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缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 被引量：6
1
作者 吴洁君 韩修训 +6 位作者 李杰民 黎大兵 魏宏远 康亭亭 王晓晖 刘祥林 王占国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期466-470,共5页
本文研究了低温GaN(LTGaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响。用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LTGaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角Ga... 本文研究了低温GaN(LTGaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响。用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LTGaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致。用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LTGaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显。通过分析进一步确认LTGaN缓冲层的最优生长时间。 展开更多
关键词 缓冲层厚度 GAN 蓝宝石衬底 MOCVD
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基片温度对Ni_(81)Fe_(19)薄膜结构和各向异性磁电阻的影响 被引量：6
2
作者 何建方 王书运 王存涛 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期20-23,共4页
利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针法测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻。... 利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针法测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻。结果表明,基片温度对薄膜的各向异性磁电阻及饱和场有显著影响,随着基片温度的升高,薄膜各向异性磁电阻随之增大,饱和场则相反。基片温度在400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻比和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻比为4.23%,最低磁化饱和场为739.67A/m;随着缓冲层厚度的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值。 展开更多
关键词 Ni81Fe19薄膜 基片温度 结构 各向异性磁电阻 磁控溅射 缓冲层厚度
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落锤冲击荷载作用下蒸压加气混凝土的缓冲性能试验研究 被引量：4
3
作者 周耀 俞斌 +1 位作者 郭全全 马英 《振动与冲击》 EI CSCD 北大核心 2019年第22期79-84,共6页
蒸压加气混凝土落锤冲击试验考虑了试件的厚度、落距对冲击力最大值的影响。试验结果表明,一定冲击能量下试件的冲击力最大值随自身厚度增加先变小后变大,存在一个使冲击力最大值为最小的最佳厚度。提出了冲击力最大值的计算公式,公式... 蒸压加气混凝土落锤冲击试验考虑了试件的厚度、落距对冲击力最大值的影响。试验结果表明,一定冲击能量下试件的冲击力最大值随自身厚度增加先变小后变大,存在一个使冲击力最大值为最小的最佳厚度。提出了冲击力最大值的计算公式,公式与试验结果吻合良好,并得出了最佳厚度的计算方法。冲击过程中,冲击能量转化为缓冲层材料的表面能,转化的量随厚度先增大后减小,缓冲效果先变好后变差。 展开更多
关键词 蒸压加气混凝土(AAC) 落锤冲击试验 缓冲层厚度 缓冲性能 表面能
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煤岩散料冲击系数试验研究 被引量：2
4
作者 叶龙 陈希红 +3 位作者 卢崇劭 于朔 王楠 李斌 《煤矿机械》 2015年第12期103-105,共3页
通过模拟试验研究了煤岩散体落料冲击系数的影响因素,并探讨了各影响因素的影响规律。结果表明:散体落料高度以及缓冲层厚度对冲击系数均有较大影响。
关键词 落料冲击力 落料高度 缓冲层厚度 冲击系数
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染料敏化太阳电池TiO2缓冲层厚度对性能的影响
5
作者 杨小明 《电源技术》 CAS 北大核心 2019年第9期1531-1535,共5页
影响染料敏化太阳电池性能因素较多。用水热法制备不同维数的TiO2纳米棒阵列作太阳电池缓冲层,其光电转换效率低。为深入研究TiO2缓冲层厚度与染料敏化太阳电池性能之间关系,采用凝胶法处理实验原料制备缓冲层薄膜,将缓冲层薄膜和TiO2... 影响染料敏化太阳电池性能因素较多。用水热法制备不同维数的TiO2纳米棒阵列作太阳电池缓冲层,其光电转换效率低。为深入研究TiO2缓冲层厚度与染料敏化太阳电池性能之间关系,采用凝胶法处理实验原料制备缓冲层薄膜,将缓冲层薄膜和TiO2纳晶胶体制备成染料敏化纳晶多空TiO2电极,将TiO2电极和镀铂电极组装成染料敏化太阳电池(DSSC)。利用仪器测试和表征缓冲层薄膜。数据表明:缓冲层薄膜结构和颗粒间连接性的修正对电子的传递有积极作用,DSSC无缓冲层时,染料敏化太阳电池短路电流、开路电压为10.06mA/cm^2和0.707V;有缓冲层,测试数据随厚度呈一定规律性变化,且厚度为10μm时,电池转换效率最大,短路电流、开路电压为11.42mA/cm^2、0.724V。 展开更多
关键词 染料敏化太阳电池 缓冲层厚度 TiO2胶体 凝胶法 光电转换效率
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超薄Ni_(81)Fe_(19)薄膜的各向异性磁电阻及磁性能
6
作者 王书运 何建方 王存涛 《理化检验（物理分册）》 CAS 2012年第9期572-575,共4页
利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta(5nm)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电阻(AMR)及磁性能的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针技术测量了薄膜的... 利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta(5nm)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电阻(AMR)及磁性能的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针技术测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻;用FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应试验系统测量了薄膜的磁滞回线。结果表明:在基片温度为400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻为3.5%,最低磁化饱和场为739.67A/m。基片温度为500℃制备的薄膜,饱和磁化强度Ms值最大。随着缓冲层厚度x的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值。 展开更多
关键词 Ni81Fe19薄膜 基片温度 超薄薄膜 各向异性磁电阻 缓冲层厚度
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采空区缓冲垫层最小安全厚度分析 被引量：1
7
作者 王会敏 郭雷 +1 位作者 李琛 刘光泽 《矿冶》 CAS 2020年第1期11-15,共5页
为了分析采空区顶部垮落过程对下部结构体的影响,文中以2号矿体采空区为背景展开分析。首先通过建立数值模型计算,确定2号矿体的平衡拱极限垮落跨度为51.38 m,冒落拱的高度为12.8 m,结果表明,上盘围岩冒落不会通达地表;然后,通过PFC2D... 为了分析采空区顶部垮落过程对下部结构体的影响,文中以2号矿体采空区为背景展开分析。首先通过建立数值模型计算,确定2号矿体的平衡拱极限垮落跨度为51.38 m,冒落拱的高度为12.8 m,结果表明,上盘围岩冒落不会通达地表;然后,通过PFC2D模拟软件,建立缓冲垫层分别为14 m、16 m、18 m、20 m、22 m五种方案进行分析,通过对采空区下部结构体内部裂纹数和结构体受到的冲击力进行监测,对比理论计算结果进行分析,结果表明,当垫层厚度为20 m和22 m时,下部结构内裂纹数为0,且结构体受到的冲击力小于其所能承受的最大应力(0.525 MPa),由此可知2号矿体采空区最小安全垫层厚度为20 m,案例对比分析验证了20 m缓冲垫层厚度的合理性。 展开更多
关键词 上盘围岩冒落 缓冲垫层厚度 数值模拟 理论计算
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