烯,然后以氯化(三环己基膦)镍作为催化剂,通过控制加料顺序一锅制备了聚3-己基噻吩-b-聚十六烷氧基联烯的嵌段聚合物。通过核磁共振氢谱和体积排除色谱对产物进行了表征和确证。对聚3-己基噻吩-b-聚十六烷氧基联烯嵌段聚合物的热学性能、光学性能及电学性能进行了研究。差示扫描量热法和热重分析结果表明,嵌段共聚物具有两个玻璃化转变温度及两个热分解温度,说明其具有明显相分离。以嵌段共聚物为半导体活性材料,制备了场效应晶体管器件。使用热退火对器件进行热处理,发现迁移率随退火温度的上升而提高。器件在200℃退火温度下的平均迁移率为7.03×10^(-4)cm^2·V^(-1)·s^(-1),最大迁移率为1.3×10^(-3)cm^2·V^(-1)·s^(-1),阈值电压为5.44 V。 展开更多

关键词 有机薄膜晶体管 聚3-己基噻吩 一锅法 嵌段聚合物

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聚3-己基噻吩聚合物薄膜晶体管的稳定性 被引量：4

8

作者 刘玉荣 左青云 +1 位作者 彭俊彪 黄美浅 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期65-70,共6页

为提高聚合物薄膜晶体管的稳定性,以单晶硅为衬底,二氧化硅为栅介质层,聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜为半导体活性层,金属Au为源、漏电极,制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT),对该器件的电特性进行了表征,研究了该器件在空气环境下的稳定性,并对该... 为提高聚合物薄膜晶体管的稳定性,以单晶硅为衬底,二氧化硅为栅介质层,聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜为半导体活性层,金属Au为源、漏电极,制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT),对该器件的电特性进行了表征,研究了该器件在空气环境下的稳定性,并对该器件在空气中的不稳定性机理进行了讨论.结果表明:当器件暴露在空气中时,随着暴露时间的增加,器件的饱和漏电流明显增大,阈值电压逐渐增加;空气中的水是影响器件特性的主要因素;通过采用光刻胶钝化处理可以有效地改善P3HT-PTFT器件在空气中的稳定性,并使器件的载流子迁移率提高3倍. 展开更多

关键词 薄膜晶体管 聚3-己基噻吩 稳定性 钝化

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不同场强下新型绝缘聚合物的变色特性及其介电特性 被引量：3

9

作者 聂永杰 景钰 +7 位作者 张萌 陈昊鹏 赵现平 赵腾飞 项恩新 王科 鲁广昊 朱远惟 《中国电力》 CSCD 北大核心 2021年第11期144-152,共9页

为了依靠绝缘材料在电场下的颜色变化判断电力设备带电状态,制备了等规/无规聚(3-己基噻吩)(poly(3-hexylthiophene),P3HT)共混薄膜。研究发现,等规P3HT纳米微晶在共混薄膜顶部均匀分布。随无规P3HT含量的上升,共混薄膜沿厚度方向表现... 为了依靠绝缘材料在电场下的颜色变化判断电力设备带电状态,制备了等规/无规聚(3-己基噻吩)(poly(3-hexylthiophene),P3HT)共混薄膜。研究发现,等规P3HT纳米微晶在共混薄膜顶部均匀分布。随无规P3HT含量的上升,共混薄膜沿厚度方向表现出更好的绝缘性能。在无规P3HT含量为95%时,共混薄膜的工频介电常数为5.86,电阻率为3.2 TΩ·cm,直流击穿场强达到113 kV/mm。通过空间电荷积累光谱发现,当电场强度大于40 kV/mm时,电荷主要积累在绝缘的无规P3HT中,且共混薄膜吸收光谱450 nm处峰强度随电场强度的增加而升高,实现了空间电荷驱动的绝缘体系电致变色,为电力设备绝缘带电状态检测提供了新方法。 展开更多

