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题名纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式OLED的研究
被引量：2
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作者
李阳
刘星元
吴春亚
孟志国
王忆
熊绍珍
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机构
五邑大学数学物理系
南开大学光电子所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期813-817,共5页
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基金
国家高技术研究发展计划"863"平板显示专项(2004AA303570)
国家自然科学基金重点基金(60437030)资助
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文摘
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86S/cm、Eopt>2.0eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15nm、17nm和21nm;通过Raman测量,计算出其晶化率为35%左右.实验中,将P型纳米硅薄膜与氧化铟锡一起构成有机电致发光器件的复合阳极,研究了他们的发光特性,结果表明:由于P-nc-Si∶H薄膜材料具有近似半反半透的光学特性,它与高反射率的阴极Al使有机电致发光器件产生了微腔效应,使其发光光谱窄化,半宽高由126nm窄化到33nm;发光光亮明显增强,最大亮度为47130cd/m2,最大发光效率为9.54383cd/A,与以ITO为阴极的无腔器件相比,提高了约127%.
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关键词
P型掺杂纳米硅薄膜
聚合物有机电致发光器件
微腔
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Keywords
P-nc-Si ： H thin film
Organic light emitting display
Mierocavity
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分类号
TN321.93
[电子电信—物理电子学]
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