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构造煤结构缺陷对硫化氢吸附及扩散特性的影响
1
作者 李金雨 李懿欣 +4 位作者 白刚 赵洪宝 纪和 王月然 丁姝慧 《煤炭转化》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1-10,共10页
探究构造煤结构缺陷对煤中H_(2)S吸附和扩散特性的影响效应,对于理解和改善煤矿安全具有重要意义。通过分子模拟技术,构建了初始芳香片层(CS)模型、边界类(SW)缺陷模型、单空位(SV)缺陷模型、双空位(DV)缺陷模型和多空位(MV1和MV2)缺陷... 探究构造煤结构缺陷对煤中H_(2)S吸附和扩散特性的影响效应,对于理解和改善煤矿安全具有重要意义。通过分子模拟技术,构建了初始芳香片层(CS)模型、边界类(SW)缺陷模型、单空位(SV)缺陷模型、双空位(DV)缺陷模型和多空位(MV1和MV2)缺陷模型,研究了缺陷构型对H_(2)S吸附和扩散的影响。结果表明:H_(2)S吸附量与煤体孔隙率呈正相关,不同构型中H_(2)S饱和吸附量存在差异,在DV缺陷构型中最大,在CS构型中最小,且CS构型中吸附的H_(2)S分子分布均匀,缺陷构型中H_(2)S分子优先吸附在对应的缺陷位置周围,煤体结构缺陷的存在更有利于H_(2)S的吸附。在温度为298.15 K,308.15 K和318.15 K条件下,H_(2)S在不同缺陷构型中的扩散系数和扩散活化能均大于在CS构型中的扩散系数和扩散活化能,H_(2)S在不同缺陷构型煤中更容易扩散。 展开更多
关键词 硫化氢 缺陷构型 吸附特性 扩散特性 分子模拟
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偏压应力下SiC/SiO_(2)界面间隙碳缺陷的结构和电学性质演变 被引量：1
2
作者 张圆 尉升升 +2 位作者 丁攀 苏艳 王德君 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第3期208-213,共6页
SiC栅氧近界面碳缺陷是SiC MOSFET器件在偏压应力下可靠性劣化的主要根源。间隙碳缺陷Si2-C=O(Ci1)和O-C=C-O(Ci2)被认为是构成SiC/SiO_(2)界面缺陷能级的重要源头之一。基于第一性原理密度泛函理论,研究了不同外部电场对SiC/SiO_(2)界... SiC栅氧近界面碳缺陷是SiC MOSFET器件在偏压应力下可靠性劣化的主要根源。间隙碳缺陷Si2-C=O(Ci1)和O-C=C-O(Ci2)被认为是构成SiC/SiO_(2)界面缺陷能级的重要源头之一。基于第一性原理密度泛函理论,研究了不同外部电场对SiC/SiO_(2)界面处间隙碳缺陷的结构和电学性质的影响。结构键长键角计算结果表明,电场对缺陷Ci1和Ci2的结构影响较小,但施加电场后两种缺陷的形成能均减小,说明偏压应力更有助于这两种缺陷的形成。电荷态密度计算结果表明,不同大小和方向的偏压应力(电场)会改变Ci1和Ci2的缺陷能级位置。上述作用诠释了界面缺陷产生偏压应力不稳定问题的物理机制。 展开更多
关键词 SIC 界面缺陷 偏压应力 第一性原理 缺陷构型 态密度
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锯齿型石墨烯带缺陷改性方法研究 被引量：1
3
作者 张嵛 刘连庆 +3 位作者 焦念东 席宁 王越超 董再励 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第13期368-373,共6页
采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数,对具有不同缺陷构型的锯齿型石墨烯带((zigzag graphene nanoribbon,ZGNR)的输运性质进行了理论计算与模拟.研究表明,相同数目、不同构型缺陷结构对ZGNR的导电特性将产生不同的影响.如A-B构型双... 采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数,对具有不同缺陷构型的锯齿型石墨烯带((zigzag graphene nanoribbon,ZGNR)的输运性质进行了理论计算与模拟.研究表明,相同数目、不同构型缺陷结构对ZGNR的导电特性将产生不同的影响.如A-B构型双空缺对ZGNR电导的影响最为显著,而A-A构型双空缺对其电导的影响最小.更为重要的是,当引入碳环构型缺陷时,ZGNR将被改性,即由原本的金属性质转变为半导体性质,为缺陷调控石墨烯导电特性提供了理论依据. 展开更多
关键词 ZGNR 缺陷构型 输运性质 改性
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