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栅氧化层击穿的统一逾渗模型 被引量：4
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作者 马仲发 庄奕琪 +3 位作者 杜磊 包军林 万长兴 李伟华 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期54-58,共5页
综合E模型和1/E模型中两种不同的缺陷产生机制和逾渗理论,建立了栅氧化层击穿过程中缺陷产生和击穿触发的统一逾渗模型.该模型认为栅氧化层的击穿触发是由于氧化层中氧空位等缺陷所形成的定域态扩展化的结果,并对氧空位等缺陷的产生动... 综合E模型和1/E模型中两种不同的缺陷产生机制和逾渗理论,建立了栅氧化层击穿过程中缺陷产生和击穿触发的统一逾渗模型.该模型认为栅氧化层的击穿触发是由于氧化层中氧空位等缺陷所形成的定域态扩展化的结果,并对氧空位等缺陷的产生动力学进行了统一的描述,使得该模型无论在高场强还是低场强情况下所得的结果,均能较好地描述氧化层击穿过程,从而对长期以来有关栅氧化层击穿的E模型和1/E模型之争做出了较为合理的解释. 展开更多
关键词 栅氧化层 击穿 逾渗模型 缺陷产生机制 MOS集成电路
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