关键词 高电压 电致变色 空间电荷 绝缘 聚(3-己基噻吩)

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聚(3-己基噻吩)的合成与表征 被引量：3

10

作者 周星红 夏和生 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期32-34,38,共4页

采用化学氧化法,用三氯化铁(FeCl3)作氧化剂合成了聚3-己基噻吩(P3HT)。研究了反应时间、氧化剂和单体摩尔比对转化率的影响,结果表明转化率随反应时间延长而增加,氧化剂和单体摩尔比为3∶1时转化率最高,达到71%。用红外光谱,紫外-可见... 采用化学氧化法,用三氯化铁(FeCl3)作氧化剂合成了聚3-己基噻吩(P3HT)。研究了反应时间、氧化剂和单体摩尔比对转化率的影响,结果表明转化率随反应时间延长而增加,氧化剂和单体摩尔比为3∶1时转化率最高,达到71%。用红外光谱,紫外-可见光谱和核磁共振(1H-NMR)表征了P3HT的结构。紫外-可见光谱表明P3HT溶液禁带宽度约为1.91eV,根据1H-NMR计算P3HT结构规整度约为80%。研究了反应时间对P3HT分子量的影响,发现随聚合反应时间延长,分子量先迅速增加然后逐渐减小。 展开更多

关键词 聚3-己基噻吩 三氯化铁 化学氧化聚合

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高分辨固体核磁共振法分析聚3-己基噻吩∶苝二酰亚胺衍生物的共混结构 被引量：3

11

作者 舒婕 唐丹丹 王宁 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1170-1179,I0011-I0013,共13页

苝二酰亚胺(PDI)衍生物是异质结太阳能电池中可替代[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)的受体材料。本研究选取了两种不同化学结构的PDI衍生物作为研究体系,分别命名为PDI和PDI,采用高分辨固体核磁共振技术,探讨了PDI衍生物在与聚3-己基噻吩... 苝二酰亚胺(PDI)衍生物是异质结太阳能电池中可替代[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)的受体材料。本研究选取了两种不同化学结构的PDI衍生物作为研究体系,分别命名为PDI和PDI,采用高分辨固体核磁共振技术,探讨了PDI衍生物在与聚3-己基噻吩(P3HT)共混前后其分子聚集态结构的变化。发现PDI和PDI的纯净物体系中,分子均通过π-π作用形成了有序的堆叠结构,且PDI的有序度高于PDI。在分别与P3HT共混后,两种共混物表现为两相分离的结构。其中,PDI在与P3HT共混后,其晶区的有序度降低,但分子的堆叠结构没有变化;而PDI在与P3HT共混后,其晶区的有序度保持不变,但分子的堆叠结构发生了变化。通过Back-to-Back(BaBa)边带技术可以定量检测出PDI分子间酰胺位CH氢原子间的距离为3.66。依据13 C-1H FSLG-HETCOR谱图的相关信息,发现两组分的界面区中,PDI的酰亚胺取代基位于P3HT噻吩环的屏蔽区。此外,使用REREDOR技术定量检测了两种PDI衍生物在与P3HT共混前后分子基团的局部运动性。研究发现,在与P3HT共混后,PDI的分子局部运动性没有变化,而PDI的分子局部运动性降低。本研究揭示了两种PDI衍生物在与P3HT共混前后的分子聚集态结构,总结了适用于研究PDI衍生物共混体系的固体核磁共振技术方案,用于表征分子的聚集态结构、组分相容性及分子基团的局部运动性能。 展开更多

关键词 苝二酰亚胺 固体核磁共振 聚集态结构 相容性 聚3-己基噻吩

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P3HT修饰一维有序壳核式CdS/ZnO纳米棒阵列复合膜的光电化学性能 被引量：3

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作者 孙宝 郝彦忠 +4 位作者 郭奋 李英品 罗冲 裴娟 申世刚 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第12期2861-2866,共6页

