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电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响
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作者 刘帅 熊慧凡 +3 位作者 杨霞 杨德仁 皮孝东 宋立辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第9期1536-1541,共6页
4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下... 4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下对MOS样品进行30、50、100、500、1 000 kGy剂量的辐照,对辐照前、后样品进行深能级瞬态谱测试(DLTS)和电容-电压(C-V)曲线表征。DLTS实验结果表明,低剂量电子辐照前、后4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处的缺陷没有发生明显变化,而高剂量辐照导致双碳间隙原子缺陷的构型发生了改变,演变后的构型能级位置更深,化学结构更加稳定。C-V曲线测试结果发现,不同电子辐照剂量导致MOS电容器平带电压发生不同程度的负向漂移,这很可能是SiO_(2)氧化层中氧空位数量和4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处缺陷数量共同影响的结果。本文研究结果对研发和优化抗电子辐照的4H-SiC MOS制备工艺具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 4H-SiC MOS 电子辐照 缺陷变化 双碳间隙原子 深能级瞬态谱
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干涉法测量器件表面特征缺陷的计算机模拟 被引量:1
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作者 林秋宝 《集美大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2003年第1期80-82,共3页
光学干涉方法测量器件表面微小缺陷是一种有效的实验方法.对于多样性结果的唯一性分析,借助于计算机模拟,得到特征缺陷的干涉图样的模拟结果.该结果适用于不同波长,缺陷尺度连续变化的微小情况.使用误差跟踪计算办法,可分辨的缺陷尺度... 光学干涉方法测量器件表面微小缺陷是一种有效的实验方法.对于多样性结果的唯一性分析,借助于计算机模拟,得到特征缺陷的干涉图样的模拟结果.该结果适用于不同波长,缺陷尺度连续变化的微小情况.使用误差跟踪计算办法,可分辨的缺陷尺度变化从1/2波长的10-1量级倍数到102量级倍数. 展开更多
关键词 表面特征缺陷 缺陷测量 光学干涉方法 计算机模拟 干涉图样 缺陷尺度变化
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