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题名GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率
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作者
张李骊
刘战辉
钟霞
修向前
张荣
谢自力
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机构
南京信息工程大学物理与光电工程学院
南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第1期51-56,62,共7页
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基金
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(21203098)
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文摘
详细研究了分别利用Ga Zn O薄膜和纳米级Ni/Au薄膜作为透明导电层(TCL)的绿光LED芯片的光电性能。利用扫描电子显微镜和透射光谱对Ga Zn O TCL和传统的纳米级Ni/Au TCL进行结构表征,结果表明,Ga Zn O透明导电层表面呈现为高密度、纳米尺度的突起,而纳米级Ni/Au TCL样品表面则较为平整;研究波长范围内,Ga Zn O薄膜具有较高的透射率(大于90%)。对两种LED芯片的光电特性进行测试,结果表明,Ga Zn O作为透明导电层的LED芯片发光均匀,具有较小的正向开启电压、等效串联电阻,发光峰中心波长变化仅有5.6 nm,而发光效率相对于传统的Ni/Au TCL LED提高40%,光电工作特性优异。
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关键词
绿光发光二极管(led)
镓掺杂氧化锌(GaZnO)薄膜
发光效率
透明导电层(TCL)
多量子阱(MQW)
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Keywords
green light-emitting diode（led）
Ga-doped ZnO film（GaZnO）
emission efficiency
transparent conductive layer（TCL）
multiple quantum well（MQW）
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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