采用电化学方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上制备了高度有序的ZnO纳米棒阵列,在ZnO纳米棒阵列上先后电化学沉积CdS纳米晶膜及聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜得到P3HT修饰的一维有序壳核式CdS/ZnO纳米阵列结构,并通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(T... 采用电化学方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上制备了高度有序的ZnO纳米棒阵列,在ZnO纳米棒阵列上先后电化学沉积CdS纳米晶膜及聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜得到P3HT修饰的一维有序壳核式CdS/ZnO纳米阵列结构,并通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、能量散射X射线(EDX)等表征手段证实了该结构的形成.以此纳米结构薄膜为光阳极组装新型半导体敏化太阳电池,研究了CdS纳米晶膜的厚度和P3HT薄膜的沉积对电池光伏性能的影响,初步探讨了电荷在电池结构中的传输机理,结果表明,CdS纳米晶膜和P3HT薄膜的沉积有效地拓宽了光阳极的光吸收范围,实验中电池的光电转换效率最高达到1.08%. 展开更多

关键词 ZNO纳米棒阵列 CDS 聚3-己基噻吩 电化学沉积 壳核纳米结构 半导体敏化太阳电池

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利用Heck反应制备立构规整聚(3-己基噻吩) 被引量：1

13

作者 张杰 李坚 孙明慧 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1587-1591,共5页

采用Heck反应法合成了具有较高分子量和立构规整度的聚(3-己基噻吩)。研究了溶剂的种类及配比、相转移催化剂及催化剂的种类以及反应温度、反应时间对所得聚(3-己基噻吩)的分子量和规整度的影响。用凝胶色谱(GPC)和核磁共振谱(1HNMR)对... 采用Heck反应法合成了具有较高分子量和立构规整度的聚(3-己基噻吩)。研究了溶剂的种类及配比、相转移催化剂及催化剂的种类以及反应温度、反应时间对所得聚(3-己基噻吩)的分子量和规整度的影响。用凝胶色谱(GPC)和核磁共振谱(1HNMR)对聚(3-己基噻吩)的分子量及立构规整度进行了表征。用紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计研究了聚(3-己基噻吩)的吸收光谱和发射光谱。结果表明,当溶剂为二甲基甲酰胺与四氢呋喃(DMF:THF=1:1)的混合溶剂,采用醋酸钯[用量为单体量的5%(摩尔分数)]为催化剂,四丁基溴化铵[用量为单体量的100%(摩尔分数)]为相转移催化剂时,在80℃下反应12h所得聚(3-己基噻吩)的分子量可达6700,立构规整度超过96%。 展开更多

关键词 聚(3-己基噻吩) HECK反应 立构规整聚(3-己基噻吩)

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P3HT及CTCHT修饰纳米TiO_2的光电性能研究 被引量：1

14

作者 郝彦忠 蔡春立 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期166-169,共4页

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了聚3-己基噻吩(P3HT)及3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)修饰纳米结构TiO2电极的光电转换性质。结果表明,经修饰后的纳米TiO2电极光电流明显增强,光电转换效率得到明显提高。在复... 用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了聚3-己基噻吩(P3HT)及3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)修饰纳米结构TiO2电极的光电转换性质。结果表明,经修饰后的纳米TiO2电极光电流明显增强,光电转换效率得到明显提高。在复合膜电极中存在p-n异质结,异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离,降低了电荷的反向复合几率,提高了光电转换效率。 展开更多

关键词 纳米结构TiO2 聚3-己基噻吩 3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物 光电化学 导电聚合物

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理论研究连接方式对低聚(3-己基噻吩)结构和电子光谱的影响 被引量：2

15

作者 马原 左桂云 吴文鹏 《化学研究》 CAS 2016年第4期450-454,共5页

用密度泛函理论优化了不同连接方式的低聚（3-己基噻吩）（（3HT）n,n=2~8）异构体的几何结构,并得到了相对能量,接着用含时密度泛函理论计算了不同异构体的垂直激发能,并优化了（3HT）8第一激发态的几何结构.结果表明,不同连接方式异... 用密度泛函理论优化了不同连接方式的低聚（3-己基噻吩）（（3HT）n,n=2~8）异构体的几何结构,并得到了相对能量,接着用含时密度泛函理论计算了不同异构体的垂直激发能,并优化了（3HT）8第一激发态的几何结构.结果表明,不同连接方式异构体的相对能量接近,但它们的轨道能级和垂直激发能差异都较大;第一激发态比基态共平面性更好. 展开更多

关键词 聚(3-己基噻吩) 连接方式 密度泛函理论 含时密度泛函理论

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以聚(3-己基噻吩)-石墨烯-Nafion修饰的玻碳电极为工作电极示差脉冲伏安法测定细颗粒物PM_(2.5)中铅的含量 被引量：2

16

作者 金党琴 龚爱琴 +4 位作者 丁邦东 周慧 田连生 韩磊 黄文江 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期393-397,共5页

将聚(3-己基噻吩)-石墨烯在二甲基甲酰胺中的悬浮液(1g·L^(-1))10μL涂覆在玻碳电极(GCE)上,在室温干燥后,再将0.5%(质量分数)Nafion乙醇溶液滴涂于其表面,制得聚(3-己基噻吩)-石墨烯-Nafion修饰玻碳电极。用循环伏安法和示差脉冲... 将聚(3-己基噻吩)-石墨烯在二甲基甲酰胺中的悬浮液(1g·L^(-1))10μL涂覆在玻碳电极(GCE)上,在室温干燥后,再将0.5%(质量分数)Nafion乙醇溶液滴涂于其表面,制得聚(3-己基噻吩)-石墨烯-Nafion修饰玻碳电极。用循环伏安法和示差脉冲伏安法研究了铅(Ⅱ)离子在此修饰电极上的电化学行为。结果表明:此电极对铅(Ⅱ)离子在-0.713V处出现明显的氧化峰,其峰电流为玻碳电极上的6倍。在pH 5.0的乙酸盐缓冲溶液中,在沉积电位为^(-1).0V,沉积时间为150s和扫描速率为100mV·s^(-1)的条件下,铅(Ⅱ)离子浓度在0.010~4.5μmol·L^(-1)内与其相应氧化峰电流值之间呈线性关系,检出限(3S/N)为5.0×10-9 mol·L^(-1)。在此条件下测定铅具有很好的选择性。方法用于测定环境监测站所取的PM_(2.5)实际样品,所得测定值与分光光度法测定值相符。 展开更多

关键词 聚(3-己基噻吩) 石墨烯 NAFION 铅 PM2.5

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聚3-己基噻吩/碳纳米管薄膜的制备及电导性能研究 被引量：2

17

作者 王奇观 周伟 +4 位作者 钱鑫 王晓敏 郭浩 王瑛 王素敏 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期62-64,66,共4页

利用化学氧化法原位聚合制备了聚3-己基噻吩(P3HT)/多壁碳纳米管(MWNT)纳米复合薄膜。透射电子显微镜表明,MWNT在复合薄膜中的分散均匀性得到了提高;通过UV-Vis光谱证实了MWNT和P3HT之间存在着强烈的相互作用;四探针法测试表明,P3HT/MWN... 利用化学氧化法原位聚合制备了聚3-己基噻吩(P3HT)/多壁碳纳米管(MWNT)纳米复合薄膜。透射电子显微镜表明,MWNT在复合薄膜中的分散均匀性得到了提高;通过UV-Vis光谱证实了MWNT和P3HT之间存在着强烈的相互作用;四探针法测试表明,P3HT/MWNT纳米复合物具有半导体电导特征,最高电导率可达0.15 S/cm。 展开更多

关键词 化学氧化法 原位聚合 聚3-己基噻吩 多壁碳纳米管 POLY (3-hexylthiophene)

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聚3-己基噻吩的合成与性能研究

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作者 屈凤波 孙敏青 +1 位作者 李江涛 杨瑞娜 《河南科学》 2013年第10期1610-1612,共3页

以3-溴噻吩为起始原料,依次经烷基化反应、N-溴代丁二酰亚胺溴化反应、格氏反应和聚合反应合成了区域规整的聚3-己基噻吩.通过热重分析、凝胶色谱分析研究了标题化合物的性能.

关键词 3-己基噻吩 2 5-二溴-3-己基噻吩 聚3-己基噻吩

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聚(3-己基)噻吩薄膜中电荷传导的研究 被引量：2

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作者 蒋晓青 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第23期2649-2655,共7页

对两种具有相同化学结构的聚(3-己基)噻吩膜进行了电荷传导研究以检验膜的结构对载流子迁移率的影响.一种膜是由3-己基噻吩单体经电化学合成直接制备的膜(原位生长膜);另一种膜是将原位生长膜溶于三氯甲烷后重新滴涂而成的(滴涂膜).研... 对两种具有相同化学结构的聚(3-己基)噻吩膜进行了电荷传导研究以检验膜的结构对载流子迁移率的影响.一种膜是由3-己基噻吩单体经电化学合成直接制备的膜(原位生长膜);另一种膜是将原位生长膜溶于三氯甲烷后重新滴涂而成的(滴涂膜).研究表明,虽然两种膜的制备方法不一样,但在最低(0.02%)和较高(20%～30%)掺杂率下两膜中的载流子迁移率相一致;然而在中等掺杂率区域,两膜中的载流子迁移率明显不同.对于原位生长膜,载流子迁移率在低掺杂区域几乎保持不变,当掺杂率大于1%后开始上升;而在滴涂膜中,随着掺杂率的增加,迁移率先下降然后迅速升高.上述两种迁移率变化特征分别与以前研究中观察到的电化学合成高分子膜和化学合成高分子旋涂或滴涂膜中迁移率的变化特征相一致,表明了迁移率随掺杂率变化特征的改变是由膜的结构变化而引起的. 展开更多

关键词 聚(3-己基)噻吩 电解合成 迁移率

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基于PCBM/P3HT异质结的柔性染料敏化太阳能电池 被引量：2

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作者 岳根田 吴季怀 +6 位作者 肖尧明 叶海峰 谢桂香 兰章 李清华 黄妙良 林建明 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期835-840,共6页

以聚3-己基噻吩(P3HT)和与C60的衍生物6,6-苯基-C61丁酸甲酯(PCBM)的异质结代替I–/I3–氧化还原电解质作为载流子传输介质,一种新的柔性染料敏化太阳能电池被制备.红外光谱、紫外-可见吸收光谱的表征表明:PCBM/P3HT异质结不但具有PCBM... 以聚3-己基噻吩(P3HT)和与C60的衍生物6,6-苯基-C61丁酸甲酯(PCBM)的异质结代替I–/I3–氧化还原电解质作为载流子传输介质,一种新的柔性染料敏化太阳能电池被制备.红外光谱、紫外-可见吸收光谱的表征表明:PCBM/P3HT异质结不但具有PCBM对紫外光的吸收特性,而且具有P3HT在可见光、近红外的吸收特性,拓展了电池的光电响应范围.本文还讨论了PCBM/P3HT质量比等条件对电池性能的影响.在100mW.cm–2(AM1.5)模拟太阳光辐照下,该柔性太阳能电池的光电转换效率达到1.43%,开路电压、短路电流和填充因子分别为0.87V,3.0mA.cm–2和0.54. 展开更多

关键词 柔性太阳能电池 染料敏化 聚3-己基噻吩 6 6-苯基-C61丁 酸甲酯